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一個傳導、輻射超標整改過程案例分析

硬件筆記本 ? 來源:硬件筆記本 ? 2023-06-06 09:42 ? 次閱讀

這是一款輸入寬電壓120-277V 60Hz,輸出48V,273mA的電源,采用Buck拓撲結構。

wKgZomR-jweAFf57AACuCCRMGGM259.jpg

注:在最初的設計中,預留電感L1、L2,CBB電容C1、C2作為傳導測試元件,預留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測試元件;

傳導測試:

1、短接L2,L1=4.7mH,C1=0.1uf,C2=0.1uf,120V電壓輸入,L線傳導圖像:

wKgZomR-jweAUtIJAACamXw2jIg353.jpg

277V電壓輸入,L線傳導圖像:

wKgaomR-jweAMUE5AACPCYE0ixs968.jpg

結果:輸入277V,將近150K的頻率讀點后余量少于3db

整改辦法:將C2加大到0.22uf,再次測試圖像如下:

wKgaomR-jweAX2ldAACTR-4o0TE195.jpg

結果:手動讀點,余量7.19db,驗證N線后,無壓力通過。

輻射測試:

1、在不加磁珠FB1、不加環(huán)路電容、變壓器不包銅皮的情況下,輻射數(shù)據(jù)嚴重超標;

2、整改方案:將如下整改位置加強,即:增加磁珠FB1(100M 60ohm),環(huán)路電容C9=1nf。

結果:水平測試,余量逼近限度線;垂直測試,31MHz、41MHz、53MHz處輻射數(shù)據(jù)超標5-10db;

3、整改方案:基于第二步,將變壓器使用銅皮進行外部線圈包裹,同時將C9增加至2.2nf;

結果:情況無改善;

4、整改方案:基于第三步,在MOS管Q2的D、S極并接60pf電容;

結果:情況無改善;

圖像如下:

wKgZomR-jweAKn3TAAIMSOf6wrA482.jpg

5、整改方案:重點關注高頻開關點(如下紅色圈處),調(diào)整Layout布線設計:

wKgaomR-jweAQ6LiAAC2vXfjiSQ472.jpg

原有布線方案中,留意高頻開關部分(打“X”的黑線),發(fā)現(xiàn)高頻走線過長,環(huán)路面積太大:

wKgaomR-jweAdvYCAAE_M7ZaEi4966.jpg

重新布局、Layout后:

wKgZomR-jweAUi5cAAEyn9gQyRU195.jpg

結果:

在變壓器不加銅皮、環(huán)路電容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的設計參數(shù):120V 水平、垂直測試圖像

wKgaomR-jweAdpt-AADyHukDNqE706.jpg

277V 60HZ 水平、垂直測試圖像:

wKgZomR-jweAcW4aAADpSAZeP14664.jpg

驗證傳導數(shù)據(jù):

120V 60HZ L、N線:

wKgaomR-jweAaIOkAADmnC1IRAU742.jpg

277V 60HZ L、N線:

wKgZomR-jweARj-uAADY_8MobRI981.jpg

結果測試通過。

審核編輯:湯梓紅

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原文標題:案例 | 一個傳導、輻射超標整改過程分析

文章出處:【微信號:gh_a6560e9c41d7,微信公眾號:硬件筆記本】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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