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鎖相環(huán)的電源管理設(shè)計

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:Austin Harney and Grz ? 2023-01-29 11:58 ? 次閱讀

作者:Austin Harney and Grzegorz Wawrzola

鎖相環(huán)(PLL)是現(xiàn)代通信系統(tǒng)的基本組成部分。PLL通常用于在無線電接收器或發(fā)射器中提供本振(LO)功能;它們還用于時鐘信號分配和降噪,并越來越多地用作高采樣率模數(shù)或數(shù)模轉(zhuǎn)換的時鐘源。

隨著PLL的噪聲性能逐代提高,電源噪聲的影響也越來越明顯,在某些情況下甚至?xí)拗圃肼曅阅堋?/p>

本文考慮圖1所示的基本PLL方案,并研究每個構(gòu)建模塊的電源管理要求。

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圖1.顯示各種電源管理要求的基本鎖相環(huán)。

在PLL中,反饋控制環(huán)路驅(qū)動壓控振蕩器(VCO),使振蕩器頻率(或相位)精確跟蹤施加參考頻率的倍數(shù)。許多很好的參考文獻,例如,貝斯特的鎖相環(huán),1解釋PLL的數(shù)學(xué)分析;以及仿真工具,如ADI公司ADIsimPLL?,有助于理解循環(huán)傳遞函數(shù)和計算?,F(xiàn)在讓我們依次看一下PLL構(gòu)建模塊。

VCO和VCO推動

壓控振蕩器將來自鑒相器的誤差電壓轉(zhuǎn)換為輸出頻率。它的“增益”定義為KVCO,通常以 MHz/V 為單位指定。壓控可變電容二極管(變?nèi)荻O管)通常用于調(diào)節(jié)VCO中的頻率。VCO的增益通常大到足以提供足夠的頻率覆蓋,但又不會大到降低相位噪聲,因為任何變?nèi)荻O管噪聲都會被放大KVCO并導(dǎo)致輸出相位噪聲。

多頻段集成VCO的出現(xiàn),例如集成VCO的ADF4350頻率合成器中使用的VCO,消除了兩者之間的權(quán)衡KVCO和頻率覆蓋范圍,允許PLL設(shè)計人員使用包含多個中等增益VCO的IC,并通過智能頻段切換例程根據(jù)編程輸出頻率選擇合適的頻段。這種頻段劃分提供了寬闊的整體范圍和更低的噪聲。

除了從輸入電壓變化到輸出頻率變化(KVCO),電源變化會產(chǎn)生不需要的輸出頻率變化分量。VCO對電源變化的敏感性定義為VCO推動 (K推動),通常是通緝犯的一小部分KVCO.例如K推動通常為 5% 至 20%KVCO.因此,對于高增益VCO,推動效應(yīng)變得更大,VCO電源的噪聲貢獻變得更加關(guān)鍵。

VCO 推動是通過向 VTUNE 引腳施加直流調(diào)諧電壓、改變電源電壓并測量頻率變化來測量的。推力圖是使用ADF4350 PLL的頻率變化與電壓變化之比,如表1所示。

表 1.ADF4350 VCO 推送測量

VCO
頻段
(兆赫)
V調(diào)整
(五)
f1(兆赫) 在 V 時VCO= 3 V
f2(兆赫) 在 V 時VCO= 3.3 V
K推動= ΔfV (兆赫/伏)
2200 2.5 2233.446 2233.061 1.28
3300 2.5 3331.112 3331.799 2.3
4400 2.5 4462.577 4464.242 5.55

參考文獻 2 中提到的另一種方法是將低頻方波直流耦合到電源中,同時觀察 VCO 頻譜兩側(cè)的頻移鍵控 (FSK) 調(diào)制峰值(圖 2)。峰值之間的頻率偏差除以方波幅度得出VCO推頻數(shù)。這可能是比靜態(tài)直流測試更準(zhǔn)確的測量方法,因為它消除了與直流輸入電壓變化相關(guān)的任何熱效應(yīng)。圖2顯示了ADF4350 VCO輸出在3.3 GHz時的頻譜分析儀圖,標(biāo)稱3.3 V電源施加10 kHz、0.6 V p-p方波。對于 1.62 MHz/0.6 V 或 2.7 MHz/V 的推動數(shù),由此產(chǎn)生的偏差為 3326.51 MHz – 3324.89 MHz = 1.62 MHz。相比之下,表1給出了2.3 MHz/V的靜態(tài)測量值。

