應(yīng)用在光伏逆變器中的IGBT晶圓

光伏逆變器（PV inverter或solar inverter）可以將光伏（PV）太陽(yáng)能板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率交流電（AC）的逆變器，可以反饋回商用輸電系統(tǒng)，或是供離網(wǎng)的電網(wǎng)使用。光伏逆變器是光伏陣列系統(tǒng)中重要的系統(tǒng)平衡（BOS）之一，可以配合一般交流供電的設(shè)備使用。

光伏逆變器

光伏逆變器會(huì)用最大功率點(diǎn)追蹤（MPPT）的技術(shù)來(lái)從太陽(yáng)能板抽取最大可能的功率。太陽(yáng)能電池的太陽(yáng)輻照度、溫度及總電阻之間有復(fù)雜的關(guān)系，因此輸出效率會(huì)有非線性的變化，稱為電流-電壓曲線（I-V curve）。最大功率點(diǎn)追蹤的目的就是在各環(huán)境下，針對(duì)太陽(yáng)能模組的輸出取様，產(chǎn)生一個(gè)（太陽(yáng)能模組的）負(fù)載電阻來(lái)獲得最大的功率。

太陽(yáng)能電池的形狀因子（Fill factor，簡(jiǎn)稱FF）配合其開路電壓（Voc）及短路電流（Isc）會(huì)決定太陽(yáng)能電池的最大功率。形狀因子定義為太陽(yáng)能電池的最大功率除以Voc和Isc乘積后的比值。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?俗稱電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),被譽(yù)為綠色能源的“核芯”。

IGBT晶圓片經(jīng)歷了一系列的迭代過(guò)程從PT技術(shù)向NPT技術(shù)，再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí)，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引入；持續(xù)降低了Vce，并提高了功率密度；通過(guò)表面金屬及鈍化層優(yōu)化，可滿足車用的高可靠性要求。

FS相對(duì)于NPT而言，背面增加了N型注入、硅片更薄，硅片在加工過(guò)程中的碎片率上升。更薄的N-區(qū)電阻小，使VCESAT更低；更薄N-層導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)的過(guò)剩載流子總量少，使關(guān)斷時(shí)間及關(guān)斷損耗減少。

IGBT晶圓 - P81MV023NL0014P

由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - P81MV023NL0014P是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。

目前國(guó)內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流。

臺(tái)灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進(jìn)入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領(lǐng)域，并受到客戶的青睞，ISWEEK工采網(wǎng)擁有一整套完整的解決方案，歡迎致電咨詢。

審核編輯 黃昊宇