SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。

我們先看一個(gè)SIC MOS的輸出曲線，可以看到隨著驅(qū)動(dòng)電壓的升高導(dǎo)通內(nèi)阻在逐漸變小，驅(qū)動(dòng)電壓18V肯定比驅(qū)動(dòng)電壓15V的導(dǎo)通內(nèi)阻小，導(dǎo)通損耗也會(huì)小，這是顯而易見(jiàn)的。

這樣看驅(qū)動(dòng)電壓18V比15V好，但是忽略了另一條重要曲線，那就是熱阻曲線。

下圖為SIC MOS的熱阻曲線，每條曲線反應(yīng)了不同占空比時(shí)的熱阻情況，隨著時(shí)間的加長(zhǎng)，都將趨于穩(wěn)定狀態(tài)。左邊的曲線反應(yīng)的是瞬間加熱時(shí)，熱無(wú)法向外擴(kuò)散時(shí)的情況，用動(dòng)態(tài)熱阻進(jìn)行表示，動(dòng)態(tài)熱阻反映了最初短路時(shí)，發(fā)生在MOS的阻斷區(qū)域，那里承受了幾乎全部短路損耗。

下圖為許老師課程上的計(jì)算過(guò)程，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為14V時(shí)，抗短路時(shí)間能增加到10us，但同樣會(huì)增加28%的熱損耗，但當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓變?yōu)?5V時(shí)，抗短路時(shí)間減小到了3us，驅(qū)動(dòng)電壓變?yōu)?8V時(shí)，抗短路時(shí)間減小到了1us，抗短路時(shí)間隨著驅(qū)動(dòng)電壓的升高而急劇減小。

驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，實(shí)際上是評(píng)估系統(tǒng)工作需求和短路時(shí)間之間的平衡，是損耗與抗短路能力之間的和諧。

有電感限流的拓?fù)淇梢赃x擇18V驅(qū)動(dòng)，無(wú)電感限流的建議選擇15V驅(qū)動(dòng)。當(dāng)工作在結(jié)溫175度時(shí)，不建議選擇18V驅(qū)動(dòng)。

審核編輯：湯梓紅