電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見(jiàn)于工業(yè)場(chǎng)合,接下來(lái)介紹其工作原理與設(shè)計(jì)示例。
1.高邊V/I電路原理
這種高壓側(cè)電壓電流轉(zhuǎn)換電路可以為接地負(fù)載提供良好可調(diào)電流。 此電路結(jié)構(gòu)采用兩級(jí)結(jié)構(gòu),一級(jí)為OPA+NMOS,將VIN轉(zhuǎn)化為電源參考信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)第二級(jí)OPA,第二級(jí)OPA控制PMOS的柵極調(diào)節(jié)負(fù)載電流。
電路的V-I傳遞函數(shù)基于輸入電壓VIN和三個(gè)感應(yīng)電流的電阻RS1、RS2和RS3之間的關(guān)系。
VIN和RS1之間的關(guān)系將決定流過(guò)設(shè)計(jì)第一階段的電流:
VRS1=VIN
從第一級(jí)到第二級(jí)的電流增益基于RS2和RS3之間的關(guān)系:
IRS2≈IRS1, VRS3≈VRS2, ILOAD≈IRS3
最終負(fù)載電流公式:
2.設(shè)計(jì)案例:
設(shè)計(jì)指標(biāo):5V供電,VIN=0~2V; Vout=4.5V/0~100mA,效率98%
?電源電壓:5 Vdc
? 輸入: 0 ~2 Vdc
? 輸出: 4.5V/(0 ~100 )毫直流
? 效率:98%
? 增益誤差:0.1%
a.設(shè)計(jì)RS1 :
一級(jí)電路對(duì)負(fù)載不提供功率,因此一級(jí)電路電流產(chǎn)生功耗直接影響系統(tǒng)效率。 為了達(dá)到98.5%的效率目標(biāo),同時(shí)為運(yùn)算放大器的靜態(tài)電流留出空間,第一級(jí)的功耗將限制在滿量程時(shí)輸出電流的1%。 因此,當(dāng)輸出為100mA滿量值時(shí),設(shè)計(jì)應(yīng)將第一級(jí)IRS1中的電流設(shè)置為1mA。
VRS1=VIN=2V
RS1=VIN/IRS1=2V/1mA=2kΩ
IRS2≈IRS1=1mA
b.設(shè)計(jì)RS2/RS3:
電路的第二級(jí)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)負(fù)載的輸出電流源。 由于A2的IN+≈IN-,因此VRS3≈VRS2,考慮5V供電,需要Vout=4.5V,因此滿量程時(shí)需要使VRS3小于500mV,假設(shè)Q2壓降0.3V,則VRS3=470mV
RS2=VRS3/IRS2=470mV/1mA=470Ω
RS3=VRS3/ILOAD=470mA/100mA=4.7Ω
c.運(yùn)放補(bǔ)償設(shè)計(jì):R2/R3/C6/R4/R5/C7
第一和第二階段都需要補(bǔ)償組件,以確保適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)穩(wěn)定性。 運(yùn)放輸出驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載(MOS寄生Cgs)容易產(chǎn)生輸出震蕩,本補(bǔ)償之后的電路結(jié)構(gòu)是經(jīng)典的運(yùn)放雙反饋回路,具體可以參考如下雙反饋的設(shè)計(jì)。
d.器件選擇:
1.運(yùn)放:運(yùn)放推薦選擇Low offset voltage, low temperature drift的運(yùn)放。
2.MOSFET: 需要確保OPA可以適當(dāng)控制柵極,推薦低閾值電壓VGS(th),另外VGS,GSDS,ID不超額定值。
3.電阻(精度):直接影響輸出電流精度的是作為傳遞函數(shù)的三個(gè)電阻RS1,RS2,RS3。 為了滿足0.1% FSR的增益誤差設(shè)計(jì)目標(biāo),這些電阻的容差選擇為0.1%。 第一級(jí)的電流在第二級(jí)中乘以RS2與RS3的比值。 因此,第一階段的準(zhǔn)確性是非常關(guān)鍵的,因?yàn)榈诙A段的誤差會(huì)成倍增加并傳遞到輸出中。 因此,更高精度的設(shè)計(jì)可能需要更低的RS1電阻公差。 (本設(shè)計(jì)中的其他無(wú)源元件可以選擇1%或更大,因?yàn)樗鼈儾粫?huì)直接影響本設(shè)計(jì)的傳遞函數(shù)。 )
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