IBM的2nm工藝的納米片為3層堆棧,高度75nm,寬度40nm,柵極長12nm,納米片高度5nm。2nm工藝在同樣的電力消耗下,其性能比當前7nm高出45%,輸出同樣性能則減少75%的功耗。與7nm芯片還有哪些方面的不同。
1、IBM的2nm芯片,所有關鍵功能都是使用EUV光刻機進行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產(chǎn)的中間和后端環(huán)節(jié)使用EUV光刻機,意味著2nm工藝對EUV光刻機擁有更高的依賴性。
2、2nm芯片相比7nm芯片,性能提升45%,能耗減少75%。手機續(xù)航時間增強至以前的四倍。
3、2nm芯片還可使手機電池壽命增加三倍,大大減少碳排放量。
4、2nm可促進智能化產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)更加快速的發(fā)展,除用于手機上還可用在邊緣計算和通信領域。
綜合數(shù)碼密探整合
審核編輯:郭婷
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