ROHM在以業(yè)界最快的trr(反向恢復(fù)時(shí)間)著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOSFET相比,trr減少約60%,從而大大降低了開關(guān)損耗,促進(jìn)了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能,還要進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻和Qg(柵極總電荷量)并降低損耗”為目標(biāo)開發(fā)而成的。一般而言,導(dǎo)通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系,但利用ROHM獨(dú)有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了兩者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商標(biāo)。
開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗更低
短路耐受能力是指MOSFET在短路時(shí)達(dá)到損壞程度需要的時(shí)間。一般而言,當(dāng)發(fā)生短路時(shí),會(huì)流過超出設(shè)計(jì)值的大電流,并異常發(fā)熱引起熱失控,最后可能導(dǎo)致?lián)p壞。要提高短路耐受能力,就涉及到與包括導(dǎo)通電阻在內(nèi)的性能之間的權(quán)衡。R60xxMNx系列通過優(yōu)化寄生雙極晶體管(熱失控的原因),使同樣也是電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中一個(gè)非常重要的課題–短路耐受能力得以提升。不僅trr速度更快,而且與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比短路耐受能力大大提高。
抑制自啟動(dòng)帶來的損耗
自啟動(dòng)是指當(dāng)關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET的Vds急劇變化(從0V到施加電壓)時(shí),MOSFET的寄生電容充電導(dǎo)致Vgs超出閾值,MOSFET短時(shí)間導(dǎo)通的現(xiàn)象。這種額外的導(dǎo)通時(shí)間當(dāng)然就成為損耗。
其典型案例是在同步整流轉(zhuǎn)換器中在低邊開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)下高邊開關(guān)導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)發(fā)生這種自啟動(dòng)。這就需要減緩高邊開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間以抑制dV/dt,或在低邊開關(guān)的柵極-源極間增加外置電容以提高余量等外置電路對(duì)策。
而R60xxMNx系列則通過降低并優(yōu)化寄生電容,從而將自啟動(dòng)帶來的損耗控制在最低程度。
R60xxMNx系列
TO-252 | 開關(guān) | R6010MND3 | N | 600 | 10 | 143 | 0.28 | 0.38 | 20 | 80 | 10 |
☆R6008MND3 | 600 | 8 | 115 | 0.45 | 0.61 | 13.5 | 65 | ||||
R6007MND3 | 600 | 7 | 95 | 0.54 | 0.73 | 10 | 60 | ||||
TO-220FM | R6030MNX | 600 | 30 | 90 | 0.11 | 0.15 | 45 | 90 | |||
☆R6020MNX | 600 | 20 | 72 | 0.19 | 0.25 | 30 | 85 | ||||
TO-3PF | R6047MNZ | 600 | 47 | 102 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 | |||
TO-247 | R6076MNZ1 | 600 | 76 | 740 | 0.04 | 0.055 | 115 | 135 | |||
R6047MNZ1 | 600 | 47 | 440 | 0.06 | 0.081 | 70 | 105 | ||||
封裝 | 用途 |
產(chǎn)品 名稱 |
極性 (ch) |
VDSS (V) |
ID (A) |
PD(W) (Tc=25°C) |
RDS(on)(Ω) |
Qg Typ. (nC) |
trr (Typ.) (ns) |
驅(qū)動(dòng) 電壓 (V) |
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VGS=10V | |||||||||||
Typ. | Max | VGS=10V |
☆:開發(fā)中
審核編輯黃宇
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