基于RM6604NDL+RM3405SH的氮化鎵功率集成快充方案

高效率、低成本

30W A+C雙口

氮化鎵 功率集成快充方案

RM6604NDL+RM3405SH

隨著蘋果將快充功率推高到27W，30W PD快充已成為下一個風(fēng)口;同時伴隨著用戶各種智能設(shè)備的增加，單口充電器已無法滿足多設(shè)備同時充電的需求，故而具備多口輸出的小體積快速充電器逐漸成為用戶新的追求。至于如何才能將快充體積做的更小，發(fā)熱控制的更低，并且成本控制的更為優(yōu)異？這就需要我們芯片原廠從芯片設(shè)計的源頭來滿足。

為了解決這些難題，滿足用戶需求，亞成微推出了30W A+C雙口氮化鎵（GaN）功率集成快充方案，該方案基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+ 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合，通過高度集成的芯片設(shè)計以及巧妙的結(jié)構(gòu)組合，實現(xiàn)了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局，具有高效率、小體積、低成本等特點，可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

氮化鎵功率集成電源芯片 - RM6604NDL

高性能同步整流芯片 - RM3405SH

1.DEMO結(jié)構(gòu)展示

2.方案芯片介紹

氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

支持 CCM/QR 混合模式

內(nèi)置 650V GaN HEMT，內(nèi)置 700V 高壓啟動

特有抖頻技術(shù)改善 EMI；Burst Mode 去噪音

低啟動電流（2uA）和低工作電流

集成斜坡補(bǔ)償

集成輸入 Brown out/in 功能

外置 OVP 保護(hù)

具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS 短路保護(hù)

內(nèi)置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護(hù)

采用DFN5*6封裝

1高性能同步整流控制芯片RM3405SH

支持DCM、準(zhǔn)諧振、CrCM和CCM模式

輸出電壓直接供給VCC

低靜態(tài)電流

CCM操作的快速驅(qū)動程序功能

適用PSR和SSR電源管理芯片

工作頻率200KHz

寬VDD工作電壓

驅(qū)動抗干擾功能

具有驅(qū)動欠壓保護(hù)和過壓鉗位功能

采用SOP8 封裝

3.方案原理圖

4.效率&待機(jī)功耗測試

效率測試

待機(jī)功耗

5.紋波測試

空載紋波

重載紋波

6.溫升測試（25°恒溫下持續(xù)1小時測試）

輸入電壓 90V

輸入電壓 264V

7.傳導(dǎo)測試

230V輸入

20V/1.5A（L）測試結(jié)果

230V輸入

20V/1.5A（N）測試結(jié)果

原文標(biāo)題：高效率、低成本｜30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

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審核編輯：湯梓紅