關于CSEc安全引導和順序引導模式的問題

1. 4kB EERAM上的CSEc密鑰和用戶數據

使用S32K148，將啟用CSE模塊進行安全引導。根據應用說明（“使用S32K148 FlexNVM存儲器”，AN12003，版本0，2017年7月），在第3.3節(jié)中，64 kB的FlexNVM用作閃存（EEPROM備份和密鑰存儲在一起），CSEc使用最多512字節(jié)的密鑰存儲，剩下的3.5 kB EERAM用于EEPROM和啟用CSEc。在這種用法中，用戶數據是否以某種方式通過覆蓋或刪除注冊密鑰而保留。簡而言之，記錄密鑰的512字節(jié)是隨機記錄在EERAM中，還是記錄在特定位置，如4KB FlexRAM的開始/結束位置？

-> 如果分配的CSEc空間為512B，則FlexRAM（EEPROM）中將無法訪問空間0x14000E00-0x14000FFF。對該區(qū)域的任何訪問都會生成總線故障異常。

2. 關于CSEc安全引導和順序引導模式的問題。

測量從復位引腳釋放到高電平的安全啟動時間，不同boot_SIZE和Clock時鐘對于安全啟動時間有所不同。當安全啟動開始啟動時（即CSEc正在計算CMAC），MCU內核保持在復位狀態(tài)，復位引腳也保持在低電平狀態(tài)，直到CMAC計算完成。

3. 實現 SHA256

在S32K1上面的CSEc 模塊支持 AES128 引擎，但不支持 SHA256。但是用戶可以參考如下代碼實現它。

https://github.com/ARMmbed/mbedtls/blob/v2.16.8/library/sha256.c

4. 當在 S32K146中使用 CSEc模塊的時候，程序訪問 CSE_PRAM 空間，在調試模式下它將進入異常中斷。

#define REG_WRITE32(address, value) ((*(volatile uint32*)(address))= (value))

#define CRYPTO_PRAM_HDR_ADDR32 (0x14001000u)

REG_WRITE32(CRYPTO_PRAM_HDR_ADDR32, u32CommandHeader);

上述代碼高亮部分表示寫入 PRAM命令，會導致程序進入異常中斷。

->通過檢查SIM_SDID[FEATURES]寄存器，判斷S32K芯片是否支持 CSEc。為了使能 CSEc 模塊，內存需要分區(qū)用于EEPROM，FTFC寄存器需要編程。

5.CSEC模塊PRAM格式

在應用筆記 AN5401中，有的是通過 PRAM 頁1讀取數據，而有的是通過 PRAM頁2輸出數據，這兩種方法有什么不同的嗎？

-> 參考手冊里面的 CSEc命令

https://www.nxp.com/docs/en/reference-manual/S32K-RM.pdf

這是CMD_GET_ID命令的描述，可以在其中看到使用了哪些頁及其目的是什么：

如下是 AN5401文檔中的參考代碼部分。

6. CSEc不能恢復到工廠模式

通過 CSEC_DRV_DbgChal恢復到工廠模式失敗，返回"STATUS_SEC_KEY_WRITE_PROTECTED"。這里Keys不能被配置為寫保護，否則將不能被擦除。

https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN12130.pdf

7.S32K144閃存分區(qū)問題

使用S32K144EVB-Q100和SDK3.0.0以及S32DS進行ARM調試。當使用OpenSDA工具調試閃存時，可以擦除閃存并完成分區(qū)閃存，但當使用J-Link調試閃存時無法再次擦除閃存和分區(qū)閃存，必須先使用類似J-Flash的工具擦除閃存。如何使用J-Link擦除閃存和分區(qū)閃存。是否有調試配置的任何設置？

->在使用SDK API對FlexNVM進行分區(qū)時，由于啟用了CSEc。

如果啟用CSEc，則無法通過命令“全部擦除”或其他FTFC命令擦除FlexNVM。如果要擦除FlexNVM，唯一的方法是使用CSEc命令將FlexNVM復位為出廠狀態(tài)。有關更多信息，請參閱AN5401。

https://www.nxp.com/webapp/Download?colCode=AN5401

https://www.nxp.com/webapp/Download?colCode=AN5401SW&docLang=en

#include "CSEc_functions.h"

