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NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:synopsys ? 作者:synopsys ? 2023-05-25 15:36 ? 次閱讀

NAND 閃存簡(jiǎn)介

NAND 非易失性存儲(chǔ)是支持固態(tài)驅(qū)動(dòng)器 (SSD)、手機(jī)存儲(chǔ)、嵌入式存儲(chǔ)卡、USB 設(shè)備等的技術(shù)

RAM(例如DRAM,SRAM)相比,非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在斷電時(shí)保留其包含的數(shù)據(jù)

NVM 對(duì)工業(yè)用戶很有吸引力,因?yàn)樗鼈冃枰环N存儲(chǔ)解決方案,即使在斷電時(shí)也能幫助保護(hù)數(shù)據(jù)

NAND閃存的類型

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加。聽起來不錯(cuò),但MLC也有缺點(diǎn):使用MLC NAND,允許多種電氣狀態(tài)也會(huì)導(dǎo)致更高的錯(cuò)誤率和更低的耐用性。一些設(shè)備允許您在部分(或)所有存儲(chǔ)上修改為偽 SLC (PSLC) 模式。

這可能會(huì)減小存儲(chǔ)的尺寸,同時(shí)增加設(shè)備的耐用性。由于閃存的價(jià)值取決于其芯片面積,因此如果通常在同等區(qū)域內(nèi)存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存主要有四種類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC),多層單元(MLC),三級(jí)單元(TLC)和四級(jí)單元(QLC)。

3D NAND 技術(shù)

在過去的十年中,3D NAND或垂直NAND一直是閃存市場(chǎng)最大的創(chuàng)新之一。閃存制造商開發(fā)了3D NAND,以解決2D NAND縮小尺寸以降低成本實(shí)現(xiàn)更高存儲(chǔ)密度時(shí)遇到的問題。它還會(huì)帶來更高的速度、更好的耐用性和更低的燃料規(guī)格。與2D NAND不同,制造商決定將單元堆疊在不同的維度上,從而產(chǎn)生3D NAND,其中單元垂直堆疊。堆疊消除了電池變小時(shí)發(fā)生的電干擾。更高的存儲(chǔ)密度允許更高的存儲(chǔ)容量,而不會(huì)大幅增加價(jià)格。3D NAND 還提供更好的耐用性和更低的功耗。

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3D NAND

如今,大多數(shù)主要的SSD供應(yīng)商都銷售3D NAND SSD。例如,三星已使用該技術(shù)將8 TB閃存加載到其最新的NVMe NF1 SSD中。一些領(lǐng)先的3D NAND閃存制造商包括英特爾公司,三星海力士,SK和東芝的合作伙伴西部多媒體公司??傮w而言,NAND是一種極其重要的存儲(chǔ)技術(shù),因?yàn)樗暂^低的每比特成本提供快速的擦除和寫入時(shí)間。各種工業(yè),如數(shù)據(jù)中心、電信、汽車、從 HDD 過渡到 SSD,這種過渡正在幫助 NAND 技術(shù)發(fā)展并滿足消費(fèi)者不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

NAND閃存的主要特點(diǎn)

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內(nèi)存驗(yàn)證挑戰(zhàn)與 Synopsys 驗(yàn)證解決方案:

設(shè)計(jì) NAND 閃存 IP 存在各種挑戰(zhàn),但 Synopsys 驗(yàn)證解決方案克服了所有這些挑戰(zhàn):

