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簡單的鎖存過流故障檢測器具有快速響應(yīng)時(shí)間

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-05-09 11:25 ? 次閱讀

這里介紹的電路是一種簡單、快速響應(yīng)的過流檢測器,旨在保護(hù)低壓應(yīng)用。專用熱插拔控制器由欠壓引發(fā)較長的啟動延遲,與專用熱插拔控制器不同,該電路在輸入電源升至150.2V以上后僅提供7μs的保護(hù)。此外,外部p溝道開關(guān)上的有限柵極電壓可在上電期間提供浪涌電流限制措施。

概述

圖1顯示了鎖存過流故障檢測器的完整電路。通電后,比較器輸出C外接近零伏。由Q2和Q3形成的同相緩沖器可確保Q1(一種非常低導(dǎo)通電阻、低閾值、p溝道功率MOSFET)的柵極得到充分增強(qiáng)。進(jìn)入負(fù)載產(chǎn)生的電流由高邊電流檢測放大器測量,該放大器轉(zhuǎn)換檢流電阻R兩端的小電壓意義在 OUT 引腳上轉(zhuǎn)換為以地為基準(zhǔn)的輸出電壓。該電壓與負(fù)載電流成比例,在鎖存、同相比較器的輸入端進(jìn)一步縮放。

當(dāng)負(fù)載電流超過R1和R2結(jié)處的閾值電壓時(shí),比較器改變狀態(tài),導(dǎo)致輸出電壓被R3拉高。當(dāng)柵極-源極電壓降至柵極門限以下時(shí),p溝道MOSFET關(guān)斷。同相緩沖器 Q2-Q3 可確保充放電電流充入和流出 Q1 柵極,從而實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。

wKgaomRZwxCAOyvVAACBPd8lxYg824.png

圖1.集成電流檢測放大器、鎖存比較器和基準(zhǔn)構(gòu)成快速響應(yīng)、低電壓、過流保護(hù)電路。

組件選擇

控制器

MAX4373是用于快速響應(yīng)、鎖存、限流檢測器電路的控制器,工作在+3.3V電源。MAX4373集成了產(chǎn)生這種電路所需的所有元件:高共模差分電壓檢測器、基準(zhǔn)和帶低電平有效復(fù)位的鎖存比較器。從施加V開始,啟動延遲通常為500μs抄送,通過比較器的傳播延遲典型值為4μs。

檢流電阻器

選擇檢測電阻值以確保最佳增益精度(典型值為1%至1.5%)時(shí),額定電流下的壓降應(yīng)在75mV至100mV范圍內(nèi),增益范圍為+20V/V和+50V/V(MAX4373的T和F版本)。以下公式計(jì)算檢測電阻值及其兩端的功率:

wKgZomRZvSeAWJYDAAAFn_vtW5Q702.gifwKgaomRZvSiAUP5QAAAEkzqAF_A057.gif

輸出的動態(tài)范圍也是一個重要的考慮因素。將標(biāo)稱輸出電壓(對應(yīng)于工作/檢測電流)居中為電源電壓的一半。請注意,最大 V外比 V 時(shí)的電源電壓低 250mV抄送.因此,對于 V抄送= +3.3V,標(biāo)稱V外應(yīng)約為 1.4V。本例中,增益為+4373V/V (T型)的MAX20適用于70mV檢測電壓。

對于本應(yīng)用中15A的檢測電流,R意義= 4.6mΩ,產(chǎn)生一個 70mV V意義,選擇最接近的值 4.7mΩ。泰科-美捷特RL73H的容差為±1%(F后綴)。

