超低損耗功率器件IGBT提高電路效率

功率器件在功率轉(zhuǎn)換中發(fā)揮作用。在功率器件中，尤其是IGBT在大功率應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。它的性能與節(jié)能直接相關(guān)，節(jié)能是我們社會(huì)的一個(gè)主要問題。瑞薩電子擴(kuò)大了其 IGBT 產(chǎn)品線，增加了第 8 代 （G8H），這是我們目前的主要產(chǎn)品第 7 代 （G7H） 的進(jìn)一步發(fā)展。在G8H系列中，“薄晶圓”和“小型化”的最新技術(shù)改善了傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的權(quán)衡，實(shí)現(xiàn)了前所未有的超低損耗。在不滿足的情況下，我們還在開發(fā)一種新工藝 G9H，它可以進(jìn)一步降低損耗。

以下是瑞薩特別關(guān)注的應(yīng)用。

我們的目標(biāo)是為能源管理領(lǐng)域做出貢獻(xiàn)，例如可再生能源（風(fēng)力發(fā)電和太陽能發(fā)電）、電網(wǎng)、電力存儲(chǔ)和充電設(shè)備（UPS 和 EV 充電器），以便在未來產(chǎn)生大量需求實(shí)現(xiàn)生態(tài)社會(huì)。

產(chǎn)品形式有晶圓和封裝兩種。阻斷電壓有600V～1250V的產(chǎn)品陣容。另外，針對(duì)大功率風(fēng)力發(fā)電和電網(wǎng)的硅片產(chǎn)品也正在開發(fā)1800V（預(yù)計(jì)即將投產(chǎn)）。我們有可以根據(jù)客戶的發(fā)展進(jìn)行最佳選擇的產(chǎn)品。

除此之外，我們在評(píng)估板上的效率評(píng)估結(jié)果，它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路，以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如，下圖顯示了逆變電路中的部分評(píng)估結(jié)果。您可以看到瑞薩 IGBT 的良好性能，包括電路效率、作為產(chǎn)品的功率損耗和工作波形。

瑞薩的 IGBT 以行業(yè)最高水平提供滿足客戶的低損耗和高效率性能！

未來，我們的功率分立產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)將推出 MOSFET、可控硅、晶閘管和熱 FET 等產(chǎn)品系列，作為瑞薩功率器件的介紹系列。超低損耗功率器件。