驗(yàn)證挑戰(zhàn) 新思科技驗(yàn)證解決方案
內(nèi)存大小不斷增長(zhǎng) Synopsys 可配置內(nèi)存解決方案提供各種密度范圍驗(yàn)證 - ONFI VIP,如 LUN、目標(biāo)、塊、頁和每頁數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)
更高的速度支持 通過提供3600MT的最高速度,雙向源同步DQS和可擴(kuò)展的I / O接口使更快的NAND閃存接口成為可能
多控制器設(shè)計(jì) Synopsys VIP 的可配置參數(shù)頁面為控制器提供了器件的所有相關(guān)功能,以便更快地進(jìn)行設(shè)計(jì)、鑒定和測(cè)試。參數(shù)頁面通過描述修訂信息、功能、組織計(jì)時(shí)和其他特定于供應(yīng)商的數(shù)據(jù)來解決設(shè)備之間的不一致問題
接口切換 存儲(chǔ)器解決方案提供異步和源同步模式之間的切換
小尺寸 先進(jìn)的芯片選擇功能,可減少芯片使能 (CE) 引腳的數(shù)量,從而減少控制器引腳的數(shù)量,從而提高 PCB 布線效率
Synopsys VIP 支持CE_n引腳縮減機(jī)制 - 主機(jī)中的單個(gè)CE_n引腳可由多個(gè) NAND 目標(biāo)共享,從而顯著減少主機(jī)所需的CE_n引腳
供應(yīng)商支持 來自頂級(jí)公司的廣泛市場(chǎng)支持,包括美光、三星、賽普拉斯、華邦、鎧俠以及相應(yīng)供應(yīng)商特定的零件支持功能
調(diào)試時(shí)間 與威爾第協(xié)議分析器、跟蹤文件、調(diào)試端口、詳細(xì)錯(cuò)誤消息的本機(jī)集成
多種覆蓋模式 內(nèi)置覆蓋模型和驗(yàn)證計(jì)劃
配置使隨機(jī)測(cè)試平臺(tái)能夠完全覆蓋所有配置、所有供應(yīng)商組件

范圍

所有主要的閃存制造商都在積極采用不同的方法,以縮減每一點(diǎn)閃存的價(jià)值,同時(shí)仍然創(chuàng)建在各種應(yīng)用中有用的產(chǎn)品。積極的研究繼續(xù)擴(kuò)展3D NAND閃存中的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是當(dāng)今NAND閃存最不成功的節(jié)點(diǎn),但閃存光刻節(jié)點(diǎn)的縮小仍在追求。此外,還將積極探索將MLC和TLC技術(shù)與3D NAND閃存相結(jié)合,許多制造商已經(jīng)取得了成功。隨著新技術(shù)的到來,我們可能很快就會(huì)看到存儲(chǔ)字節(jié)知識(shí)和垂直層的存儲(chǔ)單元,達(dá)到256層甚至更多。

在當(dāng)今的市場(chǎng)上,NAND閃存產(chǎn)品可以通過兩種接口購買:開放式NAND閃存接口(ONFI)和切換NAND接口(TNAND,3DNAND)。適用于 NAND 閃存的 Synopsys? 驗(yàn)證 IP 提供了一套全面的協(xié)議、方法、驗(yàn)證和生產(chǎn)力功能,使用戶能夠?qū)崿F(xiàn)加速驗(yàn)證收斂。此外,Synopsys 驗(yàn)證解決方案允許通過多種選項(xiàng)隨機(jī)化用戶所需的閃存配置,以滿足 IP 和 SoC 級(jí)要求,并支持三星、美光、華邦、東芝和鎧俠的各種供應(yīng)商定義的部件。

Synopsys VIP 與 Synopsys Verdi Protocol Analyzer 調(diào)試解決方案以及 Synopsys Verdi?? Performance Analyzer 原生集成。Synopsys VIP 可以在運(yùn)行時(shí)動(dòng)態(tài)切換速度配置,并包括一組廣泛且可自定義的幀生成和錯(cuò)誤注入功能。

在 SoC 上運(yùn)行系統(tǒng)級(jí)有效負(fù)載需要更快的基于硬件的預(yù)硅解決方案。Synopsys 事務(wù)處理器、內(nèi)存模型、混合和虛擬解決方案基于 Synopsys IP 支持在業(yè)界最快的驗(yàn)證硬件系統(tǒng) Synopsys ZeBu? 和 Synopsys HAPS? 上實(shí)現(xiàn)各種驗(yàn)證和確認(rèn)用例。

審核編輯:郭婷

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