英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)能輕松駕馭更高dv/dt

一提到隔離型驅(qū)動(dòng)，不少硬件研發(fā)工程師就會(huì)先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復(fù)雜惡劣，這些都對隔離型驅(qū)動(dòng)的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。

而英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)的超強(qiáng)性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：

無磁芯變壓器隔離技術(shù)

基于磁耦合的電氣隔離技術(shù)，利用半導(dǎo)體制造工藝，集成由金屬線圈結(jié)構(gòu)和氧化硅絕緣介質(zhì)組成的無磁芯平面變壓器，用來傳送輸入側(cè)與輸出側(cè)之間的開關(guān)指令和其它信號。信號以電流變化的形式進(jìn)行傳遞，抗dv/dt干擾能力強(qiáng)，非常適合高速開關(guān)器件。磁隔離技術(shù)隨著使用時(shí)間的增加，沒有類似光耦的光衰問題，穩(wěn)定性更好。

更高的工作電壓

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)可適用于600V/650V/1200V/1700V/2300V開關(guān)器件。而光耦工作電壓一般為1700V以內(nèi)。

更大的輸出電流

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)14A（峰值典型值），特別適用于單管MOSFET/IGBT并聯(lián)或者大功率模塊，無需外接推挽放大電路，設(shè)計(jì)簡單且性價(jià)比高。而光耦驅(qū)動(dòng)電流一般為10A（峰值典型值）以內(nèi)。

更高的副邊電源電壓差

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)副邊電源電壓差高達(dá)40V，特別適用于負(fù)壓驅(qū)動(dòng)的IGBT或者CoolSiC?，提供了足夠的電壓安全裕量。而光耦驅(qū)動(dòng)副邊電源電壓差為35V。

更高的工作結(jié)溫

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)工作結(jié)溫高達(dá)150℃，可完美輔配功率器件最高工作結(jié)溫150/175℃。而光耦工作結(jié)溫一般125℃，并且高溫時(shí)參數(shù)溫漂（如傳輸延時(shí)等）高于英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)，限制了系統(tǒng)在高溫環(huán)境下的應(yīng)用。

更小的傳輸延時(shí)

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)傳輸延時(shí)低至100ns以內(nèi)，芯片之間傳輸延時(shí)匹配度7ns以內(nèi)，能實(shí)現(xiàn)更小的死區(qū)時(shí)間，特別適用于高頻應(yīng)用，也是英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?的最佳搭檔。而光耦傳輸延時(shí)一般為200ns以內(nèi)，光耦之間傳輸延時(shí)匹配一般為100ns以內(nèi)。

更高的共模瞬變抗擾度

英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)共模瞬變抗擾度高達(dá)200kV/μs以上，特別適用于快速開關(guān)應(yīng)用，能輕松駕馭更高的dv/dt，提高了系統(tǒng)可靠性。而光耦共模瞬變抗擾度一般為100kV/μs以內(nèi)。

更高的可靠性

英飛凌全新的隔離型驅(qū)動(dòng)參照VDE 0884-11標(biāo)準(zhǔn)，而光耦參照IEC 60747-5-5/VDE 0884-5標(biāo)準(zhǔn)。針對磁隔離技術(shù)的VDE 0884-11標(biāo)準(zhǔn)測試更為嚴(yán)苛，安全裕量更大，更標(biāo)配了使用壽命模型（20年以上）和額外的安全系數(shù)。

更豐富的功能

電壓變化率控制（SRC：Slew Rate Control）兼顧效率和EMI；參數(shù)可配置，如欠壓保護(hù)閾值調(diào)整適配CoolSiC?、軟關(guān)斷電流多級可調(diào)、溫度監(jiān)控與保護(hù)等等。

通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有明顯的優(yōu)勢，是高性能高可靠性隔離型驅(qū)動(dòng)的最佳選擇。