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半橋LLC電路中模塊損耗的影響

CHANBAEK ? 來源:頭條號艾伊電源 ? 作者:頭條號艾伊電源 ? 2023-03-23 09:35 ? 次閱讀

半橋電路上下橋臂的死區(qū)時(shí)間定為190nS,這個(gè)時(shí)間和LLC電路功率管的ZVS工作狀態(tài),功率管驅(qū)動的可靠性密切相關(guān),同時(shí)也影響諧振電流大小和模塊整機(jī)效率 。對于LLC電路,我們將額定工作點(diǎn)設(shè)置在諧振點(diǎn)附近,通過實(shí)現(xiàn)功率管的ZVS開通和輸出二極管的零反向恢復(fù)來實(shí)現(xiàn)模塊的高效率。為了滿足ZVS條件,死區(qū)時(shí)間必須滿足:

pYYBAGQbrNuAPOLRAAAZUM7uc8E412.jpg

其中:

pYYBAGQbrN2AT7UwAAAJTfw2WLo873.jpg

輸入母線電壓,

pYYBAGQbrN2AGjDyAAAGGfRfv8o720.jpg

:功率管漏源極間電容,

poYBAGQbrN6AY9NuAAAFDic3pY0435.jpg

為勵(lì)磁電流。

而輸出電壓和變壓器匝比確定時(shí),勵(lì)磁電流的大小由諧振頻率和勵(lì)磁電感決定:

pYYBAGQbrN-AFMG5AAAU7AVxA6w930.jpg

Tr為諧振周期,因此我們可以得出LLC對稱半橋上下管死區(qū)時(shí)間和勵(lì)磁電感,諧振頻率的關(guān)系:

pYYBAGQbrOCASVlmAAAWRS7GlQU154.jpg

LLC的參數(shù)設(shè)計(jì)過程中,如果增大勵(lì)磁電感Lm,可以減少功率管的關(guān)斷電流,從而減少其關(guān)斷損耗,如果不考慮橋臂的死區(qū)時(shí)間,我們認(rèn)為模塊流過諧振電感和變壓器原邊的諧振都是減少的。但是如果考慮死區(qū)時(shí)間對功率管和輸出二極管有效導(dǎo)通時(shí)間的影響,當(dāng)死區(qū)時(shí)間td增大時(shí),有效的占空比會減少,在輸出負(fù)載相同的情況下,流過輸出二極管的電流和諧振電感和變壓器傳能部分的電流

poYBAGQbrOCAZfFvAAAIjA3-L5o087.jpg

將增大,所以勵(lì)磁電流和傳能電流

poYBAGQbrOCAZfFvAAAIjA3-L5o087.jpg

是矛盾的,其有效值近似為:

pYYBAGQbrOGAQvTNAAAZ69HPhuk883.jpg

poYBAGQbrOKAcdPXAACHkKccvJ8535.jpg

圖9 死區(qū)影響和勵(lì)磁電流,諧振電流示意圖

當(dāng)LLC電路的諧振參數(shù)確定時(shí),勵(lì)磁電流就確定了,在滿足公式1的情況下,考慮上下管的驅(qū)動特性偏差和驅(qū)動電路的延時(shí)偏差,保證功率管可靠性的前提下,我們應(yīng)該盡可能減少死區(qū)時(shí)間。對于具體參數(shù)的模塊:

poYBAGQbrOSAArK2AAAaLd7N4bU466.jpg

其中

pYYBAGQbrN2AGjDyAAAGGfRfv8o720.jpg

取20N60C3漏源電壓VDS為50~200VDC時(shí)的近似值(150nF)和旁邊并聯(lián)電容220nF的和。從計(jì)算的結(jié)果看現(xiàn)在的死區(qū)時(shí)間190nS裕量很大,可以適當(dāng)?shù)臏p少,當(dāng)190nS的死區(qū)時(shí)間時(shí),54V/1000W,通過計(jì)算可得到諧振電流為:

poYBAGQbrOWAbzQjAAA32vMHTDk236.jpg

而當(dāng)死區(qū)時(shí)間改為120nS時(shí), 諧振電流為6.528A

以80℃結(jié)溫計(jì)算,兩個(gè)功率管的損耗相差:

pYYBAGQbrOaAM6t4AAAO3uf2kOE250.jpg

變壓器的原副邊電流,以及流過輸出二極管的電流沒找到合適的公式計(jì)算,但是通過仿真可以得到兩個(gè)死區(qū)時(shí)間190nS和120nS時(shí),變壓器原邊電流分別為5.6728A和5.6486A,變壓器副邊電流分別為:20.8A和20.7A,損耗相差很少,另外死區(qū)時(shí)間減少對功率管反向恢復(fù)電流也會有改善。

