晶能光電將發(fā)布全彩Micro LED模組，像素密度1000PPI

近日，央視《焦點(diǎn)訪談》欄目播出《強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合 補(bǔ)短“鍛”長(zhǎng)》，聚焦國(guó)家石墨烯創(chuàng)新中心、國(guó)家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心和國(guó)家超高清視頻創(chuàng)新中心三大國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心。晶能光電作為國(guó)家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心的組建單位之一，接受了央視采訪。

晶能光電介紹，公司利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā)，為虛擬現(xiàn)實(shí)硬件——AR眼鏡提供高性能的Micro LED光源產(chǎn)品，助力超小輕薄AR眼鏡面市。

據(jù)悉，出于對(duì)硅襯底GaN基Micro LED在AR/VR產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景的看好，晶能光電早在2018年便開(kāi)始硅襯底Micro LED的研發(fā)工作，并取得不少突破。

2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。

晶能光電展示的硅襯底GaN基RGB Micro LED陣列（圖片來(lái)源：晶能光電）

據(jù)透露，晶能光電帶驅(qū)動(dòng)的三基色Micro LED顯示模組將于今年晚些時(shí)候發(fā)布。隨著Micro LED技術(shù)及成本優(yōu)勢(shì)的放大，有望加速其在大屏、近眼顯示、車(chē)載等領(lǐng)域的大規(guī)模商用。

審核編輯 ：李倩