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Device Studio應(yīng)用實(shí)例之RESCU應(yīng)用實(shí)例

鴻之微 ? 來(lái)源:鴻之微 ? 作者:鴻之微 ? 2022-07-25 15:06 ? 次閱讀

Device Studio(簡(jiǎn)稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與仿真;能夠進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)和納米器件的建模;能夠生成科研計(jì)算軟件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的輸入文件并進(jìn)行存儲(chǔ)和管理;可以根據(jù)用戶需求,將輸入文件傳遞給遠(yuǎn)程或本地的計(jì)算機(jī)進(jìn)行計(jì)算,并控制計(jì)算流程;可以將計(jì)算結(jié)果進(jìn)行可視化顯示和分析。

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實(shí)例之RESCU應(yīng)用實(shí)例上半部分的內(nèi)容,本期將介紹Device Studio應(yīng)用實(shí)例之RESCU應(yīng)用實(shí)例下半部分的內(nèi)容。

8.4.5.RESCU計(jì)算

8.4.5.1.RESCU自洽計(jì)算

在做自洽計(jì)算之前,用戶可根據(jù)計(jì)算需要打開(kāi)scf.input文件并查看文件中的參數(shù)設(shè)置是否合理,若不合理,則可選擇直接在文件中進(jìn)行編輯或重新生成,最后再進(jìn)行自洽計(jì)算。選中scf.input→ 右擊 →Open with即可查看到晶體Ni自洽計(jì)算輸入文件如下所示:

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在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中scf.input→ 右擊 →Run,彈出Run界面如圖8.4-7(圖8.4-7: Run界面)所示,點(diǎn)擊界面中的Run按鈕則可進(jìn)行晶體Ni的自洽計(jì)算。在計(jì)算過(guò)程中,用戶可在Job Manager區(qū)域觀察晶體Ni自洽計(jì)算的計(jì)算狀態(tài),當(dāng)計(jì)算任務(wù)處于排隊(duì)中、計(jì)算中和計(jì)算完成時(shí),Status分別為Queued、Running、Finished。計(jì)算完成后可看到Device Studio的Project Explorer區(qū)域看到日志文件resculog.out。選中resculog.out→ 右擊 →Open Containing Folder則找到resculog.out文件在本地電腦中的存儲(chǔ)位置,其中results文件夾則含有晶體Ni自洽計(jì)算完成后的結(jié)果文件Ni_scf.h5、Ni_scf.mat和Density.txt。

備注

對(duì)于RESCU計(jì)算,選中其在Device Studio的Project Explorer區(qū)域任何一個(gè)輸入文件 → 右擊 →Open Containing Folder均可找到該輸入文件在本地電腦中的存儲(chǔ)位置,若計(jì)算完成,可在與輸入文件同一目錄下找到results文件,results文件中存儲(chǔ)著計(jì)算結(jié)果。

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圖8.4-7: Run界面

8.4.5.2.RESCU能帶計(jì)算

能帶計(jì)算需調(diào)用自洽計(jì)算結(jié)果,故需先做自洽計(jì)算,再做能帶計(jì)算。本算例已經(jīng)做過(guò)自洽計(jì)算,則不需要再做自洽計(jì)算,直接調(diào)用自洽計(jì)算結(jié)果做能帶計(jì)算即可。選中Bandstructure.input→ 右擊 →Open with即可查看到晶體Ni能帶計(jì)算輸入文件如下所示:

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在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中Bandstructure.input→ 右擊 →Run,彈出Run界面如圖8.4-7(圖8.4-7: Run界面)所示,點(diǎn)擊界面中的Run按鈕則可進(jìn)行晶體Ni的能帶計(jì)算。計(jì)算完成后則可在results文件夾中看到晶體Ni能帶計(jì)算完成后的結(jié)果文件Ni_bs.h5、Ni_bs.mat和BandStructure.txt。

8.4.5.3.RESCU態(tài)密度計(jì)算

態(tài)密度計(jì)算需調(diào)用自洽計(jì)算結(jié)果,故需先做自洽計(jì)算,再做態(tài)密度計(jì)算。本算例已經(jīng)做過(guò)自洽計(jì)算,則不需要再做自洽計(jì)算,直接調(diào)用自洽計(jì)算結(jié)果做態(tài)密度計(jì)算即可。選中DensityOfStates.input→ 右擊 →Open with即可查看到晶體Ni態(tài)密度計(jì)算輸入文件如下所示:

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在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中DensityOfStates.input→ 右擊 →Run,彈出Run界面,點(diǎn)擊界面中的Run按鈕則可進(jìn)行晶體Ni的態(tài)密度計(jì)算。計(jì)算完成后則可在results文件夾中看到晶體Ni態(tài)密度計(jì)算完成后的結(jié)果文件Ni_dos.h5、Ni_dos.mat和DensityOfStates.txt。

8.4.6.RESCU計(jì)算結(jié)果的可視化分析

選中resculog.out→ 右擊 →Open Containing Folder則找到resculog.out文件在本地電腦中的存儲(chǔ)位置,在同一目錄下找到計(jì)算結(jié)果文件夾results,該文件夾下含有晶體Ni的自洽、能帶和態(tài)密度計(jì)算的結(jié)果文件。

在如圖8.4-2所示界面(即:Device Studio圖形界面)中選中Simulator→RESCU→Analysis Plot,彈出導(dǎo)入計(jì)算結(jié)果文件的圖形界面如圖8.4-8所示,在該界面中選中能帶計(jì)算結(jié)果文件Bandstructure.txt,點(diǎn)擊打開(kāi)按鈕即可彈出能帶的可視化分析界面如圖8.4-9所示。用戶可根據(jù)需要調(diào)節(jié)坐標(biāo)軸的取值范圍,通過(guò)點(diǎn)擊界面中的Spin Type的下拉按鈕選擇只顯示Spin Up或Spin Down,或Spin Up和Spin Down都顯示。用戶可通過(guò)滾動(dòng)鼠標(biāo)中鍵將可視化分析結(jié)果放大或縮小;可根據(jù)需要編輯坐標(biāo)軸標(biāo)注和標(biāo)題,選擇字體的大小和類型。選中如圖8.4-9所示界面中Export快捷圖標(biāo),彈出導(dǎo)出可視化分析結(jié)果的圖形界面,用戶可根據(jù)需要選擇圖片的保存路徑和保存格式,并給所保存的圖片命名。

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圖8.4-8: RESCU導(dǎo)入計(jì)算結(jié)果文件的圖形界面

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圖8.4-9: RESCU能帶的可視化分析界面

在如圖8.4-2所示界面(即:Device Studio圖形界面)中選中Simulator→RESCU→Analysis Plot,彈出導(dǎo)入計(jì)算結(jié)果文件的圖形界面如圖8.4-8所示,在該界面中選中能帶計(jì)算結(jié)果文件DensityOfStates.txt,點(diǎn)擊打開(kāi)按鈕即可彈出態(tài)密度的可視化分析界面如圖8.4-10所示。

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圖8.4-10: RESCU態(tài)密度的可視化分析界面

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程|Device Studio應(yīng)用實(shí)例06(RESCU)

文章出處:【微信號(hào):hzwtech,微信公眾號(hào):鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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