臺積電已啟動1nm工藝先導(dǎo)計劃 升級下一代EUV光刻機是關(guān)鍵

在先進工藝上，臺積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。

再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺積電沒說時間點，預(yù)計也是在2027年左右。

1.4nm之后就是1nm工藝了，這個節(jié)點曾經(jīng)被認為是摩爾定律的物理極限，是無法實現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中。

臺積電已經(jīng)啟動了先導(dǎo)計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍?zhí)秷@區(qū)，這意味著臺積電已經(jīng)開始為1nm做規(guī)劃了，畢竟工廠需要提前一兩年建設(shè)。

不過真正量產(chǎn)1nm還需要很長時間，其中關(guān)鍵的設(shè)備就是下一代EUV光刻機，要升級下一代的高NA（數(shù)值孔徑）標(biāo)準，從現(xiàn)在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著更分辨率更高，是3nm之后的工藝必備的條件。

按照ASML的計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最快明年就開始出貨，2025年后達到正式量產(chǎn)能力，售價將達到4億美元以上。