虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源

半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍（i線：365 nm、h線：405 nm和g線：436 nm）中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)，例如生產(chǎn)集成電路（IC）、液晶顯示器（LCD）、印刷電路板（PCB）以及 MEMS（微機電系統(tǒng)）等多種電子電路結(jié)構(gòu)。

得益于LED的技術(shù)優(yōu)勢和成本優(yōu)勢，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域正在擺脫長期以來的傳統(tǒng)放電燈/汞燈技術(shù)，進而選擇UVLED技術(shù)作為一種理想解決方案。虹科UVLED紫外光源提供穩(wěn)定、精確、一致的i、h和 g線（350-450 nm）輻射輸出，具有長壽命和成本優(yōu)勢，無需額外冷卻時間，即開即用。虹科UVLED曝光光源解決方案取代了傳統(tǒng)的燈箱結(jié)構(gòu)，不再需要主光束折疊鏡、散熱器來吸收在快門和濾光片部件下超過 450nm的輻射。在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用中，虹科UVLED曝光光源解決方案也是傳統(tǒng)均質(zhì)/冷凝組件的經(jīng)濟替代品，只需將其光引擎集成為一個子系統(tǒng)即可。

許多光刻應(yīng)用依賴于寬帶曝光，包括 i、h和 g線 （365/405/435 nm）輻射。虹科UVLED光源可提供非常相似的光譜輸出，將現(xiàn)有的光刻工藝升級到UVLED曝光系統(tǒng)不再需要過多調(diào)整和操作。除了寬帶UVLED曝光單元外，還提供單峰（365 nm）或雙峰波長（365/405 nm和405/435 nm）的輸出配置。

晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣曝光（WEE）是大批量半導(dǎo)體制造中的常見步驟。WEE使用光刻工具（如晶圓步進機）在曝光后處理晶圓的圓邊和ID區(qū)域。晶圓廠將這種高強度暴露添加到其生產(chǎn)線中，以提高晶圓半導(dǎo)體器件的良率。WEE允許晶圓邊緣的絕對最小曝光寬度，以最大限度地減少良率損失或在進一步處理過程中保護邊緣免受污染。WEE設(shè)備可以作為獨立單元連接到半導(dǎo)體晶圓軌道，也可以直接集成到步進設(shè)備中。

目前，大多數(shù)WEE應(yīng)用使用350至450 nm光譜范圍內(nèi)的寬帶輻射。最常見的解決方案是使用額定功率為150至500 W的傳統(tǒng)光纖耦合汞放電燈。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通過靈活的LED光導(dǎo)提供光輸出，涵蓋了傳統(tǒng)汞放電燈的光譜范圍，并且很容易超越晶圓邊緣曝光工藝所需的典型強度。

準直曝光

掩模對準器和步進器能創(chuàng)建一層又一層的精確定位和結(jié)構(gòu)化圖案，以制造復(fù)雜的集成電路、化合物半導(dǎo)體和其他微電子器件。許多紫外固化應(yīng)用要求曝光與半導(dǎo)體生產(chǎn)一樣精確，但不需要具有精心排列的微觀結(jié)構(gòu)層的多個光刻步驟，例如：

智能手機和平板電腦顯示器制造中的邊緣曝光

為印刷行業(yè)打造的安全功能

生物技術(shù)微流體應(yīng)用

以上應(yīng)用更建議使用準直紫外光源曝光?？梢詫⒑缈谱贤夤庠唇鉀Q方案集成到需要很少或沒有準直的UVLED準直曝光設(shè)置中。

將虹科UVLED技術(shù)集成到紫外線泛光暴露應(yīng)用中，模塊化產(chǎn)品系列可讓您選擇所有組件以滿足您的暴露要求。

ALE/1或 ALE/3紫外 LED光源，以滿足您對輸出功率、光譜成分和曝光穩(wěn)定性的偏好，市場上性能最高的光纖耦合光源之一，占地面積小，易于集成。標準和定制的高透射率液體LED光導(dǎo)可用于連接光源和曝光，可以自由選擇最適合的方法，幾乎可以將光源和曝光光學(xué)器件放置在設(shè)置設(shè)計包絡(luò)中的任何位置。