0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC和GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

意法半導(dǎo)體PDSA ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體PDSA ? 2023-05-19 09:56 ? 次閱讀

意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。

L6983i適合需要隔離式DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用,采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。

L6983i的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流,集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示,以及過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)頻可選功能可改善EMC電磁兼容性。

L6983i的拉/灌電流高達(dá)4.5A初級(jí)電流,開(kāi)關(guān)頻率可在200kHz至1MHz調(diào)節(jié),并且還可以選擇與外部時(shí)鐘同步。新產(chǎn)品用于給IGBT、碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN)功率晶體管隔離式柵極驅(qū)動(dòng)供電,適用于工業(yè)自動(dòng)化、低功率電驅(qū)系統(tǒng)、充電樁和隔離式安全設(shè)備。

STEVAL-L6983IV1評(píng)估板可幫助設(shè)計(jì)人員快速探索L6983i的功能特性,加快新項(xiàng)目的研發(fā)周期。

L6983i 現(xiàn)已投產(chǎn),采用 3mm x 3mm QFN16 封裝。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 意法半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3078

    瀏覽量

    108422
  • DC-DC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    30

    文章

    1904

    瀏覽量

    81256
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1258

    文章

    3732

    瀏覽量

    247688
  • 降壓轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    1252

    瀏覽量

    86327

原文標(biāo)題:意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動(dòng)

文章出處:【微信號(hào):STM_IPGChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    使用隔離 IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用隔離 IGBTSiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)
    發(fā)表于 09-11 14:21 ?0次下載
    使用<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>式</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> 和 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的 HEV/EV 牽引逆變器設(shè)計(jì)指南

    GaN晶體管SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化鎵)晶體管SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:16 ?468次閱讀

    igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:48 ?602次閱讀

    降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓如何使用串聯(lián)晶體管

    (是絕緣柵雙極晶體管IGBT)作為其主要開(kāi)關(guān)器件,如下所示。 降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓 降壓開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓
    發(fā)表于 06-18 14:19

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:26 ?738次閱讀

    半導(dǎo)體新車(chē)規(guī)單片同步降壓轉(zhuǎn)換器面向輕負(fù)載、低噪聲和電隔離型電源應(yīng)用

    節(jié)省空間,簡(jiǎn)化車(chē)身電子設(shè)備、音頻系統(tǒng)和逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì) ? 2024 年 5 月 20 日,中國(guó) – 半導(dǎo)體推出了新系列汽車(chē)級(jí)
    發(fā)表于 05-21 11:05 ?803次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新車(chē)規(guī)單片同步<b class='flag-5'>降壓</b><b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>面向輕負(fù)載、低噪聲和電<b class='flag-5'>隔離</b>型電源應(yīng)用

    PMP30629.1-具有集成開(kāi)關(guān)PSR反激轉(zhuǎn)換器隔離2.5W SiCIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 PCB layout 設(shè)計(jì)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP30629.1-具有集成開(kāi)關(guān)PSR反激轉(zhuǎn)換器隔離2.5W SiCIGB
    發(fā)表于 05-17 14:34 ?0次下載
    PMP30629.1-具有集成開(kāi)關(guān)PSR反激<b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>的<b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>式</b>2.5W <b class='flag-5'>SiC</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b> PCB layout 設(shè)計(jì)

    榮湃半導(dǎo)體發(fā)布全新Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器

    榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器,該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù),集成了多種
    的頭像 發(fā)表于 03-12 11:11 ?881次閱讀

    半導(dǎo)體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:54 ?678次閱讀

    半導(dǎo)體推出SRK1004同步整流控制

    半導(dǎo)體近日發(fā)布了其全新同步整流控制SRK1004,該控制專(zhuān)為簡(jiǎn)化采用硅基或氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 03-12 10:53 ?644次閱讀

    半導(dǎo)體推出靈活多變的同步整流控制,提高硅基或氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器能效

    有助于簡(jiǎn)化工業(yè)電源、便攜設(shè)備充電器和交流/直流適配器操作,節(jié)省電能 ? 2024 年 3 月 7 日,中國(guó) ——半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制
    發(fā)表于 03-11 15:42 ?700次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出<b class='flag-5'>靈活</b>多變的同步整流控制<b class='flag-5'>器</b>,提高硅基或氮化鎵<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>轉(zhuǎn)換器</b>能效

    半導(dǎo)體推出一款靈活多變的同步整流控制SRK1004

    半導(dǎo)體 SRK1004 同步整流控制降低采用硅基或 GaN 晶體管
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:26 ?468次閱讀

    半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

    半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:05 ?905次閱讀
    <b class='flag-5'>意</b><b class='flag-5'>法</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出<b class='flag-5'>功率</b>MOSFET和<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>

    隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN

    報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極
    發(fā)表于 12-18 09:39 ?479次閱讀
    <b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的演變(<b class='flag-5'>IGBT</b>/<b class='flag-5'>SiC</b>/<b class='flag-5'>GaN</b>)

    半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

    半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:48 ?896次閱讀