IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
靜態(tài)檢測(cè):把數(shù)字萬(wàn)用表置于×100檔,檢測(cè)黑電筆接1端子、紅電筆接2端子,呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào),呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。
用同樣的方法,檢測(cè)黑電筆接3端子、紅電筆接1端子,呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào),呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。若合乎上述情況說(shuō)明此igbt模塊的2個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障。
動(dòng)態(tài)測(cè)試:把數(shù)字萬(wàn)用表的檔位置于乘10K檔,用黑電筆接4端子,紅電筆接5端子,這時(shí)黑電筆接3端子紅電筆接1端子,這時(shí)電阻值為300-400Ω,把電筆對(duì)調(diào)也是有大約300-400Ω的電阻值說(shuō)明此igbt模塊單元是完好的。
用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的igbt模塊,若合乎上述的情況說(shuō)明該igbt模塊也是完好的。
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑電筆接igbt模塊的漏極(D),紅電筆接igbt模塊的源極(S),這時(shí)數(shù)字萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。
用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時(shí)igbt模塊被觸發(fā)導(dǎo)通,數(shù)字萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。
之后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G),這時(shí)igbt模塊被阻斷,數(shù)字萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。這時(shí)就可以判別igbt模塊是好的。
注意:若進(jìn)第2次檢測(cè)時(shí),應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。
所有指針式萬(wàn)用表皆可用作檢測(cè)igbt模塊。
注意判別igbt模塊好壞時(shí),一定要將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋之下各檔數(shù)字萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)沒(méi)法使igbt模塊導(dǎo)通,而沒(méi)法判別igbt模塊的好壞。
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審核編輯:湯梓紅
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