智原與英飛凌聯(lián)手推出聯(lián)電40uLP SONOS eFlash平臺(tái)

ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷(xiāo)售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布與英飛凌合作推出SONOS嵌入式閃存（eFlash）平臺(tái)于聯(lián)電40納米u(yù)LP制程。此平臺(tái)包含新開(kāi)發(fā)的eFlash子系統(tǒng)IP及完整的eFlash測(cè)試解決方案，具有容易整合、可快速存取閃存數(shù)據(jù)等優(yōu)勢(shì)，更可加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)程，協(xié)助客戶更輕松地采用該閃存技術(shù)；并同時(shí)通過(guò)內(nèi)置自檢功能（BIST）來(lái)簡(jiǎn)化SONOS eFlash測(cè)試，為客戶提供扎實(shí)的質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)。

為滿足人工智能、智能電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)和MCU等應(yīng)用對(duì)40納米低功耗及數(shù)據(jù)安全的eFlash需求，智原聯(lián)手英飛凌合作開(kāi)發(fā)這套SONOS eFlash平臺(tái)，主要包括閃存區(qū)塊、控制器、以及新開(kāi)發(fā)的eFlash子系統(tǒng)IP。其中子系統(tǒng)IP整合總線接口電路與頻率整合電路等，并提供自動(dòng)完成eFlash初始化、簡(jiǎn)化數(shù)據(jù)抹除與寫(xiě)入操作流程、以及對(duì)閃存的讀寫(xiě)保護(hù)和模擬隨機(jī)寫(xiě)入緩沖區(qū)等功能，協(xié)助客戶輕易整合與使用SONOS eFlash IP。此外，內(nèi)置BIST的子系統(tǒng)只需采用一般的檢測(cè)儀器做測(cè)試，確保閃存量產(chǎn)時(shí)的質(zhì)量及可靠性，并可減少檢測(cè)時(shí)間。

英飛凌內(nèi)存解決方案部資深總監(jiān)Vineet Agrawal表示：“我們很高興與智原合作，為客戶開(kāi)發(fā)這套SONOS eFlash平臺(tái)。40uLP SONOS eFlash在過(guò)去幾年已交付許多量產(chǎn)項(xiàng)目，未來(lái)結(jié)合智原完善的IP子系統(tǒng)、多元的IP產(chǎn)品和測(cè)試解決方案，我們相信可以協(xié)助智原的客戶加快拓展高性能和低功耗產(chǎn)品?！?/p>

智原科技營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)林世欽表示：“英飛凌的SONOS eFlash技術(shù)已在40納米制程中獲得多項(xiàng)市場(chǎng)應(yīng)用的驗(yàn)證。通過(guò)英飛凌在聯(lián)電40uLP SONOS eFlash的優(yōu)勢(shì)，相較其它市面上的eFlash方案可使用更少的光罩層數(shù)而縮短生產(chǎn)周期。搭配此新平臺(tái)和智原完全兼容于40uLP SONOS eFlash制程的豐富IP資源，可以進(jìn)一步協(xié)助客戶輕松實(shí)現(xiàn)新一代芯片設(shè)計(jì)的成本、功耗和性能需求。”

審核編輯：湯梓紅