有新聞報道,日本將和美國合作,最早于2025年在日本啟動2nm制程國內(nèi)制造基地。
同時,臺積電預(yù)計將在2024年年底和2025年進行2nm制程的風(fēng)險試產(chǎn),同時還透露,通過在中國臺灣、中國大陸和日本建設(shè)新晶圓廠或擴產(chǎn),預(yù)計到2025年,臺積電的成熟制程的產(chǎn)能將擴大約50%。三星電子則同樣計劃在2025年實現(xiàn)2nm的量產(chǎn)。
臺積電表示相較于其N3E(3nm的低成本版)工藝,在相同功耗下,臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下,臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%;晶體管密度僅提升了10%。
三星的計劃,3nm GAA工藝預(yù)計會在6月份就試驗性量產(chǎn),相比5nm工藝,該工藝的性能提升15%,功耗降低30%,芯片面積減少35%。
文章綜合芯東西、芯智訊、驅(qū)動之家
編輯:黃飛
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