#include "CSEc_macros.h"

#include "CSEc_keys.h"

uint32_t dbg_challenge_out[4] = {0,0,0,0};

int main(void)

{

uint16_t __attribute__((unused)) csec_error = 0; //1 means No Error

csec_error = INIT_RNG(); /* Initialize the Random Number Generator before generating challenge */

//To Erase all keys and reset the part to the factory state

csec_error = DBG_CHAL(dbg_challenge_out); /* Generate the Challenge */

csec_error = DBG_AUTH(dbg_challenge_out); /* Issue the Authorization */

while(1);

/* to avoid the warning message for GHS and IAR: statement is unreachable*/

#if defined (__ghs__)

#pragma ghs nowarning 111

#endif

#if defined (__ICCARM__)

#pragma diag_suppress=Pe111

#endif

return 0;

}

由于 CSEc 模塊所有密鑰都只能 CSEc 模塊管理，這樣才能確保密鑰安全的安全性。雖然密鑰實際存儲區(qū)域是在模擬 EEPROM 中，但由于這段區(qū)域是由 CSEc 管理并且對用戶是不可見的，所以也無法通過直接對 DFlash 編程的方式寫入密鑰。在量產時，可以使用一份專用于寫入密鑰的程序，通過先刷寫這份程序，等寫入密鑰后，再刷寫正式的應用程序即可。需要注意的時，兩份程序需要有一致的 D-Flash 分區(qū)策略。當然也可以通過診斷服務的方式加載密鑰。先脫機計算出密鑰的 M1~M5 值，然后通過診斷服務（如 2Eh服務）將 M1~M3 加載至 CSEc 模塊中，并通過 M4 和 M5 驗證是否加載成功。由于不能通過 M1~M3 值逆推算出密鑰值，所以這種方式也是安全的。由于使能 CSEc 模塊后，只能通過 CSEc 模塊的恢復命令（使用調試器也不行）才能擦除 D-Flash 數據并恢復 D-Flash 至出廠狀態(tài)，所以如果在量產后需要再次擦除 D-Flash，或者重新對 D-Flash 進行分區(qū)等，可以在用戶代碼中加入相關程序，通過觸發(fā)這段程序來使用 CSEc 模塊的命令擦除 D-Flash。CSEc 模塊對 P-Flash的重新編程沒有影響。

7. 為CSEc操作分配密鑰大小后，需要按照AN5401 4.5中列出的步驟將閃存重置為出廠狀態(tài)。此外，還提供了一些連接/擦除/編程到S32K器件的提示。

(https://www.nxp.com/docs/en/application-note/AN12130.pdf )

如果沒有按照正確的步驟在分配密鑰后擦除Flash，器件可能會被鎖定，并且無法解鎖。

如參考手冊所述，分區(qū)操作在整個產品周期中最好只執(zhí)行一次。

可以通過DBG_CHAL 和 DBG_AUTH 銷毀分區(qū)，不用擦除Flash。

當未分配CSEc時，沒有辦法在不擦除所有鍵的情況下刪除分區(qū)？因為只需要擦除數據Flash 以及Flash IFR。但是，一旦數據Flash 已經為EEPROM分區(qū)，FTFC擦除Flash 塊命令就不能擦除數據Flash。

運行DBG_CHAL和DBG_ AUTH命令會擦除所有密鑰，包括BOOT_MAC和BOOT_ MAC_KEY。在沒有這兩個參數的情況下，不會執(zhí)行安全引導過程，因此應用程序可以自由執(zhí)行，并且MCU 不會處于復位狀態(tài)。

DBG_CHAL/DBG_ AUTH即使在嚴格啟動模式處于活動狀態(tài)時也可以工作，假設所有密鑰都沒有寫保護。這不會鎖定 MCU。

成功執(zhí)行DBG_CHAL/DBG_ AUTH后，所有密鑰將被擦除，安全引導處于非活動狀態(tài)?？梢允褂萌魏畏绞剑ù小⒉⑿?、嚴格順序）再次激活安全引導。

