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【短視頻】MPS 電源小課堂第三季第十四話:不是所有的升壓都是Boost

MPS芯源系統(tǒng) ? 來源:未知 ? 2022-12-21 12:10 ? 次閱讀
點(diǎn)擊標(biāo)題下「MPS芯源系統(tǒng)」可快速關(guān)注d2b2880c-80e4-11ed-8abf-dac502259ad0.png

上期回顧:別讓BOOST規(guī)格書標(biāo)題誤導(dǎo)了你

本期內(nèi)容

相信大家談到升壓電路,第一反應(yīng)可能就是 Boost 電路,當(dāng)然,為了兼容寬輸入電壓的應(yīng)用,想必工程師朋友們對(duì)于 Buck-Boost SEPIC 電路也是很熟悉的。

而今天小編要為大家介紹的是一種叫做Charge Pump(電荷泵的升壓電路,我們一起看看它的廬山真面目吧!

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Charge Pump 電路所需的元器件較少,占用面積小,高效率,因此性價(jià)比很高。我們常常能在 TFT-LCD 的背光以及光模塊的應(yīng)用,及 Buck 電路的上管(NMOS)的驅(qū)動(dòng)中看到它的身影。

Charge Pump 倍壓輸出的工作原理

Charge Pump(電荷泵)最經(jīng)典的應(yīng)用莫過于倍壓輸出,其基本原理簡(jiǎn)而言之就是對(duì)電容進(jìn)行充放電,利用電容能夠儲(chǔ)存電荷的原理將其從充電回路隔離,通過放電回路對(duì)輸出進(jìn)行放電。

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首先,充電階段:Q1/Q4 導(dǎo)通,Q2/Q3 關(guān)斷,輸入向電容 C1 充電。

然后進(jìn)入轉(zhuǎn)換階段:Q1/Q4 關(guān)斷,Q2/Q3 導(dǎo)通,因?yàn)殡娙輧啥说碾妷翰粫?huì)突變,電容 C1 向輸出電容 Co 放電,通過開關(guān)變換,實(shí)現(xiàn)電荷的轉(zhuǎn)移,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了輸出電壓的倍壓輸出 Vo=2Vin 。

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Charge Pump 在電路中的經(jīng)典應(yīng)用

了解了 Charge Pump 倍壓輸出的原理,接下來我們看看它在實(shí)際電路中的經(jīng)典應(yīng)用吧。

1 Charge Pump在Buck上管驅(qū)動(dòng)中的變形應(yīng)用

以 Buck 電路為例,我們知道為了驅(qū)動(dòng)上管,滿足 Vgs>Vth , 我們往往需要一個(gè)自舉電路來抬升 gate 的電壓,如圖所示電容 C1 在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)便完成了電荷的充放電過程,從而抬升了 gate 的電壓。

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其實(shí)不僅是 Buck 電路中的上管驅(qū)動(dòng)中的自舉電路,在全橋和半橋的上管驅(qū)動(dòng)中我們也經(jīng)常可以看到 Charge Pump 電路的身影的。

2

Charge Pump在Boost電路中的二次升壓應(yīng)用

當(dāng)遇到一些升壓場(chǎng)合,比如在 TFT-LCD 的 VP/VN 供電中,現(xiàn)有 Boost 芯片的最大輸出電壓無法滿足應(yīng)用需求時(shí):

以一顆常用于 TFT 偏壓供電的芯片為例,SW 最大耐壓是25V,但輸出高于25V的應(yīng)用時(shí),輸出往往會(huì)受限。

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當(dāng)然工程師朋友們也可以更換耐壓更高的 IC ,但就像利物浦主教練克洛普說過 “好的球員除了貴,沒有任何缺點(diǎn)” 。

這個(gè)時(shí)候 Charge Pump 電路就可以完美展示它的優(yōu)點(diǎn),我們只需要在 Boost 的典型應(yīng)用電路上增加一些元器件便可以實(shí)現(xiàn) Vo2=2Vo1 。

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我們可以將電路簡(jiǎn)化如下:

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在 Q1 導(dǎo)通的時(shí)候,C1 向 C2 傳遞能量,從而抬升 C2 的電壓,直到 V1=V2 。

在 Q1 關(guān)斷的時(shí)候,此時(shí)電容 C2 開始向輸出傳遞能量,這樣 C2 電容便充當(dāng)了一個(gè)“搬運(yùn)工”的角色,非常巧妙的實(shí)現(xiàn)了 V3=V2+V1=2V1

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3

Charge Pump的負(fù)壓輸出應(yīng)用

Charge Pump 電路不僅可以應(yīng)用在正壓輸出,在負(fù)壓輸出的應(yīng)用中, 因?yàn)樗柰鈬骷^少,也被廣大工程師朋友們所青睞。

當(dāng)然想要獲得負(fù)壓輸出,我們也可以基于 Buck 芯片,更改成 Buck-Boost 的拓?fù)?,以此形成?fù)壓輸出。

但對(duì)于小電流,體積緊湊的應(yīng)用里,Charge Pump 負(fù)壓輸出詮釋了真正的小身材大味道。

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如上圖,僅用4個(gè) MOS ,通過內(nèi)部邏輯電路,來控制4個(gè) MOS 的開關(guān)切換,從而便可以使 Vo=-Vin 。

這樣,器件無需任何外部電感,可以節(jié)省成本和簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)空間;

這種緊湊的小尺寸解決方案,適用范圍廣泛,包括光模塊、RF 放大器傳感器電源等。

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相信工程師朋友們通過以上幾個(gè)應(yīng)用的學(xué)習(xí),對(duì)于 Charge Pump 電路已經(jīng)是十分熟悉了。相比傳統(tǒng)電感式 DC/DC ,Charger Pump 這類電容式 DC/DC 的區(qū)別可以總結(jié)為以下幾點(diǎn):

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工程師朋友們可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求來選擇合適的 DCDC 解決方案哦~

END

往期精彩回顧

第三季第十三話:別讓BOOST規(guī)格書標(biāo)題誤導(dǎo)了你

第三季第十一話:Buck電感的計(jì)算

第三季第十話:DC-DC變換器FB分壓電阻設(shè)計(jì)

第三季第九話:合適的比例,讓效率曲線更加優(yōu)美

第三季第八話:如何讓“下電”變的干凈利落

第三季第七話:淺談 POE 握手協(xié)議

第三季第六話:細(xì)分控制 --- 雙極性步進(jìn)電機(jī)如何練成“凌波微步”(下篇)

第三季第五話:細(xì)分控制 --- 雙極性步進(jìn)電機(jī)如何練成“凌波微步”(上篇)

第三季第四話:聊聊功率因數(shù)校正那些事兒(下篇)

第三季第三話:聊聊功率因數(shù)校正那些事兒(上篇)

第三季第二話:防反電路一定要用 PMOS 嗎?(下篇)

第三季第一話:防反電路一定要用 PMOS 嗎?(上篇)

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