RA2快速設(shè)計(jì)指南 [5] 復(fù)位要求和復(fù)位電路

6. 復(fù)位要求和復(fù)位電路

Arm Cortex-M23產(chǎn)品共有12或13種類(lèi)型的復(fù)位。

表11. Arm Cortex-M23 MCU復(fù)位

注：RA2E1及RA2E2產(chǎn)品不支持。

6.1 引腳復(fù)位

當(dāng)RES#引腳被拉低時(shí)，所有處理都將中止，MCU進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。要在運(yùn)行中復(fù)位MCU，應(yīng)在指定的復(fù)位脈沖寬度內(nèi)將RES#保持為低電平。有關(guān)時(shí)序要求的更詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件手冊(cè)》中“電氣特性”一章的“復(fù)位時(shí)序”部分。另請(qǐng)參見(jiàn)本系列文章的第2節(jié)“仿真器支持”，了解與調(diào)試支持相關(guān)的復(fù)位電路的詳細(xì)信息。

無(wú)需在RES#線(xiàn)路上使用外部電容，因?yàn)镻OR電路在內(nèi)部將其保持為低電平以實(shí)現(xiàn)良好的復(fù)位，并且需要最小的復(fù)位脈沖來(lái)啟動(dòng)此過(guò)程。

6.2 上電復(fù)位

有兩種情況會(huì)產(chǎn)生上電復(fù)位（POR）：

1. 如果RES#引腳在接通電源后處于高電平狀態(tài)。

2. 如果RES#引腳在VCC低于V_POR時(shí)處于高電平狀態(tài)。

在VCC超過(guò)上電復(fù)位電壓（V_POR）并經(jīng)過(guò)上電復(fù)位時(shí)間（t_POR）之后，芯片將從上電復(fù)位狀態(tài)釋放。上電復(fù)位時(shí)間是允許外部電源和MCU達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間。有關(guān)電壓大小和時(shí)序的詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件手冊(cè)》中“電氣特性”一章的“POR和LVD特性”部分。

由于POR電路依賴(lài)于RES#與VCC同時(shí)為高電平，因此請(qǐng)勿在復(fù)位引腳上放置電容。這將減慢RES#相對(duì)于VCC的上升時(shí)間，從而妨礙POR電路正確識(shí)別上電條件。

當(dāng)電源（VCC）降至不超過(guò)V_POR時(shí)，如果RES#引腳為高電平，則會(huì)產(chǎn)生上電復(fù)位。在VCC上升到V_POR以上并且經(jīng)過(guò)t_POR之后，芯片將從上電狀態(tài)釋放。

上電復(fù)位后，RSTSR0中的PORF位置1。引腳復(fù)位后，PORF清零。

6.3 獨(dú)立看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位

這是由獨(dú)立看門(mén)狗定時(shí)器（IWDT）產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。

當(dāng)IWDT下溢時(shí)，可以選擇產(chǎn)生獨(dú)立看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位（可以改為產(chǎn)生NMI），并且RSTSR1中的IWDTRF位置1。短暫延遲后，將取消IWDT復(fù)位。詳情請(qǐng)參照《硬件手冊(cè)》。

6.4 看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位

這是看門(mén)狗定時(shí)器（WDT）產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。

當(dāng)WDT下溢時(shí)，可以選擇產(chǎn)生看門(mén)狗定時(shí)器復(fù)位（可以改為產(chǎn)生NMI），并且RSTSR1中的WDTRF位置1。短暫延遲后，將取消WDT復(fù)位。詳情請(qǐng)參照《硬件手冊(cè)》。

6.5 電壓監(jiān)視復(fù)位

RA2系列包括允許MCU在欠壓期間防止不安全操作的電路。板上比較器根據(jù)三個(gè)參考電壓V_det0、V_det1和V_det2檢查電源電壓。當(dāng)電源下降到每個(gè)參考電壓以下時(shí)，會(huì)產(chǎn)生中斷或復(fù)位。檢測(cè)電壓V_det0、V_det1和V_det2均可從3個(gè)不同大小的值中選擇。

當(dāng)Vcc隨后上升到超過(guò)V_det0、V_det1或V_det2時(shí)，經(jīng)過(guò)穩(wěn)定時(shí)間后，電壓監(jiān)視復(fù)位釋放將繼續(xù)。

上電復(fù)位后，將禁用低電壓檢測(cè)?？梢酝ㄟ^(guò)使用選項(xiàng)功能寄存器OFS1來(lái)使能電壓監(jiān)視。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件手冊(cè)》中的“低電壓檢測(cè)（LVD）”一章。

LVD復(fù)位后，RSTSR0中的LVDnRF（n = 0、1、2）位置1。

6.6 軟件復(fù)位

這是通過(guò)SYSRESETREQ位寫(xiě)入Arm內(nèi)核的AIRCR寄存器產(chǎn)生的內(nèi)部復(fù)位。當(dāng)SYSRESETREQ位設(shè)為1時(shí)，產(chǎn)生軟件復(fù)位，再經(jīng)過(guò)內(nèi)部復(fù)位時(shí)間（tRESW2）后，將取消內(nèi)部復(fù)位，CPU進(jìn)行復(fù)位異常處理。詳情請(qǐng)參照MCU硬件手冊(cè)。

有關(guān)SYSRESETREQ位的詳細(xì)信息，請(qǐng)參照Arm Cortex-M23的技術(shù)手冊(cè)。

6.7 其他復(fù)位

MCU內(nèi)的大多數(shù)外設(shè)功能都可以在特定的故障條件下產(chǎn)生復(fù)位。無(wú)需硬件配置即可使能這些復(fù)位。有關(guān)將為每個(gè)外設(shè)功能產(chǎn)生復(fù)位的條件的詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件手冊(cè)》中的相關(guān)章節(jié)。

6.8 冷/熱啟動(dòng)的確定

借助RA2 MCU，用戶(hù)可以確定發(fā)生復(fù)位過(guò)程的原因。RSTSR2中的CWSF標(biāo)志指示是上電復(fù)位導(dǎo)致了復(fù)位過(guò)程（冷啟動(dòng)），還是操作期間輸入的復(fù)位信號(hào)導(dǎo)致了復(fù)位過(guò)程（熱啟動(dòng)）。

發(fā)生上電復(fù)位時(shí)，該標(biāo)志置0。否則，該標(biāo)志不會(huì)置0。通過(guò)軟件向該標(biāo)志寫(xiě)入1時(shí)會(huì)將其置1。即使在寫(xiě)入0時(shí)也不會(huì)將其置0。

6.9 確定復(fù)位源

借助RA2 MCU，用戶(hù)可以確定復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生源。讀取RSTSR0和RSTSR1，以確定哪個(gè)復(fù)位是復(fù)位源。有關(guān)流程圖，請(qǐng)參見(jiàn)《硬件手冊(cè)》中的“復(fù)位產(chǎn)生源的確定”部分。

以下代碼示例展示了如何使用Renesas FSP中基于CMSIS的寄存器結(jié)構(gòu)確定復(fù)位是由軟件復(fù)位、深度軟件待機(jī)還是上電復(fù)位導(dǎo)致的。