注意：對于嚴格順序模式，自動MAC計算是不可能的。在激活嚴格順序引導之前，必須計算并存儲BOOT_MAC。否則將鎖定器件。MAC可通過CSEc本身或PC離線計算。有關更多詳細信息和代碼示例，請參閱 AN5401。

8. 當執(zhí)行FLASH_DRV_DEFlashPartition 函數的時候， FTFx_FSTAT 是FTFx_FSTAT_ACCERR_MASK。

While((FTFC->FSTAT&FTFC_FSTAT_CCIF_MASK)==0U)

FTFC_FSTAT – 異常時，Flash狀態(tài)寄存器是 160, Flash Access Error
Flag 標志是 '1'，但是正常狀態(tài)是 128。Flash已經分區(qū)，有如下原因導致 ACCERR位被置位。

已通過分區(qū)命令啟用CSEc，則此時擦除所有塊命令將無效（它也應返回ACCERR）。是否加載了密鑰并不重要。一旦Flash 分區(qū)，并且密鑰大小不是 0，則需要使用CMD_DBG_CHAL和CMD_ DBG_ AUTH命令來銷毀分區(qū)。為此，需要知道MASTER_ECU_KEY。如果尚未加載MASTER_ECU_KEY，則需要加載，然后可以使用CMD_DBG_CHAL和CMD_ DBG_ AUTH命令，別無選擇。可以檢查SIM模塊中的閃存配置寄存器1（FCFG1），查看器件是否已分區(qū)。

如果Flash已經分區(qū)、CSEc已經使能，FLASH_DRV_EraseAllBlock不能工作。唯一的方案是在了解MASTER_ECU_KEY的情況下使用DBG_CHAL 和 DBG_AUTH 命令恢復。

可以參考如下例子中的 eraseKeys()函數。S32DS.3.4S32DSsoftwareS32SDK_S32K1XX_RTM_4.0.2examplesS32K144driver_examplessystemcsec_keyconfig

在HSRUN模式（112MHz下），CSEc (安全) 或者 EEPROM 擦寫將觸發(fā)錯誤標志。因為在這種情況下不允許同時使用。器件需要切回到 RUN模式(80 Mhz) 來執(zhí)行 CSEc(安全) 或者 EEPROM 寫/擦除。

Flash 內存安全在 CSEc 和non-CSEc 器件上都支持，SIM_SDID[7]表示 CSEc 是否在器件上支持。CSEc 和non CSEc 用戶需要運行 PGMPART 命令來配置 KeySize。針對 non CSEc 用戶，Key Size 必須配置為 0。

整個 EEERAM的空間是減小，為了存儲用戶 Keys的需要。用戶密鑰空間實際上成為EEERAM中的不可尋址空間。針對具有 CSEc或者沒有 CSEc的器件，如果 Key size為0，則CSEc_PRAM訪問是不允許的。Keysize為零時，是普通EEPROM分區(qū)么，直接mass erase就恢復了。通過操作 FLASH_DRV_EraseAllBlockUnsecure函數恢復，或者硬件將Reset引腳短接，然后通過JLINK等外部工具擦除MCU內部的 Flash。

如果S32K146板默認存在分區(qū)，通過判斷(SIM->FCFG1[FEATURE])確定分區(qū)，如果要使用新的分區(qū)操作，需要擦除舊的分區(qū)，如果不擦，在調試CSEc init_rng或者erase all key的時候會進入defaultISR中斷，可以通過上述mass erase方式恢復（keysize為零的情況）。然后重新分區(qū)使能 CSEc模塊，操作初始化隨機數以及加解密，預置秘鑰操作。

程序分區(qū)命令準備FlexNVM塊用作數據閃存、模擬EEPROM備份或兩者的組合，并初始化FlexRAM。程序分區(qū)命令不能從Flash 啟動，因為在程序分區(qū)命令執(zhí)行期間無法訪問Flash 資源。與程序分區(qū)命令的執(zhí)行相關的更改在下次復位后生效。在啟動其他FTFC和CSEc命令之前，預計將為新器件運行程序分區(qū)命令。