閾值電流

設(shè)置電流檢測放大器后,應(yīng)設(shè)置比較器以提供適合禁用串聯(lián)電源開關(guān)的開關(guān)輸出電壓。電阻分壓器將電流放大器輸出連接到比較器正輸入。對于開關(guān),比較器的正輸入必須超過內(nèi)部設(shè)定的600mV標(biāo)稱門限(580mV至618mV)。要計(jì)算R1和R2的值,請使用以下電壓閾值公式:

wKgZomRZwyGAWOtSAAARjzhf6JY177.png

在檢流放大器的標(biāo)稱輸出電壓經(jīng)R1和R2的電流應(yīng)大于150nA,小于500μA。比較器輸出吸收 1mA 電流,飽和電壓為 600mV (最大值)。柵極上拉電阻R3由下式計(jì)算:

wKgZomRZvSuACoEMAAAEOusRnEY328.gif

電源開關(guān)

外部p溝道MOSFET的關(guān)鍵選擇規(guī)格是峰值電流、導(dǎo)通電阻和柵極電壓,緊隨其后的是封裝。應(yīng)選擇導(dǎo)通電阻,使額定電流下的壓降與電流檢測電壓大致相同。該值在檢測電阻和MOSFET中產(chǎn)生相似的耗散水平。

Si7485DP MOSFET(來自硅氧烷)在 V 時(shí)的最大導(dǎo)通電阻為 9mΩ一般事務(wù)人員= -2.5V。選擇這款 20V p 溝道器件是因?yàn)槠湓诘洼斎腚妷合鹿ぷ鳌W畈钋闆r下的穩(wěn)態(tài)耗散由下式計(jì)算:

wKgaomRZvS2AHX43AAAEOrE9pfs945.gif

在 15A 負(fù)載電流和 9mΩ 導(dǎo)通電阻下,Si7485DP 的工作溫度比環(huán)境溫度高 40°C 至 50°C,因此根據(jù)最終應(yīng)用需要額外的散熱。

在本例中,電源開關(guān)的柵極電荷規(guī)格約為60nC。如果需要快速響應(yīng),該值超出了R3和低功耗比較器輸出的驅(qū)動能力。因此,柵極驅(qū)動緩沖器是強(qiáng)制性的。如上所述,Q2和Q3構(gòu)成互補(bǔ)的發(fā)射極-跟隨器驅(qū)動器,為Q1柵極提供顯著的雙極性電流增益。晶體管在 500mA 至 1A 的中等集電極電流下具有良好的直流 β。合適的選擇是Zetex FZT688B(npn)和FZT788B(pnp),采用SOT223外形封裝。要計(jì)算門響應(yīng)時(shí)間,請使用以下公式:

wKgZomRZwzOADUG_AAAMjZPxiKU152.png

操作

公差累積

實(shí)際感測的電流值取決于由于以下原因而建立的容差:

檢測電阻 ±1% (TL3A)
檢測電壓限值 ±0.1
增益容差 ±5.5%(最大值,包括增益和失調(diào)誤差)
比較器電阻容差 ±1% (R1 & R2)
比較器閾值容差 ±3.3%

忽略檢測電壓容差,總電流檢測容差接近±10.8%。詳細(xì)限值可以使用以下公式計(jì)算:

wKgZomRZw0qACzrMAAATAdrWqaA543.png

R0和R1使用容差±1.2%的電阻可以在一定程度上降低誤差限值(約±1%),但最終應(yīng)用可能不支持額外的成本。

轉(zhuǎn)0f瞬態(tài)

對故障的快速響應(yīng)和隨后的電流中斷是關(guān)鍵要求。然而,電源線分布式電感中剩余的能量會產(chǎn)生破壞性的電壓尖峰。部分能量被負(fù)載電源中的分布電容吸收,但可能需要快速響應(yīng)的過壓箝位來保護(hù)MAX4373免受28V或更高瞬變的影響。

結(jié)果

電流探頭監(jiān)視輸入端子的負(fù)載電流(Vin在圖 1 中)。負(fù)載電流增加,直到達(dá)到閾值并觸發(fā)電路。響應(yīng)時(shí)間約為 2μs(圖 2)。

wKgaomRZw1CATIZMAADyVZVSn04660.png

圖2.圖1電路的測試結(jié)果顯示,響應(yīng)時(shí)間約為2μs。

審核編輯:郭婷

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