高性能單層二硫化鉬晶體管的實現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力,二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限(< 1 nm),同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限(也就是晶體管溝道長度的縮放極限)。我們知道目前的工藝節(jié)點已經(jīng)發(fā)展到5 nm以下,工藝節(jié)點名稱的含義早就不再是實際的柵極或者半節(jié)距(half-pitch)長度,更多的應(yīng)該理解在延續(xù)摩爾定律下的一個工藝代稱,實際制備的晶體管的溝道長度是大于節(jié)點名稱的,且基于當(dāng)前的EUV以及硅基工藝體系,實際溝道長度的縮小越來越難。與傳統(tǒng)硅基工藝相比,目前二維半導(dǎo)體晶體管的制備大多采用EBL(電子束光刻)工藝,它可以實現(xiàn)更小尺寸溝道器件的制備,可以制備的二維半導(dǎo)體晶體管的實際溝道尺寸達到10 nm以下,這和EBL工藝本身的分辨率強相關(guān),然而單單通過EBL工藝本身帶來的溝道尺寸縮小也已經(jīng)發(fā)展到了極限。在當(dāng)前技術(shù)體系下硅基晶體管的實際溝道長度不能低于5 nm,而二維半導(dǎo)體材料則沒有這一限制,因此如何實現(xiàn)更小溝道尺寸的二維半導(dǎo)體材料晶體管以及其性能的探索一直是一個熱點科研問題,今天要講解的兩篇文章分別發(fā)表在Science和Nature上,文章中分別用碳納米管和石墨烯作為柵電極,實現(xiàn)了1 nm以及< 1 nm溝道長度的二硫化鉬晶體管,這也是當(dāng)時二維半導(dǎo)體晶體管實際溝道長度的極限。
文章一:MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths
圖1 Si基和MoS2晶體管源漏隧穿電流(MoS2明顯優(yōu)于Si基)
圖2 器件結(jié)構(gòu)以及表征測試
圖3 器件的電學(xué)性能測試及TCAD仿真
圖4 MoS2薄膜厚度對器件性能影響
文章2:Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths
圖1 0.34 nm溝道長度側(cè)壁晶體管和其他晶體管結(jié)構(gòu)對比
圖2 0.34 nm溝道長度側(cè)壁晶體管結(jié)構(gòu)與表征
圖3 0.34 nm溝道長度側(cè)壁晶體管的電學(xué)性能
圖4 TCAD仿真結(jié)構(gòu)及性能對比
這兩篇文章中,作者關(guān)于器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計都有著自己獨特的巧思,想到是一個層次,真正實現(xiàn)又是另一個層次,不管是工藝制備的實現(xiàn)以及后續(xù)對于器件的TCAD仿真結(jié)果的實現(xiàn)都需要很多的知識積累。從這兩篇文章可以看到二硫化鉬晶體管在1 nm甚至1 nm溝道尺寸之下仍有著相當(dāng)好的性能表現(xiàn),它們可以說是二維材料發(fā)展路上的兩盞明燈,指引我們繼續(xù)二維的探索。
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原文標(biāo)題:二維半導(dǎo)體材料晶體管溝道長度的極限在哪?
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