為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢?
描述MOS管性能時(shí),可以用下面的公式進(jìn)行等效。
首先,這個(gè)公式成立是有很多前提的,比如說,管子工作在飽和區(qū),而且忽略溝道調(diào)制效應(yīng)等等。
但其實(shí),現(xiàn)代的MOS管模型是很復(fù)雜的,工藝越來越先進(jìn),溝道長度越來越短,因此并不能簡單地用上述公式來表征。
而且,退一步講,即使能用上述公式來表征,也會(huì)碰到問題。
假設(shè)知道了Id,Vgs-vth,但發(fā)現(xiàn),廠家給的工藝文件里,并沒有直接給出un和Cox的值,還是沒有辦法計(jì)算出管子的W和L值。
那怎么辦呢?
難道只能依靠軟件,不斷地試錯(cuò)么?答案當(dāng)然不是啦,可以用gmid設(shè)計(jì)方法。
這種方法,能讓我們從指標(biāo)出發(fā),得出管子的尺寸以及相關(guān)變量,然后據(jù)此去設(shè)計(jì)放大器或者其他芯片,最后驗(yàn)證是否有達(dá)到指標(biāo)要求。
最理想的情況是,經(jīng)過一次循環(huán),就能使得設(shè)計(jì)出來的放大器指標(biāo)與要求指標(biāo)類似。
什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢?
gmid設(shè)計(jì)時(shí),不是采用復(fù)雜的MOS管的等效模型公式,而是采用查表的方法,來進(jìn)行設(shè)計(jì)。
通過廠家的提供的SPICE模型,繪制出MOS管的gmid曲線,然后根據(jù)這些曲線,來得到設(shè)計(jì)所需的W和L的值。
gmid包含哪些曲線呢?
(1)gm/Id以及ft與Vov的關(guān)系,其中Vov=Vgs-Vth
可以看到,當(dāng)Vov較小時(shí),gm/Id比較大,但是特征頻率比較?。划?dāng)Vov較大時(shí),gm/Id比較小,但是特征頻率比較大。
也就是說,如果追求的是管子的速度,就可以選擇大一點(diǎn)的Vov,但是如果追求的是低功耗高增益的話,則可以選擇小一點(diǎn)的Vov。
(2)gm/Id*ft與Vov之間的關(guān)系
可以看到,當(dāng)Vov處于中間區(qū)間的時(shí)候,gm/Id和fT的乘積處于一個(gè)峰值,且變化相對(duì)較小。所以,當(dāng)把Vov選擇在這個(gè)區(qū)間時(shí),gm/Id和fT都處在一個(gè)折中的位置。
需要注意到的是,Vov和gm/Id兩者不是孤立的,是有等價(jià)關(guān)系的。
當(dāng)MOS管處于飽和狀態(tài),且忽略溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí),gm有如下公式:
所以
雖然當(dāng)MOS管工作在不同區(qū)域時(shí),這個(gè)等式不是完全成立,但也是近似成立。
所以,gm/Id和Vov是兩個(gè)等效的參量,可以互為表征。
(3) fT與gm/Id之間的關(guān)系曲線
因?yàn)閃主要影響管子的電流,而對(duì)其他參數(shù)影響不大;VDS也是如此。因此將W和VDS設(shè)置為固定值。
fT與gm/Id之間的關(guān)系曲線,就是將W和VDS固定,然后掃描VGS以及溝道長度獲得的。
(4)本征增益(gmr0)與gm/Id之間的關(guān)系
本征增益與gm/Id之間的關(guān)系曲線,也是將W和VDS固定,然后掃描VGS以及溝道長度獲得的。
(5)電流密度Id/W與gm/Id之間的關(guān)系
電流密度Id/W與gm/Id之間的關(guān)系曲線,也是將W和VDS固定,然后掃描VGS以及溝道長度獲得的。
gmid設(shè)計(jì)方法的實(shí)施步驟是怎么樣的呢?
step1: 確定放大器的gm;
step2:選擇一個(gè)合適的溝道長度L,如果要求管子速度快,則選擇短的溝道長度;如果要求增益高,則選擇長一點(diǎn)的溝道長度
step3:選擇MOS管的gm/Id
(a) MOS管在電路中通常扮演兩種角色,即放大器和電流源。
在作為放大器時(shí),gm大,對(duì)應(yīng)噪聲??;
在作為電流源時(shí),gm小,對(duì)應(yīng)噪聲小。
所以,如果是用作電流源,則選擇小一點(diǎn)的gm/Id;如果是用作放大器,則選擇大一點(diǎn)的 gm/Id,這樣能保證噪聲最優(yōu)化。
在同一個(gè)電路中,作為電流源的MOS管的gm/Id值,會(huì)選擇的比作為放大器的MOS管 的gm/Id小。
(b)大的gm/Id,一般功耗比較低;小的gm/Id,一般輸出擺幅會(huì)比較大
step4: 由 gm/Id決定電流值
step1中已經(jīng)確定了gm, step3中確定了gm/Id,因此可以得到Id的值
step5: 由 gm/Id和Id/W的關(guān)系曲線,可以查詢到符合step4所需的Id/W的值,進(jìn)而可以計(jì)算出管子所需要的寬度。
怎么獲得相關(guān)的gmid曲線呢?
用Cadence Virtuoso獲得相關(guān)的曲線,見下圖步驟
所得的曲線為:
審核編輯:劉清
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
108文章
2347瀏覽量
66218 -
PSPICE
+關(guān)注
關(guān)注
18文章
225瀏覽量
71627 -
VDS
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
45瀏覽量
10693
原文標(biāo)題:一種能讓你提高芯片設(shè)計(jì)效率的方法
文章出處:【微信號(hào):加油射頻工程師,微信公眾號(hào):加油射頻工程師】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論