引言
隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展,在固態(tài)微電子器件制造中,人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑,以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而,隨著硅電路和器件結(jié)構(gòu)規(guī)模的不斷減小,英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實(shí)現(xiàn)更好的清潔晶圓表面。
另一方面,為了滿足日益嚴(yán)格的低成本(氧化亞鈷)和高環(huán)境/安全監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)的要求,清潔技術(shù)的創(chuàng)新也迫在眉睫。此時,臭氧因其強(qiáng)大的氧化能力而受到重視,其原本通常應(yīng)用于廢水處理和飲用水消毒行業(yè)。
最近在半導(dǎo)體濕式清洗過程中引入的臭氧,受到了越來越多的關(guān)注,該技術(shù)在工業(yè)應(yīng)用中有很高的前景,可以滿足許多方面的需求。如圖1中的電位-pH圖所示,臭氧化超純水(UPW)比長期使用的硫酸、鹽酸、硝酸和氫氧化銨具有更高的還原氧化(氧化還原)電位。
圖1:臭氧水和半導(dǎo)體濕法加工中常用的一些化學(xué)品的電勢-pH關(guān)系
實(shí)驗(yàn)與討論
圖2:稀釋臭氧化學(xué)方法去除銅和銀
使用去離子水可以有效地去除晶片表面上的有害金屬,如銅和銀等。由于它們比硅具有更高的電負(fù)性,并且很容易通過氧化硅在晶片表面還原,因?yàn)檫@些金屬被證實(shí)是貴金屬。英思特發(fā)現(xiàn),在3ppm臭氧化水中,預(yù)污染晶片上的這些金屬濃度從1013個原子/cm2下降到1010個原子/cm2的量級(圖2)。我們還注意到,0.01%的鹽酸與臭氧去離子水的混合物加速了銅的去除,但通過氯化銀顆粒再沉淀到晶片表面,誘導(dǎo)了較高的Ag濃度。
英思特公司研究了通過去離子水向裸硅晶片添加顆粒的方法,其結(jié)果顯示,在0.2μm時,每個晶片(PPW)平均添加12個顆粒,在0.16μm時添加約23PPW。硫酸處理晶片的高顆粒計數(shù)基本上與硫酸鹽殘留物引起的時間依賴性霧化有關(guān)。結(jié)果表明,顆粒污染程度明顯較低,去離子水處理的顆粒污染更低,表明與硫酸方法相比,去離子水技術(shù)是一種清潔、無沖洗的工藝。
結(jié)論
英思特研究表明,臭氧是一種強(qiáng)氧化劑,對晶片表面的制備具有經(jīng)濟(jì)效益。與傳統(tǒng)的濕法工藝相比,臭氧技術(shù)在晶片清洗和光刻膠剝離上的應(yīng)用表現(xiàn)出了優(yōu)于或至少同等的性能。
江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備,晶圓清潔設(shè)備,RCA清洗機(jī),KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計、生產(chǎn)和維護(hù)。
審核編輯黃宇
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