ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性

新型硅基快速恢復體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性

ST超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr)，以及出色的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qg)，能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

最新的快速恢復體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化。

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復效應，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態(tài)電阻(RDS(on))和柵電荷(Qg)，與同類競爭器件和意法半導體先前的技術(shù)相比，幫助設計人員獲得了更高的效率水平。

關鍵特性

行業(yè)領先的品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qg)

體二極管反向恢復時間(trr)性能提高

提高了dv/dt(120V/ns)和di/dt能力(1300A/μs)

優(yōu)化了體二極管恢復階段和平緩性