芯片封裝是芯片成品至關(guān)重要的一步,封裝最初定義是保護(hù)電路芯片免受周?chē)h(huán)境的影響,包括來(lái)自物理、化學(xué)方面的影響。芯片連接好之后就到了封裝的步驟,就是要將芯片與引線架“包裝”起來(lái),氣密性封裝是集成電路芯片封裝技術(shù)的關(guān)鍵之一。所謂氣密性封裝是指完全能夠防止污染物(液體或固體)的侵入和腐蝕的封裝。
集成電路密封是為了保護(hù)器件不受環(huán)境影響(外部沖擊、熱及水)而能長(zhǎng)期可靠工作,所以對(duì)集成電路封裝的要求有以下幾點(diǎn):
1、氣密性和非氣密性要求:
1.1氣密性封裝:釬焊、熔焊、壓力焊和玻璃熔封四種(軍工產(chǎn)品)。
1.2非氣密性封裝:膠粘法和塑封法(多用于民用器件)。
- 器件的受熱要求:對(duì)塑封溫度的要求。
- 器件的其他要求:必須能滿(mǎn)足篩選條件或環(huán)境試驗(yàn)條件,如振動(dòng)、沖擊、離心加速度、檢漏壓力以及高溫老化等的要求。
4、器件使用環(huán)境及經(jīng)濟(jì)要求。
集成電路芯片封裝的主要目的之一即為提供IC芯片的保護(hù),避免不適當(dāng)?shù)碾姟?、化學(xué)及機(jī)械等因素的破壞。在外來(lái)環(huán)境的侵害中,水汽是引起IC芯片損壞最主要的因素,由于IC芯片中導(dǎo)線的間距極小,在導(dǎo)體間很容易建立起一個(gè)強(qiáng)大的電場(chǎng),如果有水汽侵入在不同金屬之間將因電解反應(yīng)(Galvanic Cell)引發(fā)金屬腐蝕;在相同金屬之間則產(chǎn)生電解反應(yīng)(Electrolytic Reaction),使陽(yáng)極處的導(dǎo)體逐漸溶解,陰極處的導(dǎo)體則產(chǎn)生鍍著或所謂的樹(shù)枝狀成長(zhǎng)(Dendrite Growth)。這些效應(yīng)都將造成IC芯片的短路、斷路與破壞。
主要的封裝密封材料的水滲透率如圖3-1所示,可以看出沒(méi)有一種材料能永遠(yuǎn)阻絕水汽的滲透。以高分子樹(shù)脂密封的塑料封裝中,水分子通常在幾個(gè)小時(shí)內(nèi)就能侵入。能達(dá)到所謂氣密性封裝的材料通常指金屬、陶瓷及玻璃,因此金屬封裝、陶瓷封裝及玻璃封裝被歸類(lèi)于高可靠度封裝,也稱(chēng)為氣密性封裝或封裝的密封。塑料封裝則為非氣密性封裝。
氣密性封裝可以大大提高電路特別是有源器件的可靠性。有源器件對(duì)很多潛在的失效機(jī)理都很敏感,如腐蝕、可能受到水汽的侵蝕,會(huì)從鈍化的氧化物中浸出磷而形成磷酸,這樣又會(huì)侵蝕鋁鍵合焊盤(pán)。
是否氣密性封裝主要是考慮密封腔內(nèi)的水分多少,密封腔體內(nèi)的水分主要來(lái)源于以下幾部分:
(1)封入腔體內(nèi)的氣體中含有的水分。
(2)管殼內(nèi)部材料吸附的水分。
(3)封蓋時(shí)密封材料放出的水分。
(4)儲(chǔ)存期間,通過(guò)微裂紋及封裝缺陷滲人的水分。
而降低密封腔體內(nèi)部水分的主要途徑有以下幾種:
(1)采取合理的預(yù)烘工藝。
(2)避免烘烤后的管殼重新接觸室內(nèi)大氣環(huán)境。
(3)盡量降低保護(hù)氣體的濕度。
科準(zhǔn)測(cè)控W260推拉力測(cè)試機(jī)廣泛用于與LED封裝測(cè)試、IC半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TO封裝測(cè)試、IGBT功率模塊封裝測(cè)試、光電子元器件封裝測(cè)試、大尺寸PCB測(cè)試、MINI面板測(cè)試、大尺寸樣品測(cè)試、汽車(chē)領(lǐng)域、航天航空領(lǐng)域、軍工產(chǎn)品測(cè)試、研究機(jī)構(gòu)的測(cè)試及各類(lèi)院校的測(cè)試研究等應(yīng)用。
綜上所訴,就是小編給大家介紹的氣密性封裝與非氣密性封裝是什么?以及對(duì)集成電路的要求了,希望能給大家?guī)?lái)幫助。如果您對(duì)氣密性封裝與非氣密性封裝、半導(dǎo)體集成電路、芯片封裝、推拉力測(cè)試機(jī)等有什么不明白的,歡迎給我們私信,科準(zhǔn)測(cè)控的技術(shù)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您免費(fèi)解答,更多精彩內(nèi)容,我們下一期見(jiàn)!
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