所以從計(jì)算結(jié)果看,死區(qū)時(shí)間由190nS減少到120nS對效率的改善比較小,約減少1W損耗,實(shí)際效果由測試結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。

當(dāng)死區(qū)時(shí)間為190nS,測試模塊的輸出電壓48~58V,負(fù)載在大于150W時(shí),模塊都工作ZVS狀態(tài),42V時(shí)要大于200W以上才可能實(shí)現(xiàn)ZVS如下圖所示(在調(diào)頻狀態(tài),上下管的ZVS狀態(tài)近似)

poYBAGQbrOeAfpOhAAEBCETcALs425.jpg

圖10 54V/100W上管導(dǎo)通

poYBAGQbrOiAIH5HAADzY5Ycqbo117.jpg

圖11 54V/150W上管導(dǎo)通

如果死區(qū)改成120nS,測試到的上管開通波形如下圖所示,功率要大于200W才能完全實(shí)現(xiàn)ZVS開通

poYBAGQbrOmAX-JTAAENQ1ezgqs634.jpg

圖12 54V/100W上管導(dǎo)通

pYYBAGQbrOqAMhlFAAD-ozXSSh0419.jpg

圖13 54V/200W上管導(dǎo)通

從測試的結(jié)果看,死區(qū)時(shí)間從190nS減少到120nS,模塊實(shí)現(xiàn)ZVS會有影響,輕載200W以下功率管的關(guān)斷電壓會高,功率管漏源極的電壓拖尾,無法完全關(guān)斷,在驅(qū)動上可以測試到一個(gè)電壓平臺。

我們對死區(qū)改動前后模塊效率進(jìn)行對比,測試到的結(jié)果如下表。

表2 死區(qū)190nS效率測試結(jié)果

輸入功率(W) 輸出電壓(V) 輸出電流(A) 輸出功率(W) 效率(%)
1098.7 53.379 19.0428 1016.486 0.925171
983 53.397 17.0792 911.978 0.92775
871.2 53.417 15.1356 808.4983 0.928028
762.8 53.44 13.2428 707.6952 0.92776
650 53.461 11.2892 603.5319 0.928511
543.7 53.481 9.4072 503.1065 0.925338
437.9 53.501 7.5356 403.1621 0.920672
329.1 53.521 5.5704 298.1334 0.905905
225.4 53.543 3.7168 199.0086 0.882913
119 53.56 1.8076 96.81506 0.813572
11.2 53.579 0 0 0

表3 死區(qū)120nS效率測試結(jié)果

輸入功率(W) 輸出電壓(V) 輸出電流(A) 輸出功率(W) 效率(%)
1087 53.371 18.87 1007.111 0.926505
985 53.387 17.1404 915.0745 0.92901
871.8 53.412 15.1848 811.0505 0.930317
762.2 53.428 13.2768 709.3529 0.930665
649.9 53.448 11.3088 604.4327 0.93004
543.5 53.47 9.4244 503.9227 0.927181
433.7 53.49 7.4704 399.5917 0.921355
328.5 53.512 5.5824 298.7254 0.909362
224.6 53.532 3.7132 198.775 0.885018
123.16 53.551 1.8884 101.1257 0.821092
10.99 53.566 0 0 0

pYYBAGQbrOuAKuwCAAFNCVjywks989.jpg

圖14 死區(qū)優(yōu)化效率對比

從測試的結(jié)果看,死區(qū)減少到120nS,模塊的效率約提高了0.1%~0.15%,這和計(jì)算的結(jié)果是吻合的。

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