降壓穩(wěn)壓器在各種便攜式和非便攜式設(shè)備中非常受歡迎。這些降壓轉(zhuǎn)換器端接一個輸入電容 C在和一個輸出電容 CO,在輸出端。C在提供高頻濾波,使V在紋波低。本應(yīng)用筆記可幫助系統(tǒng)設(shè)計人員設(shè)置 Mathcad 并計算 C 語言在適用于特定的降壓型 DC-DC 穩(wěn)壓器設(shè)計。
降壓穩(wěn)壓器用于便攜式和非便攜式設(shè)備,如PDA、手機(jī)、計算機(jī)、電信/網(wǎng)絡(luò)和消費類產(chǎn)品。這些降壓轉(zhuǎn)換器端接一個輸入電容 C在,在輸入端,和一個輸出電容 CO,在輸出端。兩個電容器的功能是提供高頻濾波,使V在和 VO接近純直流電,紋波噪聲很小。
電容器通常由R、L和C的串聯(lián)組合表示,R是等效串聯(lián)電阻(ESR),L是等效串聯(lián)電感(ESL)。項 C 等于理想電容器值。
圖1顯示了同步降壓功率級的典型原理圖以及用于推導(dǎo)和計算的相關(guān)波形。
圖1.典型同步降壓功率和波形。
在 MathCAD 中為示例計算設(shè)置變量和數(shù)據(jù):
輸入電壓 | VI:= 12 | n := 10-9 |
輸出電壓 | VO:= 3.3 | u := 10-6, k := 103 |
輸出電流 | IO:= 25 | m := 10-3 |
高邊開關(guān)壓降 | VHS:= 0.227 | |
低側(cè)開關(guān)壓降 | VLS:= 0.113 | |
開關(guān)電流上升時間 | TRS:= 25 × n | |
開關(guān)電流下降時間 | TFS:= 25 × n | |
開關(guān)頻率 | FS:= 600 × k | |
占空比 | D := (VO+ VLS) / (VI- VHS+ VLS) | D = 0.287 |
開關(guān)(Q1) 導(dǎo)通時間 | TON:= D / FS | |
開關(guān)(Q1)關(guān)斷時間 | TOFF:= 1 / FS- TON | |
轉(zhuǎn)換器效率 | η := 0.9 | |
輸入電流 | IIN:= VO× IO/ η × VI | IIN:= 7.639 |
輸出電感器峰峰值紋波電流 |
IRPL:= 0.3 × IO |
|
輸入電容器 | CIN:= 40 × u | (4 x 10uF 陶瓷,ESR = 10mΩ 每個和 ESL = 每個 2.5nH) |
輸入電容 ESR | ESRCIN:= 2.5 × m | |
輸入電容 ESL | ESLCIN:= 0.625 × n |
如圖1所示,通過輸入電容的輸出紋波電流導(dǎo)致CIN兩端的電壓反映ESR、ESL和C的值。ESR和ESL導(dǎo)致快速步進(jìn)電壓上升和下降,而C由于電容器充電和放電而具有線性電壓上升和下降。在TON開始時,CIN看到負(fù)步進(jìn)電流,這將產(chǎn)生由以下公式給出的負(fù)步進(jìn)電壓:
在 TON 期間,電容器釋放的平均電流為 (IO-IIN),這導(dǎo)致線性 ΔV 為:
從TON開始到TON結(jié)束的總電壓偏差是上述各項的總和:
類似地,但在極性相反的情況下,在TOFF開始時和TOFF期間,計算以下電壓偏差:
峰峰值紋波等于兩者中較高的一個,即ΔVOFF~1V。從上面可以看出,大部分紋波是由ESL和快速di/dt引起的。1A/nS 的 Di/dt 在當(dāng)今的 MHz DC-DC 轉(zhuǎn)換器中非常現(xiàn)實。因此,為了減少紋波,需要并聯(lián)放置更多的電容器。較低值的陶瓷電容器,例如 0 或 1 封裝中的 0805.1206uF,其 ESL 是 10uF 的一半,即 ~1.2nH。將0.1uF盡可能靠近敏感去耦點。
另一個需要確定的參數(shù)是通過輸入電容的RMS電流,使電容I有效值未超過評級。從 I中信波形,RMS電流可以近似(因為峰峰值電感紋波電流通常為I的20-30%Omax)為:
其中D = (VO + VLS) / (VIN + VLS + VHS), and IIN = (VO × IO) / η × VIN
為了進(jìn)一步簡化,設(shè)D = VO/VIN (since V0 >> VLS, and VIN + VLS - VHS ~ VIN), and IIN = VO × IO/VIN (由于效率η~1),因此,上面的ICINRMS方程變?yōu)椋?/p>
簡化版本僅產(chǎn)生~1.4%的誤差,并且僅涉及三個已知參數(shù):VI,VO和IO。VO是固定的,IO,VI可以有一個指定的范圍,具體取決于應(yīng)用。但是,ICINRMS始終具有IO / 2的最大值,這發(fā)生在VI = 2VO時,并且VI的值<2IO和VI的值>2LO減小。下圖 2 中的圖對此進(jìn)行了說明:
圖2.
由于高di/dt和脈動電流,因此選擇陶瓷電容器,因為它具有低ESR和ESL。在高頻下需要更高的紋波電流額定值,以包含開關(guān)尖峰。確保電容器的 RMS 額定電流遠(yuǎn)高于最大工作 RMS 電流。為了獲得長期可靠性,請選擇溫升小于10°C的電容器。大多數(shù)電容器制造商都提供顯示RMS電流與溫升的關(guān)系圖。
審核編輯:郭婷
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