富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

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保證100萬億讀/寫周期的FRAM

FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產(chǎn)品。評估樣品目前可用。

MB85R8M2TA 封裝

與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品既實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行——訪問速度提高了約30%，又實(shí)現(xiàn)了低功耗——工作電流降低了10%。這種存儲器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品。

FRAM 使用示例

新品細(xì)節(jié)

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)量產(chǎn)了20多年。

富士通自2018年6月開始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣產(chǎn)品的同時，公司聽到了客戶的聲音，例如保證寫入壽命超過10萬億次，運(yùn)行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通現(xiàn)在很高興推出滿足這些要求的新 8Mbit FRAM 產(chǎn)品，并繼續(xù)保持 FRAM 的低功耗的獨(dú)特特性。

MB85R8M2TA 具有與 SRAM 兼容的并行接口，可在 1.8V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行。它是富士通 FRAM 產(chǎn)品系列中第一款保證 100 萬億讀/寫循環(huán)時間的產(chǎn)品。

在快速頁面模式下，新的FRAM能夠運(yùn)行到25ns，在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時，其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實(shí)現(xiàn)了更高的運(yùn)行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產(chǎn)品低10%，最大待機(jī)電流為150μA，低50%。該產(chǎn)品采用44針TSOP封裝，與富士通4Mbit FRAM的封裝相同，此外還有48針FBGA封裝。

電流比較

新的8Mbit FRAM給客戶帶來的好處是，在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問題：

01

問題：更改接口設(shè)計(jì)和 PCB 設(shè)計(jì)的額外工作

解決方案：使用與 SRAM 接口和 SRAM 封裝兼容的 FRAM

02

問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代

解決方案：使用具有快速寫入操作的 FRAM，頁面模式下最大 25ns

03

問題：寫入壽命高達(dá)10萬億次導(dǎo)致設(shè)計(jì)限制

解決方案：使用寫入壽命高達(dá)100萬億次的FRAM

使用非易失性存儲器替換 SRAM 時的問題和解決方案

主要規(guī)格

富士通半導(dǎo)體致力于在開發(fā)高性能產(chǎn)品的同時為可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻(xiàn)。例如，該公司繼續(xù)致力于開發(fā)低功耗的FRAM產(chǎn)品。隨著功耗的降低，它的目標(biāo)是減少二氧化碳排放，以減少溫室氣體。

富士通將繼續(xù)滿足市場和客戶的需求和要求，同時開發(fā)環(huán)保型內(nèi)存產(chǎn)品。

關(guān)于富士通半導(dǎo)體

富士通的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)始于 1956 年，當(dāng)時第一個用于日本電報電話公共公司(現(xiàn)為NTT)中繼器的硅晶體管商業(yè)化。1970年代后期，開始了全面的對外銷售業(yè)務(wù)，并開始批量生產(chǎn)半導(dǎo)體。在富士通半導(dǎo)體集團(tuán)，富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司是一家專門從事系統(tǒng)存儲器業(yè)務(wù)(FRAM等)的公司，提供高性能和高質(zhì)量的非易失性存儲 LSI。更多詳情請?jiān)L問：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/cn/products/fram/。

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業(yè)務(wù)自2020年12月并入加賀集團(tuán)，旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)。在深圳、大連等地均設(shè)有分公司，負(fù)責(zé)統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務(wù)。加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務(wù)，專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機(jī)存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動終端、影像設(shè)備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。更多詳情請?jiān)L問：https://www.kagafei.com/cn。

原文標(biāo)題：保證高達(dá)100萬億讀寫周期的8Mbit FRAM

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審核編輯：湯梓紅