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功率MOSFET帶負(fù)載功率能力的評(píng)估

硬件那點(diǎn)事兒 ? 來源:硬件那點(diǎn)事兒 ? 作者:硬件那點(diǎn)事兒 ? 2022-07-26 17:43 ? 次閱讀

一般來說MOS管規(guī)格書中會(huì)給出功耗額定值。然而,這一般是在 25℃時(shí)的參數(shù)。實(shí)際應(yīng)用中MOS管通常具有較高的溫度,對(duì)于功率MOS而言,其溫度可以輕松達(dá)到 100℃。

pYYBAGLft1KAbKICAACdEQS73Js095.jpg?w=900&la=en&imgver=1

無散熱片的MOS功率能力:

Pcapability = (Tjmax – Tamb) / Rthja

帶散熱器的MOS功率電源能力:

Pcapability = (Tjmax – Tcase) / (Rthjc + Rthchs + Rthhsa)

其中:

Tjmax – 規(guī)格書中規(guī)定的MOS最大結(jié)溫

Tamb – 工作環(huán)境溫度

Rthja – 結(jié)到環(huán)境的熱阻

Tcase – MOSFET的外殼溫度

Rthjc – 結(jié)到外殼的熱阻

Rthchs – 外殼到散熱器的熱阻

熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù),熱阻越大,散熱越差,對(duì)于器件而言,如果沒加散熱器,一般只考慮結(jié)到空氣的熱阻,如果加了散熱器,則需考慮結(jié)到外殼,以及外殼到空氣的熱阻。

MOSFET-on-resistance-versus-temperature.png



審核編輯:湯梓紅

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