關(guān)鍵要點
?SiC MOSFET因其在降低功率轉(zhuǎn)換損耗方面的出色表現(xiàn)而備受關(guān)注。
?以DC-DC轉(zhuǎn)換器和EV應(yīng)用為例,介紹使用新一代(第4代)SiC MOSFET所帶來的優(yōu)勢–降低損耗。
在電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心、基站、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,由于更高電壓、更大容量的電源可以提高便利性,因此電源的電壓和容量呈現(xiàn)出顯著提高的趨勢,而從保護全球環(huán)境的角度來看,如何降低能耗已成為非常重要的課題。在這些應(yīng)用中,是需要通過功率轉(zhuǎn)換將電力轉(zhuǎn)換為適當值來使用電源的,而在功率轉(zhuǎn)換過程中會產(chǎn)生能量損耗。在高電壓、大容量的應(yīng)用中,這種損耗是不容忽視的大問題,近年來市場上強烈要求降低功率轉(zhuǎn)換過程中的能耗,也就是要求提高功率轉(zhuǎn)換效率。
SiC功率半導(dǎo)體的特點是支持高頻工作,而且在高電壓、大容量條件下的能量損耗非常低,因此這種產(chǎn)品作為提高功率轉(zhuǎn)換效率的有效方法而備受關(guān)注。ROHM能夠為眾多應(yīng)用提供SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。目前,ROHM已經(jīng)推出了第4代SiC MOSFET,正在為降低功率轉(zhuǎn)換損耗貢獻著重要力量。
在本系列文章中,我們通過降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器和EV應(yīng)用,來介紹第4代SiC MOSFET新產(chǎn)品在實際應(yīng)用中在降低損耗方面的出色表現(xiàn)。本系列預(yù)計發(fā)布以下文章:
●第4代SiC MOSFET的特點
●在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用第4代SiC MOSFET的效果
> 電路工作原理和損耗分析
> DC-DC轉(zhuǎn)換器實機驗證
●在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果
> EV應(yīng)用
> 裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗
> 圖騰柱PFC實機評估
在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用部分,將為大家講解開關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗、體二極管損耗、反向恢復(fù)損耗等損耗發(fā)生機制,并介紹使用具有出色高速開關(guān)性能的第4代SiC MOSFET時的損耗降低效果。
在EV應(yīng)用部分,將為您介紹針對EV的電源解決方案。在牽引逆變器應(yīng)用部分,將通過接入電機試驗臺實施的模擬行駛試驗的結(jié)果,來介紹第4代SiC MOSFET的特性和效果之間的關(guān)系。另外,在車載充電器(OBC)的組件之一——圖騰柱PFC部分,將通過在實際電路板上安裝第4代SiC MOSFET來介紹轉(zhuǎn)換器的特性提升效果。
了解碳化硅功率元器件及其應(yīng)用案例
介紹了在電源產(chǎn)品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潛力的碳化硅(SiC)的基本物理特性,以及SiC二極管和晶體管的使用方法及其應(yīng)用案例。
使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—
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在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果
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原文標題:R課堂 | 使用新一代SiC MOSFET降低損耗實證 —前言—
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