一文詳解MOSFET和BJT的區(qū)別

當(dāng)今最常見的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面，BJT是雙極結(jié)型晶體管。

1.MOSFET和BJT的應(yīng)用

MOSFET和BJT都適合用作電子開關(guān)。它們都可用作繼電器驅(qū)動(dòng)器、信號(hào)逆變器、電源開關(guān)等等。 兩者在信號(hào)放大器中也很有名。但是，與MOSFET相比，BJT電路要求和分析更容易，MOSFET被廣泛用作開關(guān)。 一些MOSFET應(yīng)用像如何使用MOSFET作為電池反向保護(hù)或者如何用MOSFET驅(qū)動(dòng)繼電器。

2. MOSFET和BJT的結(jié)構(gòu)比較

在結(jié)構(gòu)方面，MOSFET和BJT比較有很大不同。 MOSFET是耗盡型或增強(qiáng)型。增強(qiáng)型是最主要的。 MOSFET也是N溝道 (NMOS) 或P溝道 (PMOS)。這與主要的電荷載流子有關(guān)。NMOS通常用作低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，而PMOS通常用于高側(cè)驅(qū)動(dòng)。 MOSFET是一種三端半導(dǎo)體器件。它具有柵極 (G)、漏極 (D) 和源極 (S)。以下是 MOSFET 的電路符號(hào)。

就主要電荷載流子而言，BJT是NPN或PNP。NPN在低側(cè)驅(qū)動(dòng)中很常見，而PNP主要是高側(cè)驅(qū)動(dòng)。BJT與MOSFET一樣具有三個(gè)端子。它具有基極 (B)、集電極 (C) 和發(fā)射極 (E)。以下是 NPN（左）和 PNP（右）版本的電子符號(hào)。

審核編輯：湯梓紅