重磅新品||安森德自研超結(jié)（SJ）MOSFET上市

近年來，新能源、智能汽車、智能家居等新產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，帶動了功率器件尤其是超結(jié)（SJ）MOSFET的強(qiáng)勁需求。然而長期以來，超結(jié)（SJ）MOSFET市場供應(yīng)被國外企業(yè)所主導(dǎo)，但隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向我國轉(zhuǎn)移，加上國產(chǎn)半導(dǎo)體品牌長期的技術(shù)積累，產(chǎn)品不斷迭代升級，部分國產(chǎn)功率器件產(chǎn)品的性能和品質(zhì)，已經(jīng)可以與國外一線廠商媲美，超結(jié)（SJ）MOSFET國產(chǎn)化需求也將迎來發(fā)展機(jī)會。

以安森德為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體新銳品牌，抓住國產(chǎn)替代和半導(dǎo)體第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的契機(jī)，堅持“理論結(jié)合實踐，技術(shù)驅(qū)動創(chuàng)新”的發(fā)展路線，研發(fā)出核心技術(shù)自主可控的中低壓MOSFET、超結(jié)（SJ）MOSFET、SIC、GaN、SIP系統(tǒng)級芯片等產(chǎn)品，可滿足多場景差異化應(yīng)用場景下的客戶需求。聯(lián)系電話：17727437826（微信同號）。

安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品，涵蓋 600 V、650 V、700 V、800 V 和 950 V MOSFET 電壓等級，具有出色的超低導(dǎo)通內(nèi)阻，可提高效率和易用性，同時顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

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安森德多層外延SJ MOS介紹

安森德自研新品超結(jié)（SJ） MOSFET有良好的兼容性和可靠性，且能夠以高性價比滿足高效率要求。

安森德多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET，通過一層一層淀積硅層，并在每一層上通過離子注入形成P型摻雜，最后通過高溫將每一層的P型區(qū)連接從而形成最終的P柱結(jié)構(gòu)。相比Deep-Trench工藝的SJ MOS，是通過外延設(shè)備生長一層幾十um的外延層，再通過深槽刻蝕設(shè)備刻出深寬比很高的溝槽，采用外延方式將溝槽填充，其過程中因深寬比要求越來越大，會導(dǎo)致在填充時產(chǎn)生一些不規(guī)則的空洞，造成芯片在長期高溫工作時的可靠性下降。安森德多層外延工藝因其獨(dú)特的溝槽技術(shù)，可有效避免這方面的缺陷。

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安森德多層外延SJ MOS優(yōu)勢

效率高

較高的輕載、滿載效率，超低的導(dǎo)通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導(dǎo)通、開關(guān)損耗。

低溫升

較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。

穩(wěn)定性強(qiáng)

強(qiáng)大的EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。

內(nèi)阻低

超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下，超結(jié)MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小，可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。

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安森德多層外延SJ MOS應(yīng)用

超結(jié)（SJ）MOSFET被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備，且應(yīng)用范圍正在不斷擴(kuò)大，成為電子設(shè)備不可或缺的重要元器件，其主要應(yīng)用于服務(wù)器電源、充電樁、新能源汽車、光伏、逆變、儲能等領(lǐng)域。

審核編輯 黃宇