納微半導(dǎo)體發(fā)布新產(chǎn)品NV6169，功率提升50%，進(jìn)入電動(dòng)汽車，太陽(yáng)能和數(shù)據(jù)中心行業(yè)

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月 [10]日：氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器、下一代游戲電競(jìng)系統(tǒng)、500 W 太陽(yáng)能微型逆變器、1.2 kW 數(shù)據(jù)中心 SMPS 和4 kW電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。納微半導(dǎo)體下一代GaNSense技術(shù)集成了對(duì)系統(tǒng)參數(shù)的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確和快速感應(yīng)，包括電流和溫度的感知，實(shí)現(xiàn)自主保護(hù)，和無(wú)損耗電流感應(yīng)能力，實(shí)現(xiàn)了輕便小巧，快速，更高的功率。

45m?的NV6169 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、輕薄、低電感、8 x 8 mm PQFN 封裝，導(dǎo)通電阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的電力系統(tǒng)。

納微半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官，首席技術(shù)官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 指出：“超過(guò)五千萬(wàn)顆納微氮化鎵功率芯片已交付給包括三星、戴爾、聯(lián)想和小米在內(nèi)的各級(jí)客戶，與 GaN 相關(guān)的終端市場(chǎng)故障報(bào)告為零，GaNSense 技術(shù)能夠?qū)崟r(shí)、準(zhǔn)確地檢測(cè)電壓、電流和溫度，從而進(jìn)一步提高整體系統(tǒng)性能。未受保護(hù)的‘分立’式氮化鎵或硅功率芯片無(wú)法與納微半導(dǎo)體的性能和可靠性相媲美，通過(guò)提供 NV6169，我們將業(yè)務(wù)范圍擴(kuò)展到數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車等高功率應(yīng)用，同時(shí)憑借前所未有的20 年有限質(zhì)保承諾，以加速氮化鎵在性能要求更高的系統(tǒng)中的采用”。

NV6169 是最先進(jìn)的納微第三代氮化鎵平臺(tái)中額定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 功率芯片具有行業(yè)首創(chuàng)，無(wú)損電流感應(yīng)和最快的短路保護(hù)，實(shí)現(xiàn)“檢測(cè)到保護(hù)”的速度僅為 30ns，比分立解決方案快 6 倍。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，與IGBT 相比，氮化鎵功率芯片可節(jié)省高達(dá) 40% 的能源，消除 30 個(gè)外部組件，并將系統(tǒng)效率提高 8%。

與競(jìng)爭(zhēng)解決方案不同，NV6169 額定工作電壓為 650V，額定峰值額定電壓為 800V，可在瞬態(tài)事件期間穩(wěn)定工作。作為真正的集成功率芯片，GaN 柵極受到全面保護(hù)，整個(gè)器件的額定靜電放電 (ESD) 規(guī)格為業(yè)界領(lǐng)先的 2 kV。

NV6169 可在簽訂 NDA后立即提供給客戶，批量生產(chǎn)的交貨時(shí)間目前為 6 至 16 周。設(shè)計(jì)人員可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix)、3D 封裝模型 (STP) 和應(yīng)用說(shuō)明 (AN-0016) 來(lái)優(yōu)化下一代系統(tǒng)。