注意：雖然FlexNVM可以用不同分區(qū)，但其目的是在給定應用程序的整個生命周期中使用一次分區(qū)選擇。FlexNVM分區(qū)代碼選擇影響器件的耐久性和數據保留特性。中斷程序分區(qū)操作（由于斷電、復位、電源超出指定的操作范圍或任何其他原因）會使分區(qū)代碼處于不確定狀態(tài)。用戶必須采取適當的應對措施，以防止程序分區(qū)操作中斷時數據丟失。

對于未啟用CSEc的部件，Flash KeySize的數量必須配置為2'b00。對于啟用CSEc的器件，Flash密鑰的數量是用戶可配置的，但該空間將假設存在MASTER_ECU_KEY、BOOT_MAC_KEY和BOOT_ MAC（如果啟用了任何密鑰），因此將占用可用20個密鑰槽空間中的3個密鑰槽。這導致在1到17個用戶keys的范圍內留下鍵槽。對于未啟用CSEc的部件，密鑰分配必須設置為零密鑰（2'b00），否則該命令將返回錯誤。

注：對于具有CSEc的器件，一旦分配了Flash密鑰（無論是否初始化），SHE規(guī)范中不帶認證將不能擦除Flash 密鑰的要求將適用。這意味著在擦除數據Flash（所有Flash 密鑰都備份在數據Flash中的模擬EEPROM中）之前，必須運行并通過身份驗證（DBG_CHAL和DBG_ AUTH）命令（刪除所有 Flash密鑰）。因此，擦除所有塊和擦除所有塊解鎖將不起作用，如果所選塊/扇區(qū)包括存儲密鑰，則擦除Flash 塊或扇區(qū)也不起作用。此外，如果任何 Flash密鑰受寫保護，則無法擦除/刪除它們，因此無法擦除數據 Flash，身份驗證過程也不會通過。

9. 在S32DS環(huán)境下，使用如下 RTM3.0.0的example flash_partitioning_s32k144的例子，在debug RAM下運行就可以擦除以前老的 EEPROM分區(qū)。（如果keysize為零，沒有使用 CSEc的情況下）

/* Including needed modules to compile this module/procedure */

#include "Cpu.h"

#include "clockMan1.h"

#include "Flash.h"

volatile int exit_code = 0;

/* User includes (#include below this line is not maintained by Processor Expert) */

#include

#include

/* Declare a FLASH config struct which initialized by FlashInit, and will be used by all flash operations */

flash_ssd_config_t flashSSDConfig;

/* Data source for program operation */

#define BUFFER_SIZE 0x100u /* Size of data source */

#define FLASH_TARGET1

uint8_t sourceBuffer[BUFFER_SIZE];

/* Function declarations */

void CCIF_Handler(void);

/* If target is flash, insert this macro to locate callback function into RAM */

void CCIF_Callback(void)

int main(void)

{

/* Write your local variable definition here */

status_t ret; /* Store the driver APIs return code */

uint32_t address;

uint32_t size;

uint32_t failAddr;

uint32_t i;

flash_callback_t pCallBack;

#if (FEATURE_FLS_HAS_PROGRAM_PHRASE_CMD == 1u)

#ifndef FLASH_TARGET

uint8_t unsecure_key[FTFx_PHRASE_SIZE] = {0xFFu, 0xFFu, 0xFFu, 0xFFu, 0xFEu, 0xFFu, 0xFFu, 0xFFu};

#endif

#else /* FEATURE_FLASH_HAS_PROGRAM_LONGWORD_CMD */

uint8_t unsecure_key[FTFx_LONGWORD_SIZE] = {0xFEu, 0xFFu, 0xFFu, 0xFFu};

#endif /* FEATURE_FLS_HAS_PROGRAM_PHRASE_CMD */

/*** Processor Expert internal initialization. DON'T REMOVE THIS CODE!!! ***/

#ifdef PEX_RTOS_INIT

PEX_RTOS_INIT(); /* Initialization of the selected RTOS. Macro is defined by the RTOS component. */

