-接下來想請您介紹一下BD9G341AEFJ。首先請講一下概要。
BD9G341AEFJ內(nèi)置的MOSFET是N通道,額定為80V/3.5A。轉(zhuǎn)換方式是稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。用電阻,電容器,肖特基勢壘二極管以及電感等少量的外置元器件,可簡單地構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。
因?yàn)槭?a href="http://srfitnesspt.com/tags/電流/" target="_blank">電流模式控制,所以,相位補(bǔ)償簡單,可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)頻率可在50kHz~750kHz的范圍設(shè)置,以優(yōu)化尺寸和效率。此外,還具有近年來在DC/DC轉(zhuǎn)換器上搭載的幾乎所有的保護(hù)功能。
請參考下面的特點(diǎn),規(guī)格概略和應(yīng)用電路例。
內(nèi)置額定80V/3.5A,Ron 150mΩ的Nch MOSFET
最大輸出電流:3A
輸入電壓范圍:12V~76V
輸出電壓范圍:1.0V~輸入電壓
開關(guān)頻率(可變):50kHz~750kHz
基準(zhǔn)電壓:1.0V±1.5%(25℃)±2%
(整個溫度范圍)
高精度EN閾值±3%
軟啟動功能
待機(jī)功能
搭載過電流保護(hù)(OCP),
防止低輸入誤動作(UVLO),
溫度保護(hù)電路(TSD),
過電壓保護(hù)(OVP)
工作溫度范圍:-40℃~+85℃
封裝:HTSOP-J8(4.9 x 6.0 x 1.0mm)
-我曾認(rèn)為既然稱作高耐壓產(chǎn)品是不是因?yàn)橛惺裁刺貏e之處,但其實(shí)它的構(gòu)成非常簡單啊。
一般高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器多采用外置高耐壓MOSFET的電路結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高耐壓,但BD9G341AEFJ通過內(nèi)置MOSFET,不再需要進(jìn)行MOSFET的選型工作等。安裝面積因無外置MOSFET的部分而變小。是一款不僅高耐壓,而且集成了作為最先進(jìn)的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC所需特性的IC。
-也就是除高耐壓之外,還有其他優(yōu)勢對吧。
BD9G341AEFJ是以4個關(guān)鍵點(diǎn)為前提開發(fā)的。
1. 實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的80V高耐壓
2.以80V級的DC/DC轉(zhuǎn)換器,實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高效率
3.搭載防止破壞、提高安全性的保護(hù)功能,提高設(shè)備的可靠性
4.通過小型封裝和減少外置元器件,謀求進(jìn)一步節(jié)省空間以及設(shè)計(jì)的簡化
-通過內(nèi)置MOSFET來實(shí)現(xiàn)80V耐壓,還是很不容易的吧?
前面已經(jīng)稍作介紹,80V的高耐壓是通過ROHM擁有的業(yè)界最先進(jìn)的電源系統(tǒng)工藝——0.6μm的高耐壓BiCDMOS而實(shí)現(xiàn)的。如果沒有這種高級的制造工藝是無法制造的。實(shí)際上,從市場的高耐壓產(chǎn)品尚未達(dá)到80V看也可明確知道這一點(diǎn)。要想完全滿足包括電信和工業(yè)領(lǐng)域的48V級輸入電壓需求,需要80V的耐壓。如果是80V,可對突發(fā)的浪涌等保有較大余量,因此,可提高電源條件嚴(yán)格、實(shí)用性要求高的應(yīng)用可靠性。
-關(guān)于效率,聽說在從高輸入電壓降到低電壓的條件下,效率會變差?
一般來說,支持高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器,受元件特性和電路結(jié)構(gòu)等影響,效率常常比低電壓用的差。另外,從48V降到5V這類降壓比高的條件下,比從12V降到5V這樣的條件下的效率要低。BD9G341AEFJ與類似的IC比較時,最大可改善效率19%,穩(wěn)定狀態(tài)下可改善效率1.5%。圖中是振蕩頻率300kHz、輸入電壓48V、輸出電壓5V條件下的數(shù)據(jù)。
-處理高電壓時,防止破壞、提高安全性都是非常重要的吧。
處理高電壓是前提,所以,考慮到需要具備更安全的保護(hù)功能,輸出短路保護(hù)搭載了ROHM獨(dú)有的打嗝(hiccup)模式。通常的輸出短路保護(hù),雖然保護(hù)功能會工作,但有可能成為過熱狀態(tài),最終導(dǎo)致產(chǎn)品破壞。BD9G341AEFJ的保護(hù)功能,周期性地進(jìn)行關(guān)斷與恢復(fù),抑制發(fā)熱的同時當(dāng)障礙排除時,就會自動恢復(fù)。通過這種方法,可防止電源被破壞,提高應(yīng)用的可靠性。
-第4點(diǎn)是小型化和設(shè)計(jì)的簡化,這是近來必須考慮的課題。
將包括80V高耐壓MOSFET在內(nèi)的柵極驅(qū)動器用升壓二極管等一般外置的元器件盡可能地內(nèi)置,使外置元器件保持在最低限度。類似產(chǎn)品需要的外置元器件是17個左右,但BD9G341AEFJ僅需12個即可。此外,不僅具有如此高的集成度,還成功實(shí)現(xiàn)小型8引腳HTSOP-J8(4.9 x 6.0 x 1.0mm)封裝。這樣,減少了安裝面積的同時,設(shè)計(jì)及評估也變得非常簡單。特別是通過內(nèi)置MOSFET,可以大大減少M(fèi)OSFET選型和評估作業(yè),縮短產(chǎn)品投入到市場的時間。
-最后,請總結(jié)歸納一下。
如果考慮電信和工業(yè)設(shè)備市場的要求,現(xiàn)有的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,很難實(shí)現(xiàn)具有安全余量的電源。相比之下,ROHM以實(shí)現(xiàn)了80V業(yè)界頂級耐壓的IC,進(jìn)入高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC市場。這對用戶來說,高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的選擇增多了。
但是,近年來的小型省力化要求、以及縮短產(chǎn)品投入市場的時間等課題,是必須要應(yīng)對的。只是單純的“80V高耐壓”,無法解決用戶的不滿和課題,因而ROHM開發(fā)了BD9G341AEFJ。
目前,ROHM正在進(jìn)行使高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容更完善的衍生品開發(fā),因此,敬請期待今后的產(chǎn)品陣容。
審核編輯黃宇
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