晶體管的結構特點和伏安特性

今天為大家介紹晶體管由兩個PN結構成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

晶體管結構與分類

晶體管由兩個PN結構成，分成三層，按照P型和N型排列的順序不同，可分為NPN型和PNP型兩類，結構示意圖和電路符號如下圖。

根據(jù)所使用的材料不同，晶體管又分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

可知，兩類晶體管都分成基區(qū)、發(fā)射區(qū)、集電區(qū)，分別引出的電極稱為基極（B）、發(fā)射極（E）、集電極（C）。

基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的結稱為發(fā)射結；基區(qū)和集電區(qū)之間的結稱為集電結。NPN型和PNP型符號的區(qū)別是發(fā)射極的箭頭方向不同。

晶體管內(nèi)部結構特點：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度最高，即多子濃度最高，體積較大；基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度極低；集電區(qū)體積最大，雜質(zhì)濃度較發(fā)射區(qū)低。這是晶體管具有電流放大作用的內(nèi)部條件。