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全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

CHANBAEK ? 來源:頭條號艾伊電源 ? 作者:頭條號艾伊電源 ? 2023-03-30 14:40 ? 次閱讀

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圖 1 全橋LLC主功率電路

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圖 2 中心對稱發(fā)波原理

在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動信號有很長一段時間處于低電平,諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流衰減到0,體二極管就進入反向恢復(fù)狀態(tài),漏源電壓Vds上升(在占空比較小的情況下,Vds可上升到PFC母線電壓),此MOS管失去0電壓開通條件,見下圖的異常波形。

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圖 3 硬開通工作狀態(tài)(Vout=5.6V/Io=238A)

這樣調(diào)寬橋臂MOS管的開關(guān)損耗就增加了兩部分損耗:反向恢復(fù)損耗和硬開通損耗。以12V3000W模塊中使用的MOS管INFINEON IPW65R080CFD為例,假設(shè)開關(guān)頻率為220kHz,則增加的開關(guān)耗有以下三部分組成,如此大的開關(guān)損耗將會使MOS管過熱損壞。

1.反向恢復(fù)損耗:UPFC*Qrr*fs (手冊中給出Qrr=1uC,實際IF和dIF/dt都小于手冊數(shù)值,即便按照Qrr=0.1uC這部分損耗也有8.8W)

2.MOS管外并電容引起開通損耗:100pF*(400V)2*220kHz=3.52W

3. MOS管的Coss引起開通損耗: 135pF*(400V)2*220kHz=4.05W

為防止以上硬開通現(xiàn)象的發(fā)生,可在MOS管的體二極管反向恢復(fù)之前就發(fā)出開通信號將其溝道導(dǎo)通,即將調(diào)寬橋臂驅(qū)動信號的上升沿往前移,移至另外一開關(guān)管驅(qū)動信號的下降沿處(忽略死區(qū)時間),這等效為移相發(fā)波,見下圖,調(diào)寬橋臂為超前橋臂,調(diào)頻橋臂為滯后橋臂。

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圖 4 調(diào)寬橋臂的對稱發(fā)波前沿往前移動(等效為移相發(fā)波)

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圖5 (a)對稱發(fā)波實驗波形

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圖5 (b)移相發(fā)波實驗波形

圖 5 計算占空比為35%時兩種發(fā)波方式的工作波形(Vbus=320V,Io=100A)

上圖是進入調(diào)寬態(tài)以后兩種發(fā)波方式的對比情況:在計算占空比為35%時對稱發(fā)波工作在硬開關(guān)狀態(tài),見(a)圖,此時管子的溫度急劇飆升,只能手動關(guān)機以保護模塊,而移相發(fā)波仍然工作在零電壓開通狀態(tài),MOS管的溫度只有40攝氏度。

可見,在輸出電流較大的情況下,移相發(fā)波能夠很好的解決由于占空比太小而出現(xiàn)的過熱問題(注:在低壓輕載工作狀態(tài)下,實際的占空比進一步減小,甚至接近于0,這就造成勵磁電流的峰值太小,在死區(qū)時間內(nèi)MOS管Coss的電荷無法被抽走,MOS管出現(xiàn)硬開通。這種硬開通是無法通過移相發(fā)波方式解決的)。

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