#endif

/*** End of Processor Expert internal initialization. ***/

CLOCK_SYS_Init(g_clockManConfigsArr, CLOCK_MANAGER_CONFIG_CNT,

g_clockManCallbacksArr, CLOCK_MANAGER_CALLBACK_CNT);

CLOCK_SYS_UpdateConfiguration(0U, CLOCK_MANAGER_POLICY_AGREEMENT);

/* Init source data */

for (i = 0u; i < BUFFER_SIZE; i++)

{

sourceBuffer[i] = i;

}

/* Disable cache to ensure that all flash operations will take effect instantly,

* this is device dependent */

#ifndef FLASH_TARGET

#ifdef S32K144_SERIES

MSCM->OCMDR[0u] |= MSCM_OCMDR_OCM1(0x3u);

MSCM->OCMDR[1u] |= MSCM_OCMDR_OCM1(0x3u);

#endif /* S32K144_SERIES */

#endif /* FLASH_TARGET */

/* Install interrupt for Flash Command Complete event */

INT_SYS_InstallHandler(FTFC_IRQn, CCIF_Handler, (isr_t*) 0);

INT_SYS_EnableIRQ(FTFC_IRQn);

/* Enable global interrupt */

INT_SYS_EnableIRQGlobal();

/* Always initialize the driver before calling other functions */

ret = FLASH_DRV_Init(&Flash_InitConfig0, &flashSSDConfig);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

#if ((FEATURE_FLS_HAS_FLEX_NVM == 1u) & (FEATURE_FLS_HAS_FLEX_RAM == 1u))

/* Config FlexRAM as EEPROM if it is currently used as traditional RAM */

if (flashSSDConfig.EEESize == 0u)

{

#ifndef FLASH_TARGET

/* First, erase all Flash blocks if code is placed in RAM to ensure

* the IFR region is blank before partitioning FLexNVM and FlexRAM */

ret = FLASH_DRV_EraseAllBlock(&flashSSDConfig);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Verify the erase operation at margin level value of 1 */

ret = FLASH_DRV_VerifyAllBlock(&flashSSDConfig, 1u);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Reprogram secure byte in Flash configuration field */

#if (FEATURE_FLS_HAS_PROGRAM_PHRASE_CMD == 1u)

address = 0x408u;

size = FTFx_PHRASE_SIZE;

#else /* FEATURE_FLASH_HAS_PROGRAM_LONGWORD_CMD == 1u */

address = 0x40Cu;

size = FTFx_LONGWORD_SIZE;

#endif /* FEATURE_FLS_HAS_PROGRAM_PHRASE_CMD */

ret = FLASH_DRV_Program(&flashSSDConfig, address, size, unsecure_key);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

#endif /* FLASH_TARGET */

/* Configure FlexRAM as EEPROM and FlexNVM as EEPROM backup region,

* DEFlashPartition will be failed if the IFR region isn't blank.

* Refer to the device document for valid EEPROM Data Size Code

* and FlexNVM Partition Code. For example on S32K144:

* - EEEDataSizeCode = 0x02u: EEPROM size = 4 Kbytes

* - DEPartitionCode = 0x08u: EEPROM backup size = 64 Kbytes */

ret = FLASH_DRV_DEFlashPartition(&flashSSDConfig, 0x02u, 0x08u, 0x0u, false, true);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Re-initialize the driver to update the new EEPROM configuration */

ret = FLASH_DRV_Init(&Flash_InitConfig0, &flashSSDConfig);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Make FlexRAM available for EEPROM */

ret = FLASH_DRV_SetFlexRamFunction(&flashSSDConfig, EEE_ENABLE, 0x00u, NULL);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

}

else /* FLexRAM is already configured as EEPROM */

{

ret = FLASH_DRV_EraseAllBlockUnsecure(&flashSSDConfig);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Re-initialize the driver to update the new EEPROM configuration */

ret = FLASH_DRV_Init(&Flash_InitConfig0, &flashSSDConfig);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

