應(yīng)用于PD快充電源適配器的國產(chǎn)MOS管

能為PD快充電源適配器廠家持續(xù)穩(wěn)定供應(yīng)性能優(yōu)質(zhì)的MOS管，并且其能夠匹配ZMS100N10N場效應(yīng)管的型號參數(shù)在PD快充電源適配器電路中使用的MOS管會有哪一款呢？

此處點(diǎn)名飛虹電子研發(fā)的一款MOS管產(chǎn)品目前在市場上可替換ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS這幾款型號用于PD快充電源適配器。

它就是飛虹的60N1F10LA場效應(yīng)管型號。為何說它是能夠適用于PD快充電源適配器電路使用的優(yōu)質(zhì)國產(chǎn)MOS管呢？這一切都需要從其具體參數(shù)來看。

飛虹這款FHN60N1F10LA作為N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，其產(chǎn)品參數(shù)：具有60A、100V的電流、電壓，RDS(on) = 10mΩtyp) ，最高柵源電壓 @VGS=±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS熱阻測試，一致性高，高可靠性，開關(guān)速度快，極低的導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)，優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDS(on)*Qg)，損耗低。

60N1F10的封裝形式會有PDFN5×6。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1.2-2.4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：240（A）、靜態(tài)導(dǎo)通電阻（typ）：10mΩ/12.5mΩ、反向傳輸電容：11pF。

在國產(chǎn)化的場效應(yīng)管替換使用過程中，飛虹國產(chǎn)型號：FHN60N1F10LA型號參數(shù)來替換AON6224型號。它采用SGT工藝來獲得極低的RDSON導(dǎo)通內(nèi)阻和優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg)，可實(shí)現(xiàn)快速硬開關(guān)和有效提高了轉(zhuǎn)換效率，PDFN5×6-8L封裝產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于AC/DC和 USB PD快充適配器電源和DC/DC轉(zhuǎn)換器的二次側(cè)同步整流，BLDC電機(jī)驅(qū)動等；在使用方面是匹配型號ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS的場效應(yīng)管。

針對PD快充電源適配器想提升其用電安全性，選擇國產(chǎn)化的場效應(yīng)管替換使用過程中，我們更推薦使用優(yōu)質(zhì)的飛虹國產(chǎn)型號：FHN60N1F10LA型號參數(shù)來替換ZMS100N10N型號。

在國產(chǎn)化的場效應(yīng)管替換使用過程中，F(xiàn)HN60N1F10LA型號參數(shù)還可替換ZMS100N10N、AON6224、VSP014N10MS型號在不同的產(chǎn)品電路中使用。

除參數(shù)適合外，飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務(wù)。飛虹致力于半導(dǎo)體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有33年半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)以及18年研發(fā)、制造經(jīng)驗(yàn)。除可提供免費(fèi)試樣外，更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。

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審核編輯：湯梓紅