Qorvo推出新一代1200V碳化硅場效應(yīng)晶體管（FET）系列

2022年5月11日 –移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)常見于電動(dòng)車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽能逆變器、焊機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱應(yīng)用。

UnitedSiC（即Qorvo）功率器件總工程師Anup Bhalla稱：“性能較高的第四代產(chǎn)品擴(kuò)充了我們的1200V產(chǎn)品系列，讓我們能更好地服務(wù)于將總線設(shè)計(jì)電壓提高到800V的工程師。在電動(dòng)車中，這種電壓升高不可避免，而這些新器件有四個(gè)不同RDS（on）等級，有助于設(shè)計(jì)師們?yōu)槊總€(gè)設(shè)計(jì)選擇最適合的SiC產(chǎn)品。” 新UF4C/SC系列的亮點(diǎn)就在于下表中出色的SiC FET性能表征：

所有RDS（on）產(chǎn)品（23、30、53和70毫歐）都采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4引腳開爾文源極TO-247封裝，在較高的性能等級下提供更清潔的開關(guān)。53和70毫歐器件還采用TO-247 3引腳封裝。該系列零件在控制得當(dāng)?shù)臒嵝阅芑A(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了出色的可靠性，這種熱性能是先進(jìn)的銀燒結(jié)晶粒連接方式和先進(jìn)的晶圓減薄工藝帶來的結(jié)果。

FET-Jet CalculatorTM是一種免費(fèi)的在線設(shè)計(jì)工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即評估各種交直流和隔離/非隔離直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲兴闷骷哪苄?、組件損耗和結(jié)溫上升。它可以在用戶指定的散熱條件下比較單個(gè)器件和并聯(lián)的器件，從而得到最優(yōu)解決方案。

新1200V第四代SiC FET的定價(jià)（1000件起，F(xiàn)OBUSA）從$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授權(quán)經(jīng)銷商銷售。

Qorvo的碳化硅和功率管理產(chǎn)品可以為多種工業(yè)、商業(yè)和消費(fèi)品應(yīng)用提供充電、供電和控制功能。