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LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例

王婷 ? 來(lái)源:一巷清苑 ? 作者:一巷清苑 ? 2023-02-10 09:41 ? 次閱讀

從本文開(kāi)始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。

LED照明電路(臨界模式PFCDC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例

下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨界模式(BCM)的PFC向LED供電的。

pYYBAGPbje6ANfH7AACXFGoNTv0644.gif

下面將介紹在該電路中改變PFC部的開(kāi)關(guān)MOSFET、DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開(kāi)關(guān)MOSFET、以及其柵極電阻RG,并對(duì)效率和噪聲進(jìn)行比較的情況。

原設(shè)計(jì)使用的超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”)標(biāo)記為“Original”??紤]到噪聲問(wèn)題,Original的RG采用100Ω。對(duì)此,將PFC及DC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)替換為三種SJ MOSFET,RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案。MOSFET采用高速開(kāi)關(guān)型R5207AND,以及新一代產(chǎn)品R6004END和R6004END,噪聲均得以降低。

下表中黃色高亮表示效率高于Original,綠色高亮表示最高效率。獲得的結(jié)論是PFC采用R5207AND、DC/DC轉(zhuǎn)換器采用R6004END的組合效率最佳,RG為50Ω時(shí)的效率更高(3種SJ MOSFET的組合共有9組結(jié)果,效果不好的已被省略)。與Original相比,效率提高了1%左右。效率是電路整體的效率。

pYYBAGPbje-AL1P7AAFrW-TVV6k688.gif

另外,請(qǐng)看下面DC/DC轉(zhuǎn)換器部的噪聲特性。數(shù)據(jù)是Original與效率最好的R6004END/50Ω的比較數(shù)據(jù)。

pYYBAGPbjfGADZImAACTeVwauS4600.gif

Original的開(kāi)關(guān)速度比較快,因此采用100Ω的RG作為噪聲對(duì)策比較妥當(dāng),不過(guò)低噪聲的R6004END在RG為50Ω時(shí)即使提高開(kāi)關(guān)速度后噪聲也比Original低,可在提高效率的同時(shí)降低噪聲。

下面比較一下PFC部和DC/DC轉(zhuǎn)換器部的波形,以確認(rèn)其原因。PFC部的波形如下。

pYYBAGPbjfKAHPSTAAETh1kETBQ729.gif

在PFC部,R5207AND的效率最高,由于在該范圍無(wú)法判別,所以進(jìn)行了放大。

pYYBAGPbjfSAI6F4AAEYpO1r36I278.gif

相對(duì)于Original,轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通的時(shí)間R6004END和R5207AND略慢。然后是轉(zhuǎn)換為關(guān)斷的情況。

poYBAGPbjfaAf2PfAAEZz08eXGM898.gif

從圖中可以看出,R6004END和R5207AND轉(zhuǎn)換為關(guān)斷的時(shí)間更快,更急劇??梢哉J(rèn)為這點(diǎn)可降低開(kāi)關(guān)損耗,有助于提高效率。接下來(lái)是DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開(kāi)關(guān)波形。

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對(duì)Original與效率較高的R6004END和R5207AND進(jìn)行了比較。R6004END還給出了RG為50Ω時(shí)的波形。同樣,對(duì)導(dǎo)通、關(guān)斷波形進(jìn)行放大。

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R6004END轉(zhuǎn)換為導(dǎo)通的時(shí)間最快,RG=50Ω時(shí)更快。

poYBAGPbjfyAHu3MAAG4_b358fQ016.gif

轉(zhuǎn)換為關(guān)斷的時(shí)間在RG=100Ω時(shí)R6004END最慢,但在RG=50Ω時(shí)則變?yōu)樽羁臁Mㄟ^(guò)這些比較,可以認(rèn)為R6004END+RG=50Ω的轉(zhuǎn)換最快,因此有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提高效率。

當(dāng)PFC采用R5207AND、DC/DC轉(zhuǎn)換器采用R6004END時(shí),開(kāi)關(guān)損耗略有減少,兩種因素疊加可使效率提高1%左右。另外,在開(kāi)關(guān)損耗降低的同時(shí),噪聲也得以改善。綜上所述,通過(guò)重新探討開(kāi)關(guān)MOSFET的特性和柵極電阻,可同時(shí)改善效率和噪聲,因此,與上一篇、上上篇中提到的二極管相同,MOSFET的特性也需要充分進(jìn)行探討和確認(rèn)。

審核編輯:湯梓紅


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