輸入電容對低頻特性的影響

小川今天給大家介紹的是輸入電容對低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。

仿真之前我們先看看影響放大器低頻特性的主要電容是：

1、輸入耦合電容Ci和輸入阻抗Ri： fT=1/2πRiCi

2、輸出耦合電容Co和負(fù)載阻抗RL： ft=1/2πRLCo

仿真前

仿真中

波特圖

影響放大電路低頻特性的因素很多，比如受耦合電容 、及射極旁路電容的影響。本例測量輸入電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變，僅輸入電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標(biāo)，按下述要求調(diào)節(jié)：Mode區(qū)，選擇Magnitude;Horizontal區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為100MHz，I值為1Hz;Vertical區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為40dB，I值為-20dB。打開電源開關(guān)，就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動讀數(shù)指針在曲線中間部位，測量出中頻時的增益，再分別求出高、低端的-3db頻率點，測得 f(L)=48Hz。