電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚)作為目前最先進的半導體制造設備,EUV***的誕生是由各個部件在技術上的集體突破才最終成型的,比如光刻膠、掩膜板和鏡組等等。但最為關鍵的還是EUV名號中的極紫外光的生成方式,也就是EUV***的光源。
EUV***的核心光源
與傳統(tǒng)的準分子激光直接生成的DUV光源不同,EUV采用的是一臺二氧化碳氣體激光器,通過轟擊液態(tài)錫形成等離子,從而產(chǎn)生13.5nm的EUV光源,傳入EUV的光學系統(tǒng)中。這也就是我們目前最為成熟的EUV光源,利用激光等離子體(LPP)的原理來實現(xiàn)。
在現(xiàn)有的EUV***路線圖中,我們看到ASML這樣的廠商已經(jīng)開始在著手開發(fā)高NA的EUV***了。這是因為在***曝光分辨率的公式R=kλ/NA中,進一步提高NA就能提高分辨率,而k為工藝因子,存在著0.25的理論極限值。那么為何不進一步減小EUV光源的波長呢?
在***冗長的發(fā)展歷史中,減小光源波長確實是跨越世代的核心突破之一,比如365nm的i-line到248nm的KrF DUV,再到193nm的ArF DUV等。但光源的波長并不是這么好減小的。
EUV光學系統(tǒng) / ASML
大家可以看一下蔡司為EUV***打造的這套光學鏡組系統(tǒng),包含了各種復雜的反射鏡,這是因為13.5nm的光源很容易被各種材料吸收,所以需要在真空環(huán)境中搭建這么一套系統(tǒng),即便是現(xiàn)在的13.5nm也是不斷篩選才確定下來的。
下一步,更大功率
EUV要解決的不僅是波長問題,更重要的是,ASML的LPP EUV光源中,激光器需要達到20kW的功率,而這樣的發(fā)射功率經(jīng)過重重反射,達到焦點處的功率卻只有350W左右。
更小的功率并不是說不能正常運行,只是對于這樣一臺售價上億美元的機器來說,這樣的功率還不足以最大化利用率,尤其是到了3nm和2nm節(jié)點后。據(jù)預計,為了最大化掃描速度,克服隨機效應帶來的影響,3nm節(jié)點需要1500W的焦點功率,2nm節(jié)點需要2800W的焦點功率。而這樣的功率是目前的LPP EUV達不到的,加大EUV光源功率可以說是迫在眉睫了。
清華大學工程物理系的唐傳祥研究組與合作團隊,就提出了以新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束(SSMB)”來作為EUV***光源的驗證,以實現(xiàn)更大的平均功率,讓未來的EUV***具備向比13.5nm更短的波長擴展的能力。
根據(jù)其論文中展示的數(shù)據(jù),SSMB可以實現(xiàn)平均功率大于1kW的EUV光輸出,甚至有可能擴展到下一代采用波長6.xnm的Blue-X光刻或BEUV光刻。然而,如果想要應用于EUV這樣短波長波段,SSMB光源在激光調制器、長脈沖注入系統(tǒng)和直線感應加速器上都存在較大技術挑戰(zhàn),所以仍需要深入研究才有機會落地。
除了SSMB外,日本等國家也在研究使用能量回收型直線加速器(ERL)的FEL(自由電子激光)方案,這種方案的極限功率更高,最高可實現(xiàn)10kW的EUV光,更重要的是,這套方案的碳足跡更低。根據(jù)日本高能加速器研究機構給出的數(shù)據(jù),F(xiàn)EL可以做到近LPP方案7分之一的耗電成本。不過與SSMB一樣,這類光源也存在不少需要突破的技術難點,而且造價只會更高。
結語
雖然我國對于EUV***這類設備的突破需求迫切,但作為當下最復雜的半導體制造設備,需要從各個組件上都找到突破,全環(huán)節(jié)驗收后才能造出這樣一臺成本高昂的機器。哪怕是ASML,也是在蔡司為其交付首個EUV光學組件系統(tǒng)的5年之后,才造出首臺原型EUV***的,實機的量產(chǎn)更是到了七八年之后。所以我們必須尋求基礎學科上的研究創(chuàng)新,并長期投入,這樣才有彎道超車的機會。
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