碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù)
碳化硅MOSFET相關的主要參數(shù)包括:
1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MOSFET的開關速度會變慢。
2. 導通電阻(Rdson)- 這是MOSFET在線性區(qū)域內的電阻。它與MOSFET的尺寸和結構有關,Rdson越小,MOSFET的效率就越高。
3. 最大漏電流(Idmax)- 這是MOSFET在最大允許溫度下能承受的最大漏電流。
4. 最大額定電壓(Vdss)- 這是MOSFET能夠承受的最大電壓。
5. 開關速度(switching speed)- 這是MOSFET的開關時間,即從關到開或從開到關的時間。它通常說是在負載電感和電容條件下的開關時間。
碳化硅MOSFET相關的主要參數(shù)包括:
1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MOSFET的開關速度會變慢。
2. 導通電阻(Rdson)- 這是MOSFET在線性區(qū)域內的電阻。它與MOSFET的尺寸和結構有關,Rdson越小,MOSFET的效率就越高。
3. 最大漏電流(Idmax)- 這是MOSFET在最大允許溫度下能承受的最大漏電流。
4. 最大額定電壓(Vdss)- 這是MOSFET能夠承受的最大電壓。
5. 開關速度(switching speed)- 這是MOSFET的開關時間,即從關到開或從開到關的時間。它通常說是在負載電感和電容條件下的開關時間。
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發(fā)表于 10-27 12:45
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