羅姆SiC-MOSFET開發(fā)板開箱測試

這篇文章來源于電子發(fā)燒友網(wǎng) 網(wǎng)友李**

上周收到了羅姆的評估板，初步分析看了下需要做的技術(shù)準備工作較多，同時也需要自己設(shè)計方案，需要的時間較多。所以先寫一個測試計劃。收到的產(chǎn)品外觀如下：

這兩天做了一部分的準備工作：

控制電路板：

這是一款STM32F4系列的開發(fā)板，具有多個PWM通道信號，滿足評估板發(fā)波控制電源應(yīng)用要求。

同時準備了兩塊散熱器，評估的碳化硅器件有2種:SCT3040KR和SCT3040KL。散熱器這兩天在單位的機床上自己轉(zhuǎn)孔，弄得不好，后面干脆兩個器件一個背一個散熱器好了。

評估板上配置豐富，提供多種接口?？次臋n這塊電路板可以評估多種電路拓撲，文檔寫了主要可進行半橋式電路評估，半橋式開關(guān)電源的特點在于原邊開關(guān)元件的電壓應(yīng)力，減少開關(guān)損耗，可以有效提高各類電子元器件的使用壽命。同時由于電路使用了兩個開關(guān)管，非常推薦應(yīng)用在中小功率隔離開關(guān)電源中，更具備成本優(yōu)勢，其電路原理圖如下。

半橋電路電路的工作原理是這樣，不對稱半橋式開關(guān)電源中，整個電路的核心部件是通過兩個mos管組成半橋電路，兩個MOS管交替進行通斷操作，驅(qū)動副邊兩個繞組工作。當原邊的上MOS管導(dǎo)通，下MOS管截止時，原邊承受電壓，此時副邊上繞組導(dǎo)通，上半部二極管導(dǎo)通，下半部二極管截止，輸出電壓形成環(huán)路。當原邊上MOS管截止，下MOS管導(dǎo)通時，隔直電容作用于原邊，此時副邊下繞組導(dǎo)通，下半部二極管導(dǎo)通，上半部二極管截止，輸出電壓形成環(huán)路。

這個電路的特點是適合中小功率的風(fēng)電驅(qū)動應(yīng)用，同時也相對有成本優(yōu)勢。

評估板主要提供驅(qū)動部分電路，控制則有STM32實現(xiàn)。查看電路，還有很多外部器件還要準備，還得找找器件來搭一搭，找地方弄弄這東西。

完整環(huán)境搭建

整個電路板簡明易懂的電路拓撲如下：

電路板的應(yīng)用需要先測試控制信號，其控制IC為BD7F200，其發(fā)波設(shè)置也有很多種方式。整個電路板還有很多細節(jié)需要推敲，研究價值非常大，可以做的東西很多，后續(xù)繼續(xù)補充，這塊電路的設(shè)計可以滿足很多實驗環(huán)境的搭建，后續(xù)努力實現(xiàn)。

審核編輯：湯梓紅