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采用轉換器或控制器進行大電流電壓調節(jié)

星星科技指導員 ? 來源:TI ? 作者:TI ? 2023-04-14 09:34 ? 次閱讀

一般來講,尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,并能享受城市服務,但他們更愿意搬到郊區(qū),因為那里房子更大,院子更寬敞。同樣,當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時,他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利性,取而代之使用一個涉及控制器(帶外部MOSFET)的更復雜的解決方案??刂破鳎c郊區(qū)環(huán)境相類似,具有相對的靈活性和經濟性,但會占據(jù)更多不動產,更多的電路板空間。

直到需要電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSFET的控制器。轉換器盡管設計簡易,布局簡單,物料清單(BOM)中部件更少,具有高可靠性的更高密度解決方案,但通常只能提供有限的電量。

諸如網(wǎng)絡路由器、開關、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應用的耗電量越來越高,需要20A、30A、40A或更多電量,以用于它們的POL設計。然而,這些應用對空間要求極為嚴格,很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于,在一個需要大電流的應用中,您如何使用轉換器而非控制器呢?

答案首先考慮最近在MOSFET和封裝技術方面取得的進展。在一個特定的硅面積內,新一代MOSFET(諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET)具有較低的電阻率(Rdson),可提高電流能力。PowerStack?封裝技術可堆疊集成電路和MOSFET,多層疊加,類似于一個市區(qū)建筑,可在特點的空間內放入更多東西。

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圖1:控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨特組合與其它并列安放 MOSFET 的解決方案相比,可實現(xiàn)一個尺寸更小、熱性能更佳、電流能力更強、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案。

TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉換器系列,可提供高達40A的連續(xù)電流,并采用40管腳、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。

審核編輯:郭婷

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