}

#endif /* (FEATURE_FLS_HAS_FLEX_NVM == 1u) & (FEATURE_FLS_HAS_FLEX_RAM == 1u) */

/* Set callback function before a long time consuming flash operation

* (ex: erasing) to let the application code do other tasks while flash

* in operation. In this case we use it to enable interrupt for

* Flash Command Complete event */

pCallBack = (flash_callback_t)CCIF_Callback;

flashSSDConfig.CallBack = pCallBack;

/* Erase the last PFlash sector */

address = FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SIZE - FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SECTOR_SIZE;

size = FEATURE_FLS_PF_BLOCK_SECTOR_SIZE;

ret = FLASH_DRV_EraseSector(&flashSSDConfig, address, size);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Disable Callback */

flashSSDConfig.CallBack = NULL_CALLBACK;

/* Verify the erase operation at margin level value of 1, user read */

ret = FLASH_DRV_VerifySection(&flashSSDConfig, address, size / FTFx_DPHRASE_SIZE, 1u);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Write some data to the erased PFlash sector */

size = BUFFER_SIZE;

ret = FLASH_DRV_Program(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Verify the program operation at margin level value of 1, user margin */

ret = FLASH_DRV_ProgramCheck(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer, &failAddr, 1u);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Try to write data to EEPROM if FlexRAM is configured as EEPROM */

if (flashSSDConfig.EEESize != 0u)

{

address = flashSSDConfig.EERAMBase;

size = sizeof(uint32_t);

ret = FLASH_DRV_EEEWrite(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Verify the written data */

if (*((uint32_t *)sourceBuffer) != *((uint32_t *)address))

{

/* Failed to write data to EEPROM */

exit_code = 1u;

return exit_code;

}

/* Try to update one byte in an EEPROM address which isn't aligned */

address = flashSSDConfig.EERAMBase + 1u;

size = sizeof(uint8_t);

sourceBuffer[0u] = 0xFFu;

ret = FLASH_DRV_EEEWrite(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Then verify */

if (sourceBuffer[0u] != *((uint8_t *)address))

{

/* Failed to update data to EEPROM */

exit_code = 1u;

return exit_code;

}

}

else

{

#if (FEATURE_FLS_HAS_FLEX_NVM == 1u)

/* Erase a sector in DFlash */

address = flashSSDConfig.DFlashBase;

size = FEATURE_FLS_DF_BLOCK_SECTOR_SIZE;

ret = FLASH_DRV_EraseSector(&flashSSDConfig, address, size);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Verify the erase operation at margin level value of 1, user read */

ret = FLASH_DRV_VerifySection(&flashSSDConfig, address, size / FTFx_PHRASE_SIZE, 1u);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Write some data to the erased DFlash sector */

address = flashSSDConfig.DFlashBase;

size = BUFFER_SIZE;

ret = FLASH_DRV_Program(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

/* Verify the program operation at margin level value of 1, user margin */

ret = FLASH_DRV_ProgramCheck(&flashSSDConfig, address, size, sourceBuffer, &failAddr, 1u);

DEV_ASSERT(STATUS_SUCCESS == ret);

#endif /* FEATURE_FLS_HAS_FLEX_NVM */

}

#ifdef PEX_RTOS_START

PEX_RTOS_START(); /* Startup of the selected RTOS. Macro is defined by the RTOS component. */

#endif

for(;;) {

if(exit_code != 0) {

break;

}

}

return exit_code;

/*** Processor Expert end of main routine. DON'T WRITE CODE BELOW!!! ***/

} /*** End of main routine. DO NOT MODIFY THIS TEXT!!! ***/

void CCIF_Handler(void)

{

/* Disable Flash Command Complete interrupt */

FTFx_FCNFG &= (~FTFx_FCNFG_CCIE_MASK);

return;

}

void CCIF_Callback(void)

{

/* Enable interrupt for Flash Command Complete */

if ((FTFx_FCNFG & FTFx_FCNFG_CCIE_MASK) == 0u)

{

FTFx_FCNFG |= FTFx_FCNFG_CCIE_MASK;

}

}

運行調試模式，停止，然后再次運行會進入FLASH_DRV_EraseAllBlockUnsecure，關于 Flash組件配置如下。