對于許多需要非易失性存儲器的存儲器系統(tǒng),達(dá)拉斯半導(dǎo)體NV SRAM提供了SRAM的易于實施性,以及寫保護(hù)電路和10年的信息存儲能力。NV SRAM在檢測到超出容差條件(通常在V的10%時)時自動寫保護(hù)自己抄送),使其成為在電源故障期間保護(hù)數(shù)據(jù)的安全容器。
NV SRAM的安全寫保護(hù)策略沒有解決的一個問題是:在 電源故障?如果電壓已降至 V 的 10%抄送,執(zhí)行任何系統(tǒng)內(nèi)務(wù)管理功能(例如存儲數(shù)據(jù)和存儲)的時間已經(jīng)用完了 微處理器的狀態(tài)。要真正滿足“在寫保護(hù)存儲器之前保存數(shù)據(jù)”的需求,需要一種在電源降至 V 的 10% 之前檢測即將發(fā)生的電源故障的方法。抄送以便微處理器可以執(zhí)行這些內(nèi)務(wù)管理功能。
完成此任務(wù)的一種方法是使用第二個電壓監(jiān)控設(shè)備。達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司生產(chǎn)DS1233B,這是一款5V-5%電壓監(jiān)測器,采用3引腳TO-92封裝。該 5% 監(jiān)視器在檢測到超出容差條件時立即驅(qū)動低電平有效復(fù)位信號 RST-bar。該低電平有效信號可用作微處理器的IRQ-bar輸入,為微處理器提供電源正在掉落的高級警告,并在系統(tǒng)的非易失性存儲器受到寫保護(hù)之前有時間處理中斷。下圖說明了此概念。
5V - 5% IRQ 條生成
您可能想知道 5V 電源中 5% 到 10% 的壓降時間對微處理器可能有什么用處。畢竟,當(dāng)電源經(jīng)歷硬故障時,電源不會迅速下降嗎?答案是,是的,他們當(dāng)然會。但是,幸運的是,微處理器可以更快地處理中斷和處理信息。所需要的只是配置系統(tǒng)的中斷服務(wù)軟件,以便它快速識別和服務(wù)外部中斷。下面是一個例子,說明這次是多么有用。
為了便于討論,讓我們對相關(guān)系統(tǒng)內(nèi)部存在的條件做出幾個假設(shè)。讓我們假設(shè):
電源下降迅速,只需 300 微秒即可從 4.75 伏降至 4.0 伏。
所討論的微處理器以相對適中的25MHz時鐘速度運行。
該微處理器是一種常見的8位設(shè)備,需要六個時鐘來執(zhí)行單個指令。
有了這組給定,處理器應(yīng)該能夠在5V電源上的5%和10%跳變點之間執(zhí)行多少條指令?
1/25MHz = 40ns 時鐘
6 個時鐘/指令 = 每條指令 240ns
(4.75-4.00)/300 μs = 0.0025V/μs
5% - 10% 壓降 = 0.25V;因此 5%-10% 的跌落 = 100μs
每條指令 100μs/240ns = 416 條指令
擁有 416 條可執(zhí)行指令與在斷電期間沒有可執(zhí)行指令相比,在保存 256 字節(jié)信息或丟失信息、保存處理器狀態(tài)機或丟失信息方面有很大的不同。此外,可以通過設(shè)計修改變量,為處理器提供更多時間。通過增加電容可以減緩電源故障期間電壓的下降速度??梢允褂眯枰儆诹鶄€時鐘來執(zhí)行指令的處理器。在任何情況下,將DS1233B與NV SRAM要求結(jié)合使用,可以為您提供額外的時間,以執(zhí)行有序的系統(tǒng)關(guān)斷,而不會損壞存儲器或使微處理器失控。
審核編輯:郭婷
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