0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

李鑫 ? 來源:hzp_bbs ? 作者:hzp_bbs ? 2022-08-03 15:50 ? 次閱讀

正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司,創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”,將于2021年12月在中國(guó)成立,正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技有限公司(正海半導(dǎo)體)持股80%,羅姆持股20%。新公司將合作開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售使用碳化硅(SiC)功率器件的功率模塊,旨在發(fā)展可用于牽引逆變器和其他新能源汽車的功率模塊業(yè)務(wù)。應(yīng)用程序。

“新公司將設(shè)計(jì)、量產(chǎn)和銷售使用 ROHM 的 SiC 半導(dǎo)體的功率模塊?!?在接受《電力電子報(bào)》采訪時(shí),羅姆半導(dǎo)體美國(guó)公司高級(jí)銷售總監(jiān) Travis Moench 表示:“該公司希望生產(chǎn)適用于牽引逆變器的功率模塊,重點(diǎn)關(guān)注中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)?!?/p>

他補(bǔ)充說:“羅姆通過芯片供應(yīng)以及碳化硅功率器件的采用和更廣泛的應(yīng)用,具有擴(kuò)大銷售的巨大前景?!?HAIMOSIC 的高效 SiC 功率模塊將在推動(dòng) SiC 功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用方面發(fā)揮關(guān)鍵作用,新能源汽車正在獲得牽引力。

通過碳化硅功率模塊的開發(fā)和廣泛應(yīng)用,正海集團(tuán)和羅姆將與這家新公司密切合作,為進(jìn)一步的技術(shù)進(jìn)步做出貢獻(xiàn)。

碳化硅的下一步是什么

電動(dòng)汽車 (EV)、電源電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件是使用碳化硅 (SiC) 制成的,碳化硅是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅基功率器件(如IGBTMOSFET)相比,碳化硅具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì),這些器件因其成本效益和易于制造而長(zhǎng)期主導(dǎo)該行業(yè)。

ROHM表示,各個(gè)市場(chǎng)對(duì)SiC功率器件寄予厚望?!拔覀冋J(rèn)為,提供滿足市場(chǎng)和客戶需求的穩(wěn)定產(chǎn)品供應(yīng)非常重要。除了通過設(shè)備為節(jié)能做出貢獻(xiàn)之外,提出包含外圍組件的解決方案也很重要,例如驅(qū)動(dòng)設(shè)備的控制 IC柵極驅(qū)動(dòng)器)和功率分立設(shè)備。ROHM 還為這些組件提供廣泛的設(shè)計(jì)支持。除了提供評(píng)估和模擬工具外,我們還在加快與用戶的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室(Power Labs)的開發(fā),”Moench 說。

pYYBAGHEGyuAR2n7AACiOHclBjc605.jpg

羅姆半導(dǎo)體美國(guó)高級(jí)銷售總監(jiān) Travis Moench

目標(biāo)是開發(fā)具有最佳性能成本比的下一代 SiC 器件。由于 IGBT 的體積和競(jìng)爭(zhēng)力,仍然需要優(yōu)化成本,優(yōu)化晶圓制造階段以適應(yīng)不斷增加的產(chǎn)量至關(guān)重要。兩個(gè)最重要的障礙是時(shí)間和原始碳化硅晶片的質(zhì)量,它們經(jīng)常包含降低產(chǎn)量的晶體結(jié)構(gòu)缺陷。它直接影響小工具的成本,而定價(jià)始終是采用任何新技術(shù)的主要因素。

“在過去的 10-20 年里,碳化硅的主要挑戰(zhàn)已經(jīng)從性能(表現(xiàn)出明顯優(yōu)于硅器件的優(yōu)勢(shì))到可靠性(通過工業(yè)和汽車認(rèn)證,識(shí)別和減輕特殊故障模式),再到成本(從服務(wù)一個(gè)利基市場(chǎng),以實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用的成本效益)。目前,成本是許多可能采用 SiC 來提高系統(tǒng)性能和功率密度的潛在應(yīng)用的主要障礙。但這種情況每年都在變好,尤其是在 SiC 已被證明可以為 EV 電源轉(zhuǎn)換器(車載充電器和牽引逆變器)提供巨大系統(tǒng)價(jià)值之后。隨著全球市場(chǎng)需求的快速增長(zhǎng),通過更大的晶圓直徑和其他供應(yīng)鏈優(yōu)勢(shì),SiC 器件的生產(chǎn)效率得到了極大的提高。

由于與常用的硅相比,它們具有多種吸引人的品質(zhì),因此碳化硅 (SiC) 器件正迅速用于具有嚴(yán)格尺寸、重量和效率要求 (Si) 的高壓功率轉(zhuǎn)換器中。通態(tài)電阻和開關(guān)損耗顯著降低,而碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的近 3 倍,使組件能夠更快地散熱。這很重要,因?yàn)殡S著基于硅的器件尺寸縮小,提取電轉(zhuǎn)換過程產(chǎn)生的熱量變得更加困難,而碳化硅更有效地散熱。

與傳統(tǒng)的硅基器件相比,碳化硅在汽車應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì),包括更高的功率密度、更高的系統(tǒng)效率、范圍擴(kuò)展、更便宜的系統(tǒng)成本和長(zhǎng)期可靠性。

電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源管理系統(tǒng)的效率與其發(fā)動(dòng)機(jī)和能源管理系統(tǒng)的效率成正比。此外,關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施,例如能夠提供數(shù)百千瓦功率的固態(tài)快速充電系統(tǒng),必須遵守嚴(yán)格的尺寸和效率限制。

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26637

    瀏覽量

    212583
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    29

    文章

    2691

    瀏覽量

    62286
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2657

    瀏覽量

    48706
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了款專為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?415次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?296次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

    MOS碳化硅
    瑞森半導(dǎo)體
    發(fā)布于 :2024年04月19日 13:59:52

    碳化硅芯片設(shè)計(jì):創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

    隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為種新型的半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié),本文將對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?1022次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片設(shè)計(jì):<b class='flag-5'>創(chuàng)新</b>引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案布局加速!廣汽等4企業(yè)采用

    2024年以來,包括廣汽集團(tuán)等4企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-29 16:53 ?3172次閱讀
    基于<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)的汽車充電方案布局加速!廣汽等4<b class='flag-5'>家</b>企業(yè)采用

    碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅(SiC)是種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?733次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡(jiǎn)介

    碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)是種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2626次閱讀

    碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC),又名碳化硅,是種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1593次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅,又稱SiC,是種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:49 ?1556次閱讀

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1515次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件介紹與仿真

    碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

    中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
    發(fā)表于 10-27 12:45 ?4263次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的生產(chǎn)流程,<b class='flag-5'>碳化硅</b>有哪些優(yōu)劣勢(shì)?

    國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流
    發(fā)表于 10-27 09:35 ?1904次閱讀

    GeneSiC的起源和碳化硅的未來

    公司, GeneSiC 為政府機(jī)構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?, 重點(diǎn)關(guān)注性能和穩(wěn)健性, 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù),額定值高達(dá) 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片
    的頭像 發(fā)表于 10-25 16:32 ?1651次閱讀
    GeneSiC的起源和<b class='flag-5'>碳化硅</b>的未來