瑞波光電905nm EEL芯片成功應(yīng)用于探維科技的激光雷達(dá)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，深圳瑞波光電子有限公司（以下簡稱“瑞波光電”）宣布其905nm EEL激光芯片成功應(yīng)用于探維科技（北京）有限公司（以下簡稱“探維科技”）的車規(guī)級固態(tài)激光雷達(dá)產(chǎn)品上。目前探維科技的激光雷達(dá)產(chǎn)品獲得多款車型定點(diǎn)，將于2023年Q3開啟大規(guī)模批量交付。

此次瑞波光電入選的型號為高功率905nm波段芯片，基于905nm波長邊發(fā)射激光器(EEL)的升級版線光源脈沖激光雷達(dá)發(fā)射陣列，可應(yīng)用于智能駕駛車載激光雷達(dá)、3D智能感知、激光測距以及機(jī)器視覺等領(lǐng)域。

探維科技的車規(guī)級固態(tài)激光雷達(dá)代表自動駕駛高級傳感器的發(fā)展趨勢，引領(lǐng)感知功能迭代發(fā)展，聚焦多元化智駕場景，為車企客戶提供高度集成化的硬件設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)性能、體積、成本的極致平衡。

“我們很高興能與瑞波光電合作，開發(fā)ADAS應(yīng)用的固態(tài)激光雷達(dá)，以實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、車規(guī)級的可靠性和一致性要求。”探維科技CEO王世瑋表示。

“未來，瑞波光電與探維科技將充分發(fā)揮各自技術(shù)優(yōu)勢，在激光雷達(dá)領(lǐng)域協(xié)同創(chuàng)新，助力探維科技激光雷達(dá)產(chǎn)品規(guī)?；瘧?yīng)用和量產(chǎn)交付，推動中國智能汽車向全球引領(lǐng)者角色更進(jìn)一步?！?瑞波光電總經(jīng)理胡海博士表示。

到目前為止，瑞波光電的905nm EEL產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)和激光測距領(lǐng)域，應(yīng)用場景包括車載、掃地機(jī)、AGV、無人機(jī)、測距望遠(yuǎn)鏡等。

今年五月初，瑞波光電發(fā)布了新一代的波長穩(wěn)定芯片系列，能夠?qū)崿F(xiàn)低溫漂、低發(fā)散角、更高光功率，因此有更大的探測距離。同時(shí)，瑞波即將在7月舉行的2023慕尼黑上海光博會（LASER World of PHOTONICS CHINA）發(fā)布單點(diǎn)250W級別的905nm EEL芯片新品。

在過去的2022年，瑞波905nm EEL激光雷達(dá)發(fā)射芯片通過車規(guī)AEC-Q102里四項(xiàng)測試項(xiàng)目。在AEC-Q102測試項(xiàng)目以外，瑞波還積累了幾百萬器件小時(shí)的長期壽命測試數(shù)據(jù)，以此數(shù)據(jù)建立的壽命模型預(yù)測器件的壽命超過100萬小時(shí)。憑借優(yōu)異的性能和高可靠性，瑞波光電目前已經(jīng)與國內(nèi)多家頭部激光雷達(dá)廠商展開深度合作，并成功實(shí)現(xiàn)大批量的出貨和應(yīng)用。

關(guān)于瑞波光電

深圳瑞波光電子有限公司是專業(yè)從事高端大功率半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)和生產(chǎn)的國家高新技術(shù)企業(yè)，擁有半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計(jì)、芯片制造工藝，芯片封裝、表征測試等全套核心技術(shù)，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片，封裝模塊及測試表征設(shè)備，并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。

公司芯片產(chǎn)品形式包括：①單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數(shù)百瓦級，波長覆蓋從可見光到近紅外波段（635nm—1550nm），性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、部分國際領(lǐng)先水平，替代進(jìn)口高端激光芯片；②封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、TO/SF等；③表征測試設(shè)備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機(jī)、Full-bar 綜合性能測試機(jī)、全自動COS綜合性能測試機(jī)、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機(jī)、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測試機(jī)等。

公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)、醫(yī)療美容、工業(yè)加工、激光顯示、科研等領(lǐng)域。在激光測距及雷達(dá)領(lǐng)域，瑞波光電已經(jīng)成功開發(fā)出6W / 20W / 25W / 50W / 65W / 75W / 100W等多款常規(guī)905nm脈沖發(fā)射芯片，同時(shí)在5月份瑞波又剛剛推出新一代3J和4J的低溫漂、低發(fā)散角的65W、135W、165W 905nm芯片系列，波長隨溫度變化系數(shù)小于0.09nm/K，部分型號達(dá)到0.06nm/K，在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL，實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術(shù)突破，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

審核編輯 ：李倩