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圖2.ADF4350 VCO對10 kHz、0.6 V p-p方波電源調(diào)制的響應(yīng)的頻譜分析儀圖。

在PLL系統(tǒng)中,更高的VCO推力意味著VCO電源噪聲的倍增更大。需要低噪聲電源,以盡量減少對VCO相位噪聲的影響。

基準(zhǔn)電壓源3和基準(zhǔn)4提供了不同低壓差穩(wěn)壓器(LDO)如何影響PLL相位噪聲的良好示例。例如,比較了ADP3334和ADP150 LDO為ADF4350供電的情況。ADP3334穩(wěn)壓器的集成均方根噪聲為27 μV(超過四十年頻程,從10 Hz到100 kHz)。相比之下,ADF4350評估板上使用的LDOADP150為9 μV。測量的PLL相位噪聲頻譜密度的差異如圖3所示。測量是在4.4 GHz VCO頻率下進行的,其中VCO推力最大(表1),因此這是最壞情況的結(jié)果。ADP150穩(wěn)壓器噪聲足夠低,因此其貢獻不會顯著增加VCO噪聲,使用兩節(jié)(可能為“無噪聲”)AA電池重復(fù)測量證實了這一點。

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圖3.ADF4350在4.4 GHz時的相位噪聲比較,當(dāng)使用ADP3334和ADP150 LDO和AA電池供電時。

圖3強調(diào)了低噪聲電源對ADF4350的重要性,但如何指定電源或LDO的噪聲要求?

以類似于VCO噪聲的方式,LDO的相位噪聲貢獻可以建模為加性元件Φ線性分布器(t),如圖4所示。重復(fù)使用VCO過量相位表達式可產(chǎn)生:

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或者,在頻域中

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哪里vLDO(f)是LDO的電壓噪聲頻譜密度。

1 Hz帶寬內(nèi)的單邊帶功率譜密度SΦ(f)由下式給出

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以dB表示,計算電源噪聲引起的相位噪聲貢獻的公式為:

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其中 L(線性分布器)是失調(diào)f處穩(wěn)壓器對VCO相位噪聲(dBc/Hz)的噪聲貢獻;K推動是以 Hz/V 為單位的 VCO 推動數(shù)字;和 v線性分布器(f) 是給定頻率偏移下的噪聲頻譜密度,單位為 V/√Hz。

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圖4.小信號加性VCO電源噪聲模型

在自由運行的VCO中,總噪聲是和方根(rss)L線性分布器和VCO噪音。因此,以dB表示:

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例如,考慮一個推頻數(shù)為10 MHz/V、在100 kHz偏移時測量相位噪聲為–116 dBc/Hz的VCO:為了不降低100 kHz時的VCO噪聲性能,電源所需的噪聲頻譜密度是多少?電源噪聲和VCO噪聲相加為和方根,因此電源噪聲應(yīng)至少比VCO噪聲小6 dB,以盡量減少其貢獻。因此L線性分布器應(yīng)小于 –122 dBc/Hz。使用公式 1,

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求解vLDO(f),

vLDO(f),= 11.2 nV/√Hz,100kHz 偏移

給定失調(diào)下的LDO噪聲頻譜密度通??梢詮腖DO數(shù)據(jù)手冊的典型性能曲線中讀取。

當(dāng)VCO連接到負(fù)反饋PLL時,LDO噪聲,L線性分布器,由PLL環(huán)路濾波器進行高通濾波,其方式與VCO噪聲類似。因此,上述公式僅適用于大于PLL環(huán)路帶寬的頻率偏移。在PLL的環(huán)路帶寬內(nèi),PLL可以成功跟蹤和濾除LDO噪聲,從而降低其貢獻。

LDO濾波

為了改善LDO噪聲,通常有兩種選擇:使用噪聲較小的LDO或?qū)DO輸出進行后置濾波。當(dāng)無濾波器的噪聲要求超出經(jīng)濟實惠的LDO的能力時,濾波選項可能是一個不錯的選擇。一個簡單的LC π濾波器通常足以將帶外LDO噪聲降低20 dB(圖5)。

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圖5.LC π濾波器可衰減LDO噪聲。

在選擇組件時需要小心。典型的電感器在微亨利范圍內(nèi)(帶有鐵氧體磁芯),因此有必要考慮其飽和電流 (我坐),在電感數(shù)據(jù)手冊中指定為電感下降10%時的直流電流水平。VCO消耗的電流應(yīng)小于我坐.有效串聯(lián)電阻(ESR)也是一個問題,因為這會導(dǎo)致濾光片上的IR壓降。對于消耗300 mA DC微波VCO,需要ESR小于0.33 Ω的電感才能產(chǎn)生小于100 mV的IR壓降。還需要低但非零的ESR,以抑制濾波器響應(yīng)并提高LDO穩(wěn)定性。選擇寄生ESR非常低的電容器并為此添加專用串聯(lián)電阻器是可行的。這 都 可以 使用 NI Multisim 等 可 下載 的 組 件 評估 器 在 SPICE 中 輕松 仿真?.

電荷泵和濾波器

電荷泵將鑒相器誤差電壓轉(zhuǎn)換為電流脈沖,電流脈沖由PLL環(huán)路濾波器進行積分和平滑處理。電荷泵通??梢栽诒绕潆娫措妷海╒P)低0.5 V的電壓下工作。例如,如果最大電荷泵電源為5.5 V,則電荷泵只能在高達5 V的輸出電壓下工作。如果VCO需要更高的調(diào)諧電壓,通常需要有源濾波器。實用信息和實際PLL的參考設(shè)計可在電路筆記CN0174中找到。5以及處理高壓的方法在“使用高壓VCO設(shè)計高性能鎖相環(huán)”中討論。6出現(xiàn)在《模擬對話》第 43 卷第 4 期(2009 年)中。有源濾波器的替代方案是使用帶電荷泵的PLL,例如ADF4150HV。ADF4150HV可以在高達30 V的電荷泵電壓下工作,因此在許多情況下無需使用有源濾波器。

電荷泵吸收的低電流使得使用升壓轉(zhuǎn)換器從較低的電源電壓產(chǎn)生高電荷泵電壓看起來很有吸引力,但與這種類型的DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)的開關(guān)頻率紋波可能會在VCO的輸出端產(chǎn)生不需要的雜散音。高PLL雜散可能導(dǎo)致發(fā)射器發(fā)射模板測試失敗,或降低接收器系統(tǒng)中的靈敏度和帶外阻塞。為了幫助指導(dǎo)轉(zhuǎn)換器紋波的規(guī)格,使用圖6所示的測量設(shè)置,對各種PLL環(huán)路帶寬進行了全面的電源抑制與頻率的關(guān)系圖。

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圖6.用于測量電荷泵電源抑制的設(shè)置。

17.4 mV (–22 dBm)的紋波信號交流耦合到電源電壓,并在整個頻率范圍內(nèi)掃描。在每個頻率下測量雜散電平,并將PSR計算為–22 dBm輸入和雜散輸出電平之間的dB差。保留在原位的0.1 μF和1 nF電荷泵電源去耦電容對耦合信號進行了一定程度的衰減,因此發(fā)電機上的信號電平增加,直到在每個頻率點的引腳上直接測量17.4 mV。結(jié)果如圖 7 所示。

隨著PLL環(huán)路帶寬內(nèi)頻率的增加,電源抑制最初會變得更糟。當(dāng)頻率接近PLL環(huán)路帶寬時,紋波頻率以與參考噪聲類似的方式衰減,PSR得到改善。該圖顯示,需要具有更高開關(guān)頻率(理想情況下大于1 MHz)的升壓轉(zhuǎn)換器,以最大程度地減少開關(guān)雜散。此外,應(yīng)盡可能將PLL環(huán)路帶寬降至最低。

ADP1613的開關(guān)速度為1.3 MHz,是合適的升壓轉(zhuǎn)換器的一個很好的例子。將PLL環(huán)路帶寬設(shè)置為10 kHz時,PSR可能約為90 dB;環(huán)路帶寬為80 kHz時,PSR為50 dB。從PLL雜散電平要求開始,可以反向確定升壓轉(zhuǎn)換器輸出所需的紋波電平。例如,如果PLL要求雜散小于–80 dBm,而PSR為50 dB,則電荷泵電源輸入端的紋波功率需要小于–30 dBm或20 mV p-p。如果將足夠的去耦電容放置在電荷泵電源引腳附近,則紋波濾波器可以輕松實現(xiàn)這些紋波電壓水平。例如,100 nF去耦電容在1.3 MHz時提供超過20 dB的紋波衰減。 應(yīng)注意使用具有適當(dāng)額定電壓的電容器;例如,如果升壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生 18V 電源,請使用額定電壓為 20V 或更高的電容器。

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圖7.ADF4150HV電荷泵電源抑制曲線圖

使用基于Excel的ADP161x 設(shè)計工具簡化了升壓轉(zhuǎn)換器和紋波濾波器的設(shè)計。圖8顯示了示出5 V輸入至20 V輸出設(shè)計的用戶輸入。為了最小化轉(zhuǎn)換器級輸出端的電壓紋波,選擇了噪聲濾波器選項,并將V降至最低外波紋場設(shè)置為最小值。高壓電荷泵消耗的電流最大值為2 mA,因此I外輸入 10 mA 以提供裕量。該設(shè)計使用ADF4150HV評估板進行了測試,使用20 kHz的PLL環(huán)路帶寬。從圖7可以看出,PSR可能約為70 dB。由于具有出色的PSR,即使省略了噪聲濾波器,這種設(shè)置在VCO輸出端也沒有明顯的開關(guān)雜散(< –110 dBm)。

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圖8.ADP1613升壓轉(zhuǎn)換器Excel設(shè)計工具。

作為最后的實驗,將高壓電荷泵的PSR與有源濾波器的PSR進行了比較,有源濾波器是目前最常用于產(chǎn)生高VCO調(diào)諧電壓的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。為了進行測量,將幅度為1 V p-p的交流信號注入電荷泵電源(VP),使用無源環(huán)路濾波器,如圖6中的測量設(shè)置所示。用有源濾波器代替等帶寬的無源濾波器重復(fù)相同的測量。使用的有源濾波器為CPA_PPFFBP1型,如ADIsimPLL(圖9)所述。

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圖9.ADIsimPLL中CPA_PPFFBP1濾波器設(shè)計的屏幕視圖。

電荷泵和運算放大器電源引腳上的去耦相同,以提供公平的比較——10 μF、10 nF和10 pF電容并聯(lián)。測量結(jié)果如圖10所示:與有源濾波器相比,高壓電荷泵的開關(guān)雜散電平降低了40 dB至45 dB。高壓電荷泵的雜散電平有所改善,部分原因是有源濾波器的環(huán)路濾波器衰減較小,注入的紋波在第一極點之后,而無源濾波器則注入的紋波位于輸入端。

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圖 10.有源環(huán)路濾波器的電源紋波電平與高壓無源濾波器的比較。

最后要注意的是:圖1所示的第三個電源軌——分壓器電源,AVDD/DVDD—與VCO和電荷泵電源相比,電源要求不那么嚴(yán)格,因為PLL的RF部分(AVDD)通常是雙極性ECL邏輯級,具有穩(wěn)定的帶隙參考偏置電壓,因此相對不受電源影響。此外,就其性質(zhì)而言,數(shù)字CMOS塊(DVDD) 更不受電源噪聲的影響。因此,建議選擇同時滿足該電源軌電壓和電流要求的中等性能LDO,并在所有電源引腳附近應(yīng)用足夠的去耦;100 nF 并聯(lián) 10 pF 通常就足夠了。

結(jié)論

討論了主PLL模塊的電源管理要求,并推導(dǎo)出了VCO和電荷泵電源的規(guī)格。ADI公司為電源管理和PLL提供多種設(shè)計支持工具,包括基準(zhǔn)電壓源電路和解決方案,以及ADIsimPLL和ADIsimPower等仿真工具。了解電源噪聲和紋波對PLL性能的影響后,設(shè)計人員可以回頭推導(dǎo)出電源管理模塊的規(guī)格,并以最佳性能實現(xiàn)PLL設(shè)計。

審核編輯:郭婷

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    模擬集成電路主要指由電容、電阻、晶體管等元件組成的集成電路,用于處理模擬信號。常見的模擬集成電路包括運算放大器、模擬乘法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的構(gòu)成包括放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開關(guān)